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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。

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sram技術(shù)

GPU CUDA 編程的基本原理是什么

神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)能加速的有很多，當(dāng)然使用硬件加速是最可觀的了，而目前除了專用的NPU（神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速單元），就屬于GPU對神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速效果最好了

2024-03-05 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)gpu sram 1.5k 0

解決加密密鑰的物理安全性問題

Maxim的DS36xx系列安全監(jiān)控器具有從封裝設(shè)計(jì)到外部傳感器接口和內(nèi)部電路架構(gòu)等一系列特性，可為軍用電子設(shè)計(jì)工程師提供所有這些功能。具有此類功能的設(shè)...

2023-03-03 標(biāo)簽：傳感器存儲器 sram 1.5k 0

EMI7512NTMI串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器概述及特點(diǎn)

安徽偉凌創(chuàng)芯微電子有限責(zé)任公司是一家以市場為導(dǎo)向的無晶圓半導(dǎo)體公司。專注SRAM存儲、顯示驅(qū)動，接口轉(zhuǎn)換芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)及銷售。公司擁有國際知名設(shè) 計(jì)專家...

2022-04-28 標(biāo)簽：存儲器 sram 偉凌創(chuàng)芯 1.5k 0

如何區(qū)分SRAM與DRAM

今天就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。

2023-03-30 標(biāo)簽：cpu sram RAM 1.4k 0

介紹關(guān)于SRAM兩大問題挑戰(zhàn)

平面到FinFET的過渡對SRAM單元的布局效率有重大影響。使用FinFET逐漸縮小關(guān)鍵節(jié)距已導(dǎo)致SRAM單元尺寸的迅速減小。鑒于對更大的片上SRAM容...

2022-11-24 標(biāo)簽：CMOS 存儲器 sram 1.4k 0

電遷移導(dǎo)致半導(dǎo)體失效的機(jī)理探討

SRAM工藝的處理器是通過CMOS內(nèi)部管道切換的方式工作，其產(chǎn)品處理速度較高，被眾多用戶接受。但是，CMOS工藝有一個(gè)致命缺陷，由于工藝原因，伴隨CMO...

2024-02-29 標(biāo)簽：處理器 FPGA CMOS 1.4k 0

淺談FIFO設(shè)計(jì)思路

FIFO在設(shè)計(jì)是一個(gè)非常常見并且非常重要的模塊，很多公司有成熟的IP，所以一部分人并沒有人真正研究寫過FIFO，本文僅簡述FIFO中部分值得保留的設(shè)計(jì)思路。

2023-09-11 標(biāo)簽：寄存器 sram fifo 1.4k 0

非易失性SRAM DS1747

　　DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬

2010-09-28 標(biāo)簽：SRAM 非易失性 1.4k 0

基于SRAM的微控制器優(yōu)化了安全性

結(jié)果表明，非易失性（NV）SRAM是用于存儲安全數(shù)據(jù)的最安全的存儲器。通過使用 DES 或三重 DES 加密內(nèi)存，可以建立加密邊界，使安全信息不被黑客滲...

2023-03-01 標(biāo)簽：傳感器存儲器 sram 1.4k 0

一種基于SRAM型FPGA的實(shí)時(shí)容錯(cuò)自修復(fù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)概述

隨著航天技術(shù)的發(fā)展，空間任務(wù)日益復(fù)雜化、多樣化，未來航天系統(tǒng)對處理器的性能要求越來越高。在一些航天設(shè)備如星載 ATP 等系統(tǒng)的電子模塊設(shè)計(jì)中，基于 SR...

2019-11-19 標(biāo)簽：fpga sram 1.4k 0

MH32F103AVET6具有哪些基本特征呢

最高216MHz工作頻率，可達(dá)2.54DMips/MHz(CoreMark1.0)

2022-10-28 標(biāo)簽：存儲器 sram 定時(shí)器 1.4k 0

?F28E120SC/F28E120SB 微控制器技術(shù)文檔摘要

F28E12x 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列是可擴(kuò)展的超低延遲器件，專為提高電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的效率而設(shè)計(jì)。 [實(shí)時(shí)控制子系統(tǒng)](h...

2025-09-28 標(biāo)簽：微控制器 dsp 接口 1.3k 0

基于XL32F003 QFN封裝單片機(jī)開發(fā)電子煙解決方案

電子煙是一種通過霧化等手段，將含尼古丁的煙油等變成蒸汽的電子產(chǎn)品。主流的電子煙主要由三個(gè)部分組成

2023-12-12 標(biāo)簽：存儲器 sram QFN封裝 1.3k 0

為什么半導(dǎo)體行業(yè)試圖取代 FinFET？

納米片晶體管并不能拯救摩爾定律，也不能解決代工廠在最先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上面臨的所有挑戰(zhàn)。為了克服這些問題，代工廠正在尋求各種創(chuàng)新，例如背面供電（BSPD），以...

2024-01-22 標(biāo)簽：sram eda 晶體管 1.3k 0

深度嵌入式應(yīng)用程序的多核微控制器驅(qū)動性能

多媒體處理是一項(xiàng)要求很高的應(yīng)用，并且越來越多地在嵌入式層面得到解決，因此出現(xiàn)了 ADSP-BF561 等設(shè)備，以及最近飛思卡爾的i.MX6 系列。

2022-08-11 標(biāo)簽：mcu sram 數(shù)字信號控制器 1.3k 0

賽普拉斯的NV-SRAM接口解決方案

賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結(jié)合，可提供...

2024-01-09 標(biāo)簽：電容器控制器 sram 1.2k 0

基于SRAM的FPGA的問世標(biāo)志著現(xiàn)代可重構(gòu)技術(shù)的開端

由于數(shù)字邏輯系統(tǒng)功能復(fù)雜化的需求，單片系統(tǒng)的芯片正朝著超大規(guī)模、高密度的方向發(fā)展。對于一個(gè)大規(guī)模的數(shù)字系統(tǒng)而言，系統(tǒng)規(guī)模是基于各種邏輯功能模塊的組合。但...

2019-01-02 標(biāo)簽：FPGA SRAM 1.2k 0

SMT技術(shù)之CSP及無鉛技術(shù)

CSP的高效優(yōu)點(diǎn)體現(xiàn)在：用于板級組裝時(shí)，能夠跨出細(xì)間距（細(xì)至0.075mm）周邊封裝的界限，進(jìn)入較大間距（1，0.8，0.75，0.5，0.4mm）區(qū)域...

2023-10-17 標(biāo)簽：sram 微處理器 CSP 1.2k 0

FPGA上電加載時(shí)序介紹

目前，大多數(shù)FPGA芯片是基于 SRAM 的結(jié)構(gòu)的，而 SRAM 單元中的數(shù)據(jù)掉電就會丟失，因此系統(tǒng)上電后，必須要由配置電路將正確的配置數(shù)據(jù)加載到 S...

2022-10-24 標(biāo)簽：fpga sram JTAG 1.2k 0

這些新型存儲，有機(jī)會嗎？

在高層次上，計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)有幾個(gè)關(guān)鍵組件：CPU（由計(jì)算核心和互連組成）、內(nèi)存（由高速緩存、主內(nèi)存和硬盤驅(qū)動器組成）以及輸入和輸出硬件。雖然架構(gòu)的所有部...

2023-05-10 標(biāo)簽：存儲器 cpu sram 1.1k 0

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個(gè)好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
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