高性能主機的“供電生死局”

隨著RTX 40系顯卡、13代酷睿處理器功耗突破600W，傳統(tǒng)MOS器件正面臨前所未有的極限挑戰(zhàn)。某硬件論壇調研顯示，27%的藍屏/死機故障源于供電模塊MOS過熱或瞬態(tài)響應失效。在機箱空間緊縮與散熱壓力倍增的當下，以下難題尤為突出：

- 高溫枷鎖：MOS溫升＞100℃觸發(fā)降頻，導致CPU/GPU性能折損高達15%；

- 瞬態(tài)響應危機：顯卡瞬間功率激增引發(fā)Vcore電壓波動＞200mV；

仁懋電子MOS系列（MOT3080D、MOT3136G、MOT3180G等）通過“拓撲重構+封裝革命”，為高性能主機打造極致供電解決方案。

技術破局：三大核心戰(zhàn)力重構供電標準

1. 超低內阻矩陣：導通損耗直降40%

針對多相并聯(lián)供電的損耗痛點，MOT3180G采用屏蔽柵溝槽工藝+銅柱互聯(lián)技術：

- RDS(on)低至6.8mΩ@10V，12相供電模塊滿載效率突破94%；

- 支持200A瞬態(tài)電流，RTX 4090超頻瞬間電壓波動＜80mV。

2. 納米銀燒結封裝：熱阻碾壓傳統(tǒng)方案

MOT3080D引入DPAK封裝銀燒結工藝，顛覆傳統(tǒng)焊接界面：

- 熱阻（Rthjc）僅2.04℃/W，較競品降低35%，持續(xù)80A輸出時結溫穩(wěn)定在88℃；

- 功率循環(huán)壽命＞50萬次，徹底解決長期高負載下的焊點開裂風險。

3. 智能驅動兼容：開關損耗綜合優(yōu)化

MOT3136G通過Ciss/Qg動態(tài)平衡技術，實現全負載域高效切換：

- 輸入電容（Ciss）降至2800pF，驅動損耗（Qg×Rg）較上一代降低28%；

- 支持500kHz高頻開關，助力數字PWM控制器精度提升至±0.5%。

場景化產品矩陣

| 型號 | 性能巔峰指標 | 場景

| MOT3080D | 4mΩ@10V+320A脈沖 | 16相CPU核心供電

| MOT3136G | 高頻開關+±0.5%精度 | 顯卡Vcore智能供電

| MOT3180G |3.67℃/W熱阻+50萬次壽命 | 小型化ITX電源模塊

黃金選型法則

1. 相數匹配：每相供電建議負載≤50A，超頻主機需預留20%冗余

2. 散熱優(yōu)先：ITX緊湊機型首選較低的Rthjc型號（如MOT3180G）

3. 頻率對齊：數字PWM控制器頻率＞300kHz時，必須選擇Qg較低的器件

當電競主機邁入千瓦級功耗時代，仁懋MOS以“更冷、更穩(wěn)、更小”的硬核實力，正在重新定義供電模塊的極限標準。請關注聯(lián)系銷售，獲取免費樣品！