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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。

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sram技術(shù)

利用MAX114與SRAM及CPLD器件實(shí)現(xiàn)EPP模式數(shù)據(jù)采集接口的設(shè)計(jì)

數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，通過微機(jī)COM端口的RS-232串行通訊及通過微機(jī)并行端口的并行通訊具有開發(fā)使用方便的特點(diǎn)，前者可與工作于11.0592MHz晶振下的8...

2020-04-08 標(biāo)簽：cpld sram 數(shù)據(jù)采集 1.1k 0

同步FIFO設(shè)計(jì)分析

模塊雖小但是要有新意，首先寫一個同步FIFO，這是一個爛大街的入門級項(xiàng)目，但是我肯定不會寫的那么簡單

2023-09-11 標(biāo)簽：寄存器 sram fifo 1.1k 0

使用低功耗組件的高功率非電池供電系統(tǒng)如何有益

Microchip在Microchip PolarFire SoC和基于SRAM的競爭性FPGA SoC上實(shí)現(xiàn)了相同的設(shè)計(jì)。在這兩款器件上，使用供應(yīng)商特...

2023-05-06 標(biāo)簽：fpga sram soc 1.1k 0

海速芯TM52F1363單片機(jī)在智能電熱杯中的應(yīng)用

電熱杯加熱水主要是通過底部的發(fā)熱管起作用的，電熱杯底部發(fā)熱管通電后，內(nèi)部的電阻絲會產(chǎn)生熱量，并將熱量傳遞到杯身，從而對杯內(nèi)的水進(jìn)行加熱，當(dāng)水加熱沸騰時，...

2023-07-06 標(biāo)簽：單片機(jī)mcu 驅(qū)動器 1.1k 0

如何在電源故障期間保存數(shù)據(jù)而不會損壞數(shù)據(jù)

對于許多需要非易失性存儲器的存儲器系統(tǒng)，達(dá)拉斯半導(dǎo)體NV SRAM提供了SRAM的易于實(shí)施性，以及寫保護(hù)電路和10年的信息存儲能力。NV SRAM在檢測...

2023-01-11 標(biāo)簽：電源處理器 sram 1k 0

怎樣設(shè)計(jì)一個同步FIFO？（3）

我們說這個結(jié)構(gòu)之所以使得FIFO的輸出Q在讀完SRAM之后保持穩(wěn)定，其實(shí)需要SRAM本身可以保持RDATA在讀操作之后的多個周期保持穩(wěn)定。即SRAM本身...

2023-05-04 標(biāo)簽：sram fifo 1k 0

C語言指針存在SRAM里面嗎

應(yīng)該有可以回答的上來的，但是大部分應(yīng)該是回答不上來。標(biāo)題的回答也不對。計(jì)算機(jī)內(nèi)存里面分這么幾種數(shù)據(jù) 存在SRAM里面，嗯？內(nèi)存？對也不對，大家覺得內(nèi)存...

2024-06-04 標(biāo)簽：sram 計(jì)算機(jī)內(nèi)存 1k 0

國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在可移動數(shù)據(jù)采集器中的應(yīng)用方案

在數(shù)據(jù)采集中，某些變化緩慢的直流信號，需要長時間監(jiān)測記錄信號變化;用性能可靠的移動存儲器接在工作現(xiàn)場進(jìn)行數(shù)據(jù)自動記錄采集，待采集完成后取回并接到計(jì)算機(jī)讀...

2023-06-15 標(biāo)簽：存儲器 sram 數(shù)據(jù)采集 1k 0

基于32位RISC-V CPU架構(gòu)的Trikarenos微控制器

研究人員解釋說，針對太空條件的常見對策通常依賴于專有的抗輻射技術(shù)、低密度制造節(jié)點(diǎn)和廣泛的復(fù)制。這些因素導(dǎo)致成本高、性能和效率低。Trikarenos 旨...

2023-10-09 標(biāo)簽：微控制器芯片 sram 1k 0

簡述FPGA執(zhí)行方式

FPGA是一種數(shù)字集成電路芯片，名稱為“現(xiàn)場可編程邏輯門陣列”FPGA的一項(xiàng)重要特點(diǎn)是其可編程特性，即用戶可通過程序指定FPGA實(shí)現(xiàn)某一特定數(shù)字電路，F(xiàn)...

2023-03-21 標(biāo)簽：fpga sram 集成電路芯片 999 0

設(shè)計(jì)安全關(guān)鍵型嵌入式系統(tǒng)：在運(yùn)行時檢測SRAM故障的挑戰(zhàn)

本文介紹了SRAM的邏輯和物理布局之間未記錄的差異如何導(dǎo)致我們無意中錯誤地實(shí)現(xiàn)內(nèi)存測試，例如棋盤算法。標(biāo)準(zhǔn)微控制器的數(shù)據(jù)表中通常沒有必要的信息，但幸運(yùn)的...

2022-10-24 標(biāo)簽：嵌入式存儲器 sram 983 0

英特爾Clearwater Forest系列突破高核心數(shù)服務(wù)器CPU

在封裝方面，英特爾表示，對于Clearwater Forest，將使用其他工藝節(jié)點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)SRAM和I/O，因?yàn)檫@些節(jié)點(diǎn)在較新的工藝上無法很好地?cái)U(kuò)展。

2024-03-01 標(biāo)簽：英特爾 cpu sram 973 0

通過FPGA和芯片實(shí)現(xiàn)視頻處理的電路設(shè)計(jì)

圖像是用各種觀測系統(tǒng)以不同形式和手段觀測客觀世界而獲得的，可以直接或間接作用于人眼進(jìn)而產(chǎn)生視知覺的實(shí)體。

2022-07-22 標(biāo)簽：fpga 芯片 sram 961 0

深入解析Cache在AI處理器設(shè)計(jì)中的作用機(jī)制

最快的存儲器類型是SRAM，但每個SRAM單元需要六個晶體管，因此SRAM在SoC內(nèi)部很少使用，因?yàn)樗鼤拇罅康目臻g和功率。

2024-03-25 標(biāo)簽：集成電路存儲器 sram 956 0

ChatGPT在邊緣設(shè)備的應(yīng)用探索

這要求在更接近數(shù)據(jù)源的地方大幅提高性能，但仍然只能使用非常少的功耗，并且價格便宜。雖然訓(xùn)練將繼續(xù)在云中進(jìn)行，但長距離移動大量數(shù)據(jù)的成本很高，所以邊緣AI...

2024-04-07 標(biāo)簽：cpu sram AI 951 0

通過閃存微控制器即時增強(qiáng)性能

超高速微控制器（UHSM）是 5V、1 時鐘 8051，集成了閃存和 SRAM。這些UHSM可以進(jìn)入現(xiàn)有的8051應(yīng)用，并且只需很少或沒有努力，就可...

2023-03-02 標(biāo)簽：微控制器存儲器 sram 934 0

淺談人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)計(jì)算的內(nèi)存挑戰(zhàn)

CXL – CXL 提供了大幅擴(kuò)展內(nèi)存容量和提高帶寬的機(jī)會，同時還從處理器中抽象出內(nèi)存類型。通過這種方式，CXL 為整合新的內(nèi)存技術(shù)提供了一個很好的接口...

2023-09-25 標(biāo)簽：DRAM sram 內(nèi)存 849 0

8位MCU已近黃昏？

隨著時代的流逝，8/16位MCU可能會從市場上消失。

2023-03-02 標(biāo)簽：mcu 嵌入式 cpu 848 0

EDA探索之Intel集成電路工藝發(fā)展歷史

幾十年來，英特爾一直使用相同的命名方案。所有工藝技術(shù)（包括封裝技術(shù)）都以 "P "開頭，然后是晶圓尺寸和工藝 ID。一般來說，工藝 ...

2023-08-02 標(biāo)簽：集成電路 sram intel 797 0

DRAM和NAND的局限性未來如何使用量子計(jì)算

“憑借先進(jìn)的封裝技術(shù)，一些公司已經(jīng)在 CPU 上堆疊 SRAM，”Lee 說?！暗窃?3 級之后，我們可以有 4 級，一個額外的緩存層嗎？根據(jù)工作負(fù)載...

2023-02-19 標(biāo)簽：DRAM NAND cpu 790 0

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
LPDDR4

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合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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