隨著電動汽車(EV)逐漸成為主流,人們對電動汽車的性能、充電時間和續(xù)航里程的期望持續(xù)攀升。要滿足這些需求,不僅需要在用戶界面層面進(jìn)行創(chuàng)新,更要深入動力系統(tǒng)架構(gòu)展開革新。而推動這一演進(jìn)的關(guān)鍵趨勢之一,便是電池系統(tǒng)從400V向800V(乃至1200V)的升級。這種轉(zhuǎn)變能實現(xiàn)充電提速、功率提升與能源高效利用,但同時也帶來了新的設(shè)計挑戰(zhàn)。
安森美(onsemi)正處于這一變革的前沿。安森美提供一系列碳化硅(SiC) 解決方案,包括650V 和1200V M3S EliteSiC MOSFET和汽車功率模塊(APM),助力汽車制造商研發(fā)出高效、可靠且能滿足各種不同功率/電壓等級需求的車載充電器(OBC),并具備良好的可擴展性。
解析從 400V 到 800V 架構(gòu)的轉(zhuǎn)型
如今,大多數(shù)電動汽車采用 400V 電池系統(tǒng)。這類平臺適用于多種用例,從乘用車到插電混動汽車均能覆蓋,在性能、成本與現(xiàn)有充電基礎(chǔ)設(shè)施之間實現(xiàn)了平衡兼顧。然而,隨著汽車廠商 (OEM) 致力于提升車輛續(xù)航里程并縮短充電時間,他們正越來越多地探索 800V 架構(gòu)。
800V 電池架構(gòu)會對電池尺寸、重量和能量容量產(chǎn)生影響。800V 系統(tǒng)支持更快的充電速度和更高效的功率傳輸,不僅降低了對熱管理的要求,還能使用更細(xì)的電纜,從而一舉多得,既能提高能效、減輕整體系統(tǒng)重量,又能減少封裝需求。此外,在相同功率水平下,800V 系統(tǒng)可降低電流,盡可能地減少 I2R 損耗,進(jìn)而提升整體能效、增加續(xù)航里程,同時改善性能。
盡管 400V 系統(tǒng)仍適用于許多車型,但市場對 800V 系統(tǒng)的需求正與日俱增,尤其是在高性能電動汽車、長途商用車及依賴超快充的車隊中。
向 800V 的轉(zhuǎn)型并非“一刀切”的解決方案,而是與特定應(yīng)用需求相輔相成的技術(shù)演進(jìn)。電壓架構(gòu)的合適與否取決于具體用例和性能目標(biāo),還要考慮與基礎(chǔ)設(shè)施的兼容性。
電動汽車的主要應(yīng)用和電壓要求
不同的電動汽車應(yīng)用場景對應(yīng)不同的功率需求和架構(gòu)設(shè)計。例如,入門級城市轎車通常采用 400V 系統(tǒng),這類車輛更注重成本控制和車身緊湊性,而非大功率性能。
中端市場的插電混動汽車和標(biāo)準(zhǔn)純電汽車則受益于高效的 400V 系統(tǒng)。許多這類車型配備 6.6kW 至 11kW 的車載充電器,且常依賴家用充電設(shè)施。即便在 400V 級別,SiC MOSFET 也正被越來越多地采用,以提升功率密度并降低開關(guān)損耗。
高端市場包括商用電動汽車、豪華乘用車和貨運車隊。這些車輛需要快速充電能力和更高的能量吞吐量,因此 800V 架構(gòu)成為理想之選。800V 系統(tǒng)可通過直流快充站支持更高功率,使這類車輛能更快完成充電,并在長距離行駛中保持更高能效。
圖 1:貨運車隊和商用電動汽車是車載充電應(yīng)用領(lǐng)域中快速增長的細(xì)分市場
安森美憑借旗下的產(chǎn)品組合,能夠為所有這些用例提供支持,針對每種電壓和功率層級均能提供精準(zhǔn)解決方案。
安森美的技術(shù)產(chǎn)品組合:搭建橋梁,推動轉(zhuǎn)型
為兼顧已廣泛應(yīng)用的 400V 系統(tǒng)與前沿的 800V 平臺,安森美提供了門類齊全的碳化硅基功率器件。
對于400V 應(yīng)用,M3S 650V EliteSiC MOSFET系列兼具高速開關(guān)、低導(dǎo)通損耗與熱效率優(yōu)勢,表現(xiàn)令人矚目。這些器件尤其適用于圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 等硬開關(guān)拓?fù)洌约?LLC 或相移全橋轉(zhuǎn)換器等軟開關(guān)設(shè)計。
對于800V 平臺,安森美不僅提供1200V M3S EliteSiC MOSFET,更推出了APM32 系列汽車功率模塊。這些額定電壓1200V 的模塊集成了三相橋模塊、全橋模塊和雙半橋模塊,可在額定功率 11kW 至 22kW 的車載充電器中實現(xiàn)穩(wěn)定運行。這些模塊憑借緊湊的封裝設(shè)計與出色的熱性能,成為高功率系統(tǒng)的理想之選,有助于提升可靠性與空間利用率。
表 1:適用于 800V 和 400V 電池架構(gòu)的推薦產(chǎn)品
這種雙層級方案有助于電動汽車設(shè)計人員在不同車型平臺間實現(xiàn)靈活擴展,同時使用經(jīng)性能優(yōu)化的元器件。
能效的必要性:為何 SiC 至關(guān)重要
碳化硅 (SiC) 是一種寬禁帶材料,相較傳統(tǒng)硅材料優(yōu)勢顯著,不僅開關(guān)速度更快,還能在更高電壓和溫度下運行。
在車載充電器 (OBC) 中,SiC 技術(shù)帶來的能效提升尤為可貴。其更高的開關(guān)頻率使得小型化無源元件的應(yīng)用成為可能,從而有助于減小系統(tǒng)尺寸并降低成本。此外,SiC 優(yōu)異的熱性能還簡化了熱管理,有助于緊湊的電動汽車系統(tǒng)克服熱管理方面的重大挑戰(zhàn)。
EliteSiC M3S MOSFET:彌合400V 平臺的性能差距
安森美推出的 M3S 650V EliteSiC MOSFET專為 400V 級高速開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計,具備超低比導(dǎo)通電阻 (RSP)、全溫度范圍穩(wěn)定性能及更低的反向恢復(fù)電荷,性能不僅超越傳統(tǒng)硅基 MOSFET,甚至優(yōu)于早期 SiC 設(shè)計。
M3S MOSFET 提供TO-247-4L、D2PAK-7L 等多種封裝形式,可靈活適配不同的設(shè)計約束條件。憑借低柵極電荷與經(jīng)過優(yōu)化的電容特性,設(shè)計人員能夠打造出緊湊高效的車載充電器,在滿足 400V 應(yīng)用需求的同時,無需在性能上做出妥協(xié)。M3S 器件助力彌合 400V 平臺與未來性能需求之間的差距。
APM32 SiC 模塊:賦能 800V 平臺
針對下一代 800V 系統(tǒng),安森美的 APM32 汽車功率模塊可提供車載充電應(yīng)用所需的高電壓與大電流處理能力,它基于 1200V 額定 EliteSiC MOSFET 構(gòu)建,支持 11kW 至 22kW 功率等級,適用于商用及高性能電動汽車應(yīng)用場景。
APM32 模塊提供全橋與雙半橋拓?fù)?,可同時支持 OBC 設(shè)計中的功率因數(shù)校正 (PFC) 與 DC-DC 段。其封裝技術(shù)經(jīng)過專門優(yōu)化,具備出色的熱管理能力與機械強度,確保在惡劣的汽車環(huán)境中實現(xiàn)長期可靠運行。
APM32 模塊通過了 AQG-324 與 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,能夠為高性能車載充電器提供可靠基礎(chǔ),是推動 800V 車輛架構(gòu)普及的關(guān)鍵助力。
針對 SiC 器件優(yōu)化的柵極驅(qū)動器
高速 SiC 器件需搭配性能旗鼓相當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動器,才能充分發(fā)揮 SiC MOSFET 的能效優(yōu)勢。安森美提供一系列專為 SiC 應(yīng)用設(shè)計的隔離型柵極驅(qū)動器,特性包括支持負(fù)柵極偏置、具備高共模瞬態(tài)抗擾度、短傳播延遲等。
NCV51563是雙通道隔離式驅(qū)動器,非常適合在半橋或全橋配置中驅(qū)動 SiC MOSFET。NCV51152 和 NCV51752則是緊湊型單通道驅(qū)動器,專為空間受限的應(yīng)用量身打造,集成負(fù)柵極偏置。
這些驅(qū)動器有助于防止直通事件、降低電磁干擾 (EMI),并提升 OBC 系統(tǒng)的整體可靠性。選擇合適的柵極驅(qū)動器并進(jìn)行合理集成,對于充分發(fā)揮 SiC 技術(shù)的性能優(yōu)勢至關(guān)重要。
平穩(wěn)且可擴展的轉(zhuǎn)型之路
向 800V 系統(tǒng)轉(zhuǎn)型并不意味著要淘汰 400V 平臺,而是要為合適的用例匹配恰當(dāng)?shù)募軜?gòu),并在此過程中鋪就清晰的創(chuàng)新與擴展路徑。
安森美全面的 SiC 解決方案組合,助力電動汽車制造商提升現(xiàn)有 400V 系統(tǒng)的性能與能效,無縫采用 800V 架構(gòu)以應(yīng)對高功率應(yīng)用需求,同時打造緊湊、可靠且高效的前瞻性 OBC 系統(tǒng)。
其中包含一套完整解決方案,涵蓋與 EliteSiC 配套的 GI 柵極驅(qū)動器、汽車級低壓差線性穩(wěn)壓器 (LDO)(安森美是 LDO 領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè))及小信號二極管。從分立 MOSFET 到全集成功率模塊,再到優(yōu)化的柵極驅(qū)動器,安森美提供的構(gòu)建模塊一應(yīng)俱全,為下一代電動汽車提供有力支持。
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原文標(biāo)題:SiC推動電動汽車向800V架構(gòu)轉(zhuǎn)型,細(xì)數(shù)安森美的核心SiC方案
文章出處:【微信號:onsemi-china,微信公眾號:安森美】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
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