SiC MOSFET

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浮思特|SiC MOSFET與普通MOSFET的區(qū)別及應(yīng)用分析

在現(xiàn)代功率電子技術(shù)中，MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是不可或缺的關(guān)鍵組件。它廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、逆變器、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。而隨著功率需求和系統(tǒng)效率的不斷提高...

2025-09-04 標(biāo)簽：MOSFET SiC SiC MOSFET 323 0

浮思特 | 為什么新能源離不開(kāi)碳化硅?聊聊至信微的 SiC MOSFET 模塊

大家可能經(jīng)常聽(tīng)到這樣一句話：“碳化硅(SiC)正在改變電力電子行業(yè)。”那么，為什么一塊小小的半導(dǎo)體器件，能讓電動(dòng)車跑得更遠(yuǎn)，光伏逆變器更高效，甚至讓充電...

2025-08-29 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 SiC MOSFET 339 0

AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容HU3PAK封裝的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容 HU3PAK封裝的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域的深度分析：一、T2PAK-7兼容HU3PAK封...

2025-08-10 標(biāo)簽：封裝 SiC MOSFET AB3M040065C 860 0

SiC MOSFET在三相四橋臂變換器中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

由于第四橋臂的引入，對(duì)比三相三橋臂變換器，負(fù)載相電壓的電平數(shù)從五個(gè)(±2Udc/3,±1Udc/3,0)降低到三個(gè)(±Udc,0)，因此自然的，相同電路...

2025-07-14 標(biāo)簽：電流變換器 SiC MOSFET 577 0

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)（七）——自舉電源在5kW交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱PFC應(yīng)用

隨著功率半導(dǎo)體IGBT，SiCMOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)化，電平位移驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用場(chǎng)景越來(lái)越廣，電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200...

2025-03-24 標(biāo)簽：電源電路設(shè)計(jì)PFC 7.6k 0

SiC MOSFET在3-kW LLC變換器設(shè)計(jì)中的優(yōu)勢(shì)

使用寬帶隙半導(dǎo)體材料(如碳化硅或氮化鎵)制造的電源開(kāi)關(guān)現(xiàn)在在電力變換器中得到了廣泛應(yīng)用。SiC晶體管的高速開(kāi)關(guān)特性以及低反向恢復(fù)電荷，或氮化鎵HEMT的...

2025-03-21 標(biāo)簽：電源開(kāi)關(guān)LLC變換器 SiC MOSFET 629 0

案例探討正電壓浪涌的對(duì)策和其效果

為了驗(yàn)證抑制電路的效果，將抑制電路單獨(dú)安裝在SiC MOSFET（SCT3040KR）的驅(qū)動(dòng)電路上并觀察了其波形。下面是所用SiC MOSFET的外觀和...

2024-01-26 標(biāo)簽：電容器驅(qū)動(dòng)電路電壓浪涌 996 0

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

2023-12-07 標(biāo)簽：SiC MOSFET 1k 0

SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討

2023-12-05 標(biāo)簽：SiC 驅(qū)動(dòng)電壓 SiC MOSFET 3.4k 0

芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品

芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測(cè)和絕緣監(jiān)測(cè)。該應(yīng)用場(chǎng)景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之...

2023-08-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC MOSFET 1k 0

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麥科信光隔離探頭在碳化硅（SiC）MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用

標(biāo)簽：SiC MOSFET 988 0

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SiC MOSFET并聯(lián)均流及串?dāng)_抑制驅(qū)動(dòng)電路的研究立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2025-08-18 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路 SiC MOSFET 432 0

1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表立即下載

類別：電子資料 2024-01-03 標(biāo)簽：Nexperia SiC MOSFET 375 0

NSF040L3A0：1200伏，40米?,NN溝道SiC MOSFET應(yīng)用指南立即下載

類別：電子資料 2023-12-19 標(biāo)簽：SiC MOSFET 318 0

NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET一般說(shuō)明立即下載

類別：電子資料 2023-12-19 標(biāo)簽：SiC MOSFET 283 0

用于直流變換器的SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2023-11-30 標(biāo)簽：直流變換器驅(qū)動(dòng)電路 SiC MOSFET 500 0

基于SiC MOSFET的精確分析模型立即下載

類別：電源技術(shù) 2018-03-13 標(biāo)簽：SiC MOSFET 1.7k 0

SiC MOSFET與SiC SBD換流單元瞬態(tài)模型立即下載

類別：電工論文網(wǎng) 2018-02-01 標(biāo)簽：SiC MOSFET 1k 0

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基本半導(dǎo)體650V與750V SiC MOSFET深度分析：產(chǎn)品實(shí)力、應(yīng)用價(jià)值與競(jìng)爭(zhēng)定位

傾佳電子代理并力推的基本半導(dǎo)體650V與750V SiC MOSFET深度分析：產(chǎn)品實(shí)力、應(yīng)用價(jià)值與競(jìng)爭(zhēng)定位傾佳電子（Changer Tech）是一家...

2025-10-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體定位 SiC MOSFET 54 0

固態(tài)繼任：傾佳電子SiC MOSFET為何是現(xiàn)代電力系統(tǒng)中機(jī)械繼電器的理想替代品的分析報(bào)告

固態(tài)繼任：傾佳電子SiC MOSFET為何是現(xiàn)代電力系統(tǒng)中機(jī)械繼電器的理想替代品的分析報(bào)告傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和...

2025-10-19 標(biāo)簽：繼電器電力系統(tǒng)SiC 32 0

傾佳電子單相戶用儲(chǔ)能逆變器中Heric拓?fù)涞木C合分析及其SiC MOSFET應(yīng)用價(jià)值

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2025-10-11 標(biāo)簽：逆變器 APF SiC MOSFET 1.1k 0

傾佳電子商用電磁加熱技術(shù)革命：基本半導(dǎo)體34mm SiC MOSFET模塊加速取代傳統(tǒng)IGBT模塊

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2025-10-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC MOSFET 505 0

傾佳電子技術(shù)報(bào)告：大功率礦機(jī)算力電源的拓?fù)浼軜?gòu)、SiC MOSFET應(yīng)用及其發(fā)展趨勢(shì)

傾佳電子技術(shù)報(bào)告：大功率礦機(jī)算力電源的拓?fù)浼軜?gòu)、SiC MOSFET應(yīng)用及其發(fā)展趨勢(shì) 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源...

2025-09-28 標(biāo)簽：電源 SiC MOSFET 算力 276 0

傾佳電力電子設(shè)備高壓輔助電源拓?fù)?、器件選型與1700V SiC MOSFET技術(shù)分析報(bào)告

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2025-10-14 標(biāo)簽：電力電子電源拓?fù)?/a>SiC MOSFET 203 0

傾佳電子寬禁帶時(shí)代下的效率優(yōu)化：SiC MOSFET橋式拓?fù)渲型秸骷夹g(shù)的必然性與精確定量分析

傾佳電子寬禁帶時(shí)代下的效率優(yōu)化：SiC MOSFET橋式拓?fù)渲型秸骷夹g(shù)的必然性與精確定量分析 ? ? ? ? 傾佳電子（Changer Tech）是...

2025-10-14 標(biāo)簽：同步整流 SiC MOSFET 361 0

數(shù)明半導(dǎo)體發(fā)布高UVLO系列隔離門極驅(qū)動(dòng)器：SiLM8260Ax/ SiLM5350x/ SiLM825x，提升系統(tǒng)長(zhǎng)期可靠性

SiC MOSFET 功率器件廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車和能源行業(yè)，如變頻器、光伏逆變器、車載充電器、牽引逆變器等。為實(shí)現(xiàn)最佳功率轉(zhuǎn)換效率，SiC MOSFE...

2025-09-26 標(biāo)簽：功率器件 SiC MOSFET 門極驅(qū)動(dòng)器 3.6萬(wàn) 0

傾佳電子Home Battery Storage家儲(chǔ)系統(tǒng)拓?fù)浞桨冈O(shè)計(jì)與分析報(bào)告

傾佳電子Home Battery Storage家儲(chǔ)系統(tǒng)拓?fù)浞桨冈O(shè)計(jì)與分析報(bào)告 ? 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽...

2025-09-21 標(biāo)簽：功率器件儲(chǔ)能系統(tǒng)SiC MOSFET 438 0

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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