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標(biāo)簽 > mot
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隨著復(fù)雜性和密度的逐漸提高,射頻/微波電路組件的長(zhǎng)期可靠性變得更加難以表征。印刷電路板(PCBs)包含許多有源和無(wú)源部件,其性能會(huì)隨時(shí)間和工作環(huán)境溫度等...
MOT仁懋MOSFET在電動(dòng)工具上的應(yīng)用
在現(xiàn)代生活中,手持電動(dòng)工具以其便捷、高效的特點(diǎn),成為了家庭DIY愛(ài)好者與專業(yè)工匠不可或缺的得力助手。從精致的樹(shù)墻修剪機(jī)到強(qiáng)勁的吹葉機(jī),再到精準(zhǔn)的電鋸與角...
2024-08-02 標(biāo)簽:MOSFETMOT電動(dòng)工具 2k 0
開(kāi)普勒在試圖向人們解釋為什么彗星在進(jìn)入太陽(yáng)系時(shí)它的尾部總是指向背離太陽(yáng)的方向,早在1619年他就提出光是有力學(xué)作用的。
3D點(diǎn)云目標(biāo)跟蹤中常見(jiàn)的評(píng)價(jià)指標(biāo)和代碼詳解
3D點(diǎn)云目標(biāo)跟蹤的評(píng)價(jià)指標(biāo),可以根據(jù)跟蹤的目標(biāo)是單個(gè)還是多個(gè),分為單目標(biāo)跟蹤(SOT)和多目標(biāo)跟蹤(MOT)兩種。一般來(lái)說(shuō),SOT的評(píng)價(jià)指標(biāo)主要關(guān)注跟蹤...
2023-08-02 標(biāo)簽:MOT目標(biāo)跟蹤SOT 1.8k 0
利用TRansformer進(jìn)行端到端的目標(biāo)檢測(cè)及跟蹤
多目標(biāo)跟蹤(MOT)任務(wù)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)是跟蹤目標(biāo)下的時(shí)間建?!,F(xiàn)存的用檢測(cè)跟蹤的方法采用簡(jiǎn)單的heuristics,如空間或外觀相似性。
分子的激光冷卻和捕獲是實(shí)現(xiàn)分子量子氣體和探索量子多體物理的重要步驟。
仁懋MOT9166T產(chǎn)品特點(diǎn)及應(yīng)用
仁懋產(chǎn)品T9166T特點(diǎn)低導(dǎo)通阻抗Rds(on):6.7(type)內(nèi)置體二極管反向恢復(fù)時(shí)間148ns超低反向電容Crss低至346pf@40V高浪涌能...
在30kW級(jí)工業(yè)電源、60kW直流快充樁等大功率電力電子場(chǎng)景中,MOSFET的電流承載能力與功率密度直接決定系統(tǒng)集成效率。MOT(仁懋)推出的MOT11...
MOT1514J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析
一、產(chǎn)品概述MOT1514J是仁懋電子(MOT)推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝,聚焦計(jì)算設(shè)備電源管理、快速/無(wú)線充...
在400V以上高壓工業(yè)電源、100kW級(jí)新能源逆變器等場(chǎng)景中,MOSFET的反向耐壓能力與低損耗特性直接決定系統(tǒng)安全性與能效。MOT(仁懋)推出的MOT...
在12V/24V工業(yè)電源、低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)等中功率電力電子場(chǎng)景中,MOSFET的導(dǎo)通損耗與電流承載能力直接影響系統(tǒng)能效與穩(wěn)定性。MOT(仁懋)推出的MOT1...
MOT (仁懋) MBR2045A 技術(shù)全解析:20A/45V 低壓肖特基整流二極管的高效應(yīng)用方案
在低壓開(kāi)關(guān)電源、電池充電模塊等對(duì)導(dǎo)通損耗敏感的場(chǎng)景中,肖特基二極管的正向壓降與電流承載能力直接決定系統(tǒng)能效。MOT(仁懋)推出的MBR2045A肖特基整...
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