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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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MOT (仁懋) MBR20200F 肖特基整流二極管技術(shù)全解析
在開關(guān)電源、高頻逆變器等電力電子設(shè)備中,肖特基整流二極管的性能直接影響系統(tǒng)能效與穩(wěn)定性。MOT(仁懋)推出的MBR10150F作為10A級別肖特基整流器...
從適配到超越:ZK100G200B替代IRFB4110PBF的全場景解決方案
IRFB4110PBF作為安森美等國際品牌的經(jīng)典N溝道功率MOSFET,長期以來憑借100V耐壓、180A電流的性能,成為工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源車載低壓系...
2025-10-20 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 72 0
中低壓MOS管:功率電子領(lǐng)域的“高效開關(guān)”核心
在電力電子系統(tǒng)中,從手機(jī)充電器到工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng),從智能家居設(shè)備到新能源汽車低壓輔助系統(tǒng),都離不開一款關(guān)鍵器件——中低壓MOS管。作為電壓等級在100V及以...
2025-10-20 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 137 0
ZG6288A-G:解密高性能集成驅(qū)動(dòng)芯片的技術(shù)內(nèi)核與應(yīng)用價(jià)值
在功率電子與嵌入式控制領(lǐng)域,芯片型號的細(xì)微后綴往往承載著關(guān)鍵性能升級。ZG6288A-G作為一款標(biāo)注特殊后綴的集成化芯片,從命名體系推測,其大概率是ZG...
2025-10-17 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 111 0
中科微電ZG2131:300V驅(qū)動(dòng)芯片國產(chǎn)化替代的實(shí)戰(zhàn)樣本
中科微電ZG2131的崛起,標(biāo)志著國產(chǎn)驅(qū)動(dòng)芯片從“可替代”向“優(yōu)替代”的跨越。它不僅打破了進(jìn)口芯片的市場壟斷,更重塑了行業(yè)對國產(chǎn)芯片的認(rèn)知——國產(chǎn)器件不...
2025-10-17 標(biāo)簽:電子元器件驅(qū)動(dòng)MOS 78 0
中科微電ZG6287A:高效能電子系統(tǒng)的“隱形調(diào)控中樞”
盡管ZG6287A的完整參數(shù)尚未公開,但其承載的中科微電技術(shù)基因已勾勒出“高效、可靠、多場景適配”的產(chǎn)品畫像。在電子系統(tǒng)對電能調(diào)控要求日益嚴(yán)苛的今天,這...
2025-10-16 標(biāo)簽:電子元器件MOSFET場效應(yīng)管 165 0
普誠PT5139:中低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的“兼容型利器”
隨著中國工業(yè)自動(dòng)化、消費(fèi)電子市場的持續(xù)增長,對中低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC的需求將進(jìn)一步擴(kuò)大。普誠PT5139憑借技術(shù)適配性、場景靈活性與成本優(yōu)勢,正成為連接芯片...
2025-10-15 標(biāo)簽:電子元器件驅(qū)動(dòng)MOS 72 0
中科微電ZK100G200P:100V大電流MOS管的性能突破與場景革命
在功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化浪潮中,ZK100G200P憑借“性能對標(biāo)進(jìn)口、成本更具優(yōu)勢”的特點(diǎn),成為打破國際品牌壟斷的關(guān)鍵力量。其100V/205A參數(shù)組合、S...
2025-10-15 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 179 0
100V/245A大功率突破!中科微電ZK100G245TL SGT MOS管重塑工業(yè)電源效率
這款產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著中科微電在中低壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)趕超。其“低損耗+高可靠+高性價(jià)比”的組合,打破國外品牌在大功率MOS管市場的壟斷,推動(dòng)工業(yè)...
2025-10-15 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 231 0
大功率場景的能效標(biāo)桿:中科微電MOS管ZK100G325TL技術(shù)解析
中科微電ZK100G325TL以SGT工藝突破損耗瓶頸,用TOLL封裝破解體積與散熱矛盾,通過100V/411A的參數(shù)組合精準(zhǔn)切入工業(yè)驅(qū)動(dòng)、新能源快充、...
2025-10-14 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 351 0
SGT工藝賦能的功率核心:中科微電MOS管ZK150G09P深度解析
中科微電ZK150G09P以SGT工藝為核心,通過低損耗、高可靠、易集成的特性組合,為中大功率電子設(shè)備提供了高性能的國產(chǎn)解決方案。從工業(yè)電機(jī)的高效驅(qū)動(dòng)到...
2025-10-14 標(biāo)簽:電子元器件MOS半橋驅(qū)動(dòng) 364 0
新潔能NCE55P30K:讓空氣檢測儀“芯”動(dòng),守護(hù)每一次呼吸
在當(dāng)今環(huán)保意識日益增強(qiáng)的時(shí)代,空氣質(zhì)量的優(yōu)劣直接關(guān)系到人們的健康與生活質(zhì)量。空氣檢測儀作為監(jiān)測空氣質(zhì)量的關(guān)鍵設(shè)備,其性能的優(yōu)劣至關(guān)重要。而新潔能NCE5...
中科微電mos管ZK60N80T:一款高性能Trench MOSFET的技術(shù)解析與應(yīng)用展望
在電力電子領(lǐng)域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為核心功率器件,其性能直接決定了各類電子設(shè)備的效率、可靠性與小型化水平。ZK6...
2025-10-13 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS半橋驅(qū)動(dòng) 412 0
普誠PT2432與PT2432C:同系列功率MOS管的場景適配與性能升級
作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的同系列產(chǎn)品,PT2432 與 PT2432C 雖共享核心技術(shù)架構(gòu),卻在參數(shù)細(xì)節(jié)與場景適配性上形成互補(bǔ),精準(zhǔn)覆蓋不同功率控制需求。
2025-10-11 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 152 0
“芯”助力健康監(jiān)測:新潔能NCE6050A如何點(diǎn)亮血壓檢測儀的精準(zhǔn)信號
在當(dāng)今數(shù)字化醫(yī)療蓬勃發(fā)展的時(shí)代,精準(zhǔn)的健康監(jiān)測設(shè)備成為守護(hù)人們健康的堅(jiān)實(shí)防線。而血壓檢測儀作為其中的關(guān)鍵一環(huán),其精準(zhǔn)度直接關(guān)系到人們對自身健康狀況的判斷...
2025-10-10 標(biāo)簽:MOS監(jiān)測設(shè)備血壓檢測儀 390 0
基于仁懋MOSFET的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路:柵極電阻選型與VGS波形優(yōu)化
PART01柵極電阻在MOSFET驅(qū)動(dòng)中的核心作用在直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,MOSFET作為功率開關(guān)器件,其柵極與源極之間存在等效電容(Ciss=Cgd+C...
TLC556 15V 雙 LinCMOS 定時(shí)器技術(shù)手冊
TLC556 系列是采用 TI LinCMOS? 工藝制造的單片定時(shí)電路,可與 CMOS、TTL 和 MOS 邏輯完全兼容,工作頻率高達(dá) 2MHz。由于...
TLC556M 低功耗雙通道 LinCMOS? 定時(shí)器技術(shù)手冊
TLC556 系列是采用 TI LinCMOS? 工藝制造的單片定時(shí)電路,可與 CMOS、TTL 和 MOS 邏輯完全兼容,工作頻率高達(dá) 2MHz。由于...
?TLC3555-Q1 汽車級高速CMOS定時(shí)器技術(shù)文檔總結(jié)
TLC3555-Q1 是一款采用 TI CMOS 工藝制造的單片定時(shí)電路。該定時(shí)器與CMOS、TTL和MOS邏輯完全兼容,工作頻率高達(dá)3MHz甚至更高。...
教科書上沒講清楚的MOS管開關(guān)重點(diǎn)今天全交代 MOS管開關(guān)的過程解析
MOS管??梢哉f,幾乎所有的電子設(shè)備都離不開這個(gè)它。雖然它看起來原理簡單,但實(shí)際工作起來卻暗藏玄機(jī)。特別是它的開關(guān)過程,平時(shí)用著沒事,一旦出問題往往很多...
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