臺(tái)積電3nm工藝進(jìn)度超前 EUV工藝獲突破：直奔1nm
在ISSCC 2021國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上，臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德音公布了該公司的最新工藝進(jìn)展情況，指出3nm工藝超過(guò)預(yù)期，進(jìn)度將會(huì)提前。
不過(guò)劉德音沒(méi)有公布3nm工藝到底如何超前的，按照他們公布的信息，3nm工藝是今年下半年試產(chǎn)，2022年正式量產(chǎn)。
與三星在3nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)選擇GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝不同，臺(tái)積電的第一代3nm工藝比較保守，依然使用FinFET晶體管。
與5nm工藝相比，臺(tái)積電3nm工藝的晶體管密度提升70%，速度提升11%，或者功耗降低27%。
不論是5nm還是3nm工藝，甚至未來(lái)的2nm工藝，臺(tái)積電表示EUV光刻機(jī)的重要性越來(lái)越高，但是產(chǎn)能依然是EUV光刻的難題，而且能耗也很高。
劉德音提到，臺(tái)積電已經(jīng)EUV光源技術(shù)獲得突破，功率可達(dá)350W，不僅能支持5nm工藝，甚至未來(lái)可以用于1nm工藝。
按照臺(tái)積電提出的路線圖，他們認(rèn)為半導(dǎo)體工藝也會(huì)繼續(xù)遵守摩爾定律，2年升級(jí)一代新工藝，而10年則會(huì)有一次大的技術(shù)升級(jí)。
責(zé)任編輯：PSY
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
臺(tái)積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5780瀏覽量
173829 -
EUV
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
613瀏覽量
88265 -
3nm
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
236瀏覽量
14847
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
臺(tái)積電預(yù)計(jì)對(duì)3nm漲價(jià)！軟銀豪擲54億美元收購(gòu)ABB機(jī)器人部門(mén)/科技新聞點(diǎn)評(píng)
在十一黃金周和國(guó)慶假期后第一天工作日，科技圈接連發(fā)生三件大事：1、臺(tái)積電預(yù)計(jì)將對(duì)3nm實(shí)施漲價(jià)策略；2、日本巨頭軟銀宣布54億美元收購(gòu)ABB
臺(tái)積電2nm良率超 90%！蘋(píng)果等巨頭搶單
當(dāng)行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展時(shí)，臺(tái)積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門(mén)檻！據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道
臺(tái)積電2nm制程良率已超60%
，較三個(gè)月前技術(shù)驗(yàn)證階段實(shí)現(xiàn)顯著提升（此前驗(yàn)證階段的良率已經(jīng)可以到60%），預(yù)計(jì)年內(nèi)即可達(dá)成量產(chǎn)準(zhǔn)備。 值得關(guān)注的是，蘋(píng)果作為臺(tái)積電戰(zhàn)略合作伙伴，或?qū)⒙氏炔捎眠@一尖端制程。盡管廣發(fā)證券分析師Jeff Pu曾預(yù)測(cè)iPhone 18
手機(jī)芯片進(jìn)入2nm時(shí)代，首發(fā)不是蘋(píng)果？
積電2nm ? 根據(jù)以往進(jìn)度，蘋(píng)果將大概率成為臺(tái)積電
發(fā)表于 03-14 00:14
?2102次閱讀
英特爾18A與臺(tái)積電N2工藝各有千秋
TechInsights與SemiWiki近日聯(lián)合發(fā)布了對(duì)英特爾Intel 18A(1.8nm級(jí)別)和臺(tái)積電N2(2nm級(jí)別)
臺(tái)積電加大亞利桑那州廠投資，籌備量產(chǎn)3nm/2nm芯片
據(jù)最新消息，臺(tái)積電正計(jì)劃加大對(duì)美國(guó)亞利桑那州工廠的投資力度，旨在推廣“美國(guó)制造”理念并擴(kuò)展其生產(chǎn)計(jì)劃。據(jù)悉，此次投資將著重于擴(kuò)大生產(chǎn)線規(guī)模，為未來(lái)的3nm和2
蘋(píng)果M5芯片量產(chǎn)，采用臺(tái)積電N3P制程工藝
近日，據(jù)報(bào)道，蘋(píng)果已經(jīng)正式啟動(dòng)了M5系列芯片的量產(chǎn)工作。這款備受期待的芯片預(yù)計(jì)將在今年下半年面世，并有望由iPad Pro首發(fā)搭載。 蘋(píng)果M5系列芯片的一大亮點(diǎn)在于其采用了臺(tái)積電最新一代的3n
消息稱(chēng)臺(tái)積電3nm、5nm和CoWoS工藝漲價(jià)，即日起效！
）計(jì)劃從2025年1月起對(duì)3nm、5nm先進(jìn)制程和CoWoS封裝工藝進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。 先進(jìn)制程2025年喊漲，最高漲幅20% 其中，對(duì)3nm、
臺(tái)積電2025年起調(diào)整工藝定價(jià)策略
近日，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，隨著AI領(lǐng)域?qū)ο冗M(jìn)制程與封裝產(chǎn)能的需求日益旺盛，臺(tái)積電計(jì)劃從2025年1月起，針對(duì)其3nm、5
2025年半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)白熱化：2nm制程工藝成焦點(diǎn)
份額。 在這場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中，臺(tái)積電無(wú)疑占據(jù)了領(lǐng)先地位。其2nm生產(chǎn)計(jì)劃已經(jīng)吸引了眾多客戶(hù)的關(guān)注，除了蘋(píng)果這一大客戶(hù)外，臺(tái)
臺(tái)積電2nm工藝將量產(chǎn)，蘋(píng)果iPhone成首批受益者
。然而，最新的供應(yīng)鏈消息卻透露了一個(gè)不同的方向。據(jù)悉，A19系列芯片將采用臺(tái)積電的第三代3nm工藝(N3
臺(tái)積電分享 2nm 工藝深入細(xì)節(jié)：功耗降低 35% 或性能提升15%!
下），同時(shí)其晶體管密度是上一代3nm制程的1.15倍。這些顯著優(yōu)勢(shì)主要得益于臺(tái)積電的全柵極（Gate-All-Around, GAA）納米片晶體管、N2 NanoFlex設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)
蘋(píng)果iPhone 17或沿用3nm技術(shù)，2nm得等到2026年了！
有消息稱(chēng)iPhone17還是繼續(xù)沿用3nm技術(shù)，而此前熱議的2nm工藝得等到2026年了……
臺(tái)積電產(chǎn)能爆棚：3nm與5nm工藝供不應(yīng)求
臺(tái)積電近期成為了高性能芯片代工領(lǐng)域的明星企業(yè)，其產(chǎn)能被各大科技巨頭瘋搶。據(jù)最新消息，臺(tái)積電的
臺(tái)積電計(jì)劃漲價(jià)應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求
據(jù)了解，臺(tái)積電已經(jīng)成功獲得英偉達(dá)的同意，計(jì)劃在明年對(duì)其產(chǎn)品和服務(wù)進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。針對(duì)3nm制程，其價(jià)格預(yù)計(jì)將有最多5%的上漲，而CoWoS封裝工藝
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論