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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差,引發(fā)鍵合線與芯片連接部位應(yīng)力集中,鍵合脆斷
一、引言 在 IGBT 模塊散熱系統(tǒng)中,封裝底部與散熱器的貼合狀態(tài)直接影響熱傳導(dǎo)效率。研究發(fā)現(xiàn),貼合面平整度差不僅導(dǎo)致散熱性能下降,還會(huì)通過力學(xué)傳遞路徑...
IGBT 芯片平整度差,引發(fā)鍵合線與芯片連接部位應(yīng)力集中,鍵合失效
一、引言 在 IGBT 模塊的可靠性研究中,鍵合線失效是導(dǎo)致器件性能退化的重要因素。研究發(fā)現(xiàn),芯片表面平整度與鍵合線連接可靠性存在緊密關(guān)聯(lián)。當(dāng)芯片表面平...
IGBT 模塊接觸熱阻增大與芯片表面平整度差關(guān)聯(lián)性
一、引言 IGBT 模塊在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛,其散熱性能直接關(guān)系到系統(tǒng)的可靠性與穩(wěn)定性。接觸熱阻作為影響 IGBT 模塊散熱的關(guān)鍵因素,受到諸多...
傾佳電子力推國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊的“硬剛”之路與“徹底替代IGBT模塊”戰(zhàn)略分析
傾佳電子力推國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊的“硬剛”之路與“徹底替代IGBT模塊”戰(zhàn)略分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連...
2025年8月26-28日,深圳國(guó)際電子展(ELEXCON 2025) 在深圳會(huì)展中心(福田)盛大舉行。本屆展會(huì)以 “All for AI, All f...
日前,深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“基本半導(dǎo)體”)與東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“東芝電子元件”)正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。通過將雙方擁...
電力電子應(yīng)用中IGBT模塊向SiC模塊的技術(shù)升級(jí)與應(yīng)用策略
電力電子應(yīng)用中IGBT模塊向SiC模塊的技術(shù)升級(jí)與應(yīng)用策略 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服...
宏微科技亮相2025全球xEV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)技術(shù)暨產(chǎn)業(yè)大會(huì)
2025年8月27至28日,第五屆全球xEV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)技術(shù)暨產(chǎn)業(yè)大會(huì)在上海松江成功舉辦。作為國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),宏微科技受邀參會(huì),并集中展示了其...
IGBT 芯片表面平整度差會(huì)使芯片與散熱器之間的接觸面積減小、接觸熱阻增大
在 IGBT 器件的熱管理系統(tǒng)中,芯片表面平整度是影響散熱效率的關(guān)鍵參數(shù)。當(dāng) IGBT 芯片表面存在平整度差時(shí),會(huì)直接導(dǎo)致芯片與散熱器之間的實(shí)際接觸面積...
IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差會(huì)使 IGBT 芯片受到不均勻的機(jī)械應(yīng)力
IGBT 作為功率半導(dǎo)體器件,其封裝結(jié)構(gòu)的機(jī)械可靠性對(duì)器件性能至關(guān)重要。IGBT 封裝底部與散熱器貼合面的平整度是影響封裝機(jī)械應(yīng)力分布的關(guān)鍵因素,當(dāng)貼合...
數(shù)明半導(dǎo)體推出SiLM22xx系列半橋門極驅(qū)動(dòng)器
數(shù)明半導(dǎo)體即將推出 SiLM2234、SiLM2206 和 SiLM2207 三款 600V、290mA/600mA 半橋門極驅(qū)動(dòng)換新系列產(chǎn)品。
IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差與 IGBT 的短路失效機(jī)理相關(guān)性
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為電力電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵器件,其可靠性至關(guān)重要。IGBT 在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量熱量,需通過散熱器有效散熱,以維持正常工作溫度...
IGBT 芯片表面平整度差與 IGBT 的短路失效機(jī)理相關(guān)性
一、引言 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為電力電子領(lǐng)域的核心器件,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)等關(guān)鍵領(lǐng)域。短路失效是 IGBT 最嚴(yán)重的失效模式之一...
62mm SiC MOSFET功率模塊:電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊的深度分析報(bào)告
62mm封裝作為高功率工業(yè)應(yīng)用中的一個(gè)長(zhǎng)期標(biāo)準(zhǔn),其歷史淵源深植于IGBT技術(shù)。這一通用且堅(jiān)固的封裝平臺(tái),長(zhǎng)期以來一直是工業(yè)變流器、UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和輔助...
陸芯科技正式推出1200V50A GEN3 IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為YGW50N120TMA1。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺(tái),P...
飛虹半導(dǎo)體亮相2025廣州國(guó)際太陽(yáng)能光伏儲(chǔ)能展
2025年8月8日至10日,第17屆廣州國(guó)際太陽(yáng)能光伏儲(chǔ)能展(2025世界太陽(yáng)能光伏暨儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì))在廣州·中國(guó)進(jìn)出口商品交易會(huì)展館B區(qū)成功舉辦。
華大半導(dǎo)體卓越工程師講堂制造系列專場(chǎng)回顧
近期,華大半導(dǎo)體卓越工程師講堂聯(lián)合所投資企業(yè)積塔半導(dǎo)體、中電智能卡和中電化合物等,聚焦“集成電路制造技術(shù)交流與工程協(xié)同實(shí)踐”,帶來集成電路特色工藝、材料...
2025-08-15 標(biāo)簽:集成電路IGBT華大半導(dǎo)體 1.5k 0
中微愛芯推出低側(cè)單通道柵極驅(qū)動(dòng)電路AiP44273L
AiP44273L是一款低側(cè)單通道的柵極驅(qū)動(dòng)電路。該電路主要用于驅(qū)動(dòng)低壓功率MODFET和IGBT。輸入兼容CMOS和TTL電平,輸入電壓范圍能兼容-5...
2025-08-13 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路 1.6k 0
霍爾電流傳感器在新能源車IGBT模塊的設(shè)計(jì):高效能與可靠性的關(guān)鍵技術(shù)
? 在新能源汽車的核心電驅(qū)系統(tǒng)中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊承擔(dān)著控制電機(jī)能量轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵角色。? ?如何準(zhǔn)確、實(shí)時(shí)地監(jiān)測(cè)流經(jīng)IGBT模塊的大電流...
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