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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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伺服驅(qū)動(dòng)器的七個(gè)故障原因分析與處理方法
伺服驅(qū)動(dòng)器是用來控制伺服電機(jī)的一種控制器,其作用類似于變頻器作用于普通交流馬達(dá),屬于伺服系統(tǒng)的一部分,主要應(yīng)用于高精度的定位系統(tǒng)。一般是通過位置、速度和...
2018-01-12 標(biāo)簽:dspigbt伺服驅(qū)動(dòng)器 4.3萬 0
電磁爐溫度檢測電路圖大全(高頻/IGBT/傳感器溫度檢測電路詳解)
本文主要介紹了電磁爐溫度檢測電路圖大全(高頻/IGBT/傳感器溫度檢測電路詳解)。電磁爐中的溫度檢測傳感器采用的是熱敏電阻,該電阻大多由單晶或多晶半導(dǎo)體...
驅(qū)動(dòng)信號(hào)仍然采用處理脈寬調(diào)制器輸出信號(hào)的形式。使得兩路驅(qū)動(dòng)信號(hào)的相位錯(cuò)開(有死區(qū)),以防止兩個(gè)開關(guān)管同時(shí)導(dǎo)通而產(chǎn)生過大電流損壞開關(guān)管。驅(qū)動(dòng)信號(hào)的中點(diǎn)同樣...
IGBT是—種場控器件,它的開通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極間電壓UGE決定,當(dāng)柵射電壓UCE為正且大于開啟電壓UCE(th)時(shí),MOSFET內(nèi)形成溝道并為PN...
SCR的開關(guān)時(shí)間較長,所以頻率不能太高,一般在3-5KHZ左右;IGBT的開關(guān)頻率較高。IGBT模塊可達(dá)30KHZ左右,IGBT單管開關(guān)頻率更高,達(dá)50...
GBT是一種電壓控制的電力三極管,你可以看作是一個(gè)高功率版本的CMOS管。特點(diǎn)是開關(guān)頻率高,家庭方面的主要應(yīng)用比如變頻空調(diào)、電磁爐,微波爐,還有就是電腦...
米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動(dòng)過程中非常顯著?;陂T極G與集電極C之間的耦合,在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt,這樣會(huì)引發(fā)門極VGE間電壓升高...
2019-02-04 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 4.0萬 0
場效應(yīng)管和IGBT的區(qū)別,IGBT所有型號(hào)大全
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)...
2017-05-14 標(biāo)簽:電阻場效應(yīng)管igbt 3.9萬 0
在大多數(shù)情況下,IGBT模塊的引腳通常會(huì)以標(biāo)號(hào)或文字標(biāo)識(shí)進(jìn)行標(biāo)記。以下是常見的IGBT模塊引腳標(biāo)記: 1. 柵極(Gate):通常標(biāo)記為G,也可能...
IGBT應(yīng)用電子電路設(shè)計(jì)圖集錦 —電路圖天天讀(189)
IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT和MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,它既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng),控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),又有...
2015-06-25 標(biāo)簽:逆變器IGBT驅(qū)動(dòng)電路 3.8萬 0
對(duì)SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹
眾所周知,SiC材料的特性和優(yōu)勢已被大規(guī)模地證實(shí),它被認(rèn)為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關(guān)心的重點(diǎn)之一...
一文解讀IGBT驅(qū)動(dòng)關(guān)鍵技術(shù)及過流和短路保護(hù)
為解決中、大功率等級(jí)IGBT的可靠驅(qū)動(dòng)問題,本文提出了驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計(jì)方案。同時(shí),在變流器極端工況下研究了IGBT的相關(guān)特性,提出了極端工況IGB...
IGBT基本結(jié)構(gòu)和原理_IGBT設(shè)計(jì)關(guān)鍵因素
因?yàn)樽罱ぷ髦斜容^多的涉及到IGBT,所以今天我們來聊一聊IGBT的設(shè)計(jì)的相關(guān)要點(diǎn),當(dāng)然只是從我們比較關(guān)心的幾點(diǎn)出發(fā),概括性地來說一說。而沒有深入到物理...
IGBT與MOSFET不同,內(nèi)部沒有寄生的反向二極管,因此在實(shí)際使用中(感性負(fù)載)需要搭配適當(dāng)?shù)目旎謴?fù)二極管。
2023-03-24 標(biāo)簽:MOSFETIGBT快恢復(fù)二極管 3.5萬 2
一般,我們是通過閱讀器件廠商提供的datasheet來了解一個(gè)器件的參數(shù)特性,但是datasheet中所描述的參數(shù)是在特定的外部參數(shù)條件測試得來的,因此...
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