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      標(biāo)簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1256人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3169個 瀏覽：258971次 帖子：484個

      igbt技術(shù)

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      本文首先介紹了IGBT的概念與結(jié)構(gòu)，其次對IGB模塊原理電路進(jìn)行了分析以及介紹了變頻器IGBT模塊常見故障處理，最后介紹了變頻器IGBT模塊檢測方法以及...

      2018-05-22 標(biāo)簽：變頻器IGBT 1.0萬 0

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      IGBT——絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，顧名思義，是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 ...

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      　IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和雙極型晶體管的特性。

      2024-02-06 標(biāo)簽：二極管MOSFETIGBT 1.0萬 0

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      2023-03-02 標(biāo)簽：PWMIGBT晶體管 1.0萬 0

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      2023-02-22 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1.0萬 0

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      2019-01-16 標(biāo)簽：驅(qū)動器IGBT 1.0萬 0

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      IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）擊穿短路的原因是一個復(fù)雜且多元的問題，涉及多個因素相互作用。以下是對IGBT擊穿短路原因的詳細(xì)分析，旨在達(dá)到1000字的要求。

      2024-02-06 標(biāo)簽：IGBT晶體管電源電壓 1.0萬 0

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      　IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和FWD（續(xù)流二極管）通過特定的電路橋封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于逆變器、U...

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      如何計算IGBT驅(qū)動電流及驅(qū)動功率？

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      IGBT基礎(chǔ)知識：IGBT工作原理/優(yōu)缺點/選型/應(yīng)用

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      2023-02-14 標(biāo)簽：三極管場效應(yīng)管IGBT 9.8k 0

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      • TMS320F28335
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      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
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