18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

浮地非隔離半橋柵極驅動器的應用

海闊天空的專欄 ? 來源:Pete Bartolik ? 作者:Pete Bartolik ? 2025-10-02 17:22 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

作者:Pete Bartolik

投稿人:DigiKey 北美編輯

產品設計師必須有能力在多種限制因素之間進行平衡——封裝大小、成本、可靠性和上市時間。關鍵挑戰(zhàn)是選擇一個適合現(xiàn)代應用所需的狹小空間的電源。

緊湊的高性能功率級依賴快速、可靠的柵極驅動解決方案。這類解決方案既有簡單的低壓側驅動器,也有適合高壓環(huán)境的全隔離版本。對于許多設計來說,浮地非隔離柵極驅動器提供了一條有效的成功途徑。

柵極驅動器用作中間器件,將通常來自微控制器或脈寬調制 (PWM) 控制器的低功率控制信號傳遞至調節(jié)能量流的高功率開關。這類器件可確保潔凈、快速和精確的切換,從而實現(xiàn)功率輸出的優(yōu)化。

要選擇合適的柵極驅動器,就需要評估電壓和電流要求、拓撲結構和開關頻率。匹配良好的驅動器可提供高效率、定時精確度度和熱穩(wěn)定性,這些對于高性能、緊湊型系統(tǒng)都至關重要。

半橋拓撲結構的優(yōu)點

半橋拓撲是現(xiàn)代電源轉換中廣泛使用的一種方法,可在緊湊型設計中實現(xiàn)高效穩(wěn)壓。這種拓撲依靠兩個高速開關器件,通常是 MOSFET 或絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 來交替輸入電壓,在隔離設計中為變壓器供電,或在非隔離系統(tǒng)中直接為負載供電。這種拓撲結構因其效率和熱優(yōu)化潛力而受到重視。

柵極驅動器 IC 在控制這些開關時不可或缺,是控制器和功率級之間的接口。該 IC 將 PWM 信號轉換為大電流驅動信號,確??焖倬_地切換高壓側和低壓側晶體管。這種快速高效的運行方式最大限度地減少了能量損耗,提高了系統(tǒng)的整體性能。

在半橋電路中,高壓側 MOSFET 的源極連接開關節(jié)點,開關節(jié)點根據(jù)開關周期在接地 (0 V) 和輸入電壓(如 12 V、48 V 等)之間快速移動。采用浮地非隔離柵極驅動器時,高壓側驅動器會隨開關節(jié)點的電壓"浮動“,從而實現(xiàn)潔凈、高效的轉換。

當不需要隔離,而又把結構緊湊、速度和效率作為優(yōu)先考慮因素時,浮地非隔離半橋柵極驅動器就成了理想的解決方案。這些驅動器設計用于控制高壓側和低壓側 MOSFET 開關,既避免了隔離的復雜性,又確保了精確的開關性能。由于這種驅動器在控制邏輯和功率級之間不提供電隔離,因此在所有組件共地的系統(tǒng)中效果最佳。

為高壓側 MOSFET 生成所需的柵極驅動電壓通常需要一個自舉電容器。當?shù)蛪簜乳_關導通時,該電容充電;當高壓側開關開啟時,該電容供電。

當?shù)蛪簜?MOSFET 導通時,開關節(jié)點被拉至地,從而允許一個小型二極管電容電路從電源軌為自舉電容充電。當需要開啟高壓側 MOSFET 時,驅動器會利用存儲的電荷將柵極驅動至高于開關節(jié)點的電壓,通常高出 10 V 至 15 V。

設計人員必須確保低壓側開關的開啟頻率足以為自舉電容器充電。在高占空比應用中,可能需要采取額外的預防措施,例如選擇合適的電容值、盡量減少自舉二極管上的壓降。

通過利用自舉架構和跟蹤開關節(jié)點電壓,浮地非隔離半橋驅動器既避免了實現(xiàn)隔離的復雜性,又確保了穩(wěn)健的高壓側控制。這種驅動器簡單高效,非常適合降壓和升壓轉換器、同步穩(wěn)壓器、電機驅動器和 D 類音頻放大器等高頻開關應用。

選擇合適的柵極驅動器 IC

選擇合適的柵極驅動器,對于確保功率級的高效、可靠和安全運行至關重要,尤其是在降壓轉換器、電機驅動器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等高速開關應用中。雖然柵極驅動的基本原理應用非常廣泛,但根據(jù)系統(tǒng)要求,某些選擇標準會變得特別重要。

例如,在太陽能轉換和電池供電系統(tǒng)中,柵極驅動器必須適應較大的輸入電壓變化和不斷變化的負載條件。需要有足夠余量的高壓側額定電壓,以承受全電源軌波動并確保長期可靠。

共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 是另一個主要考慮因素??焖匍_關事件會在高壓側和低壓側 MOSFET 之間產生陡峭的電壓差,從而導致噪聲和振鈴。具有高 CMTI 的柵極驅動器在電噪聲環(huán)境中表現(xiàn)更穩(wěn)定。

峰值驅動電流同樣重要,尤其是在大功率應用中。驅動器必須提供足夠的電流,以便快速為 MOSFET 柵極充電并克服寄生電容,從而降低開關損耗,改善熱性能。

最終,死區(qū)時間控制在半橋拓撲中起著關鍵作用。如果在關斷一個開關和開啟另一個開關之間沒有短暫的延遲,就會出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象,即兩個 MOSFET 同時導通。許多柵極驅動器具有內置或可調的死區(qū)時間設置,以防止出現(xiàn)這一問題,并在不同負載條件下實現(xiàn)安全高效運行。

ADI 的 LTC706x 系列

浮地非隔離半橋驅動器簡單易用,具有高速開關功能,是許多設計的最佳解決方案。[Analog Devices, Inc. (ADI)] 提供一系列功能豐富的高壓器件,專為要求苛刻的應用而設計。

ADI 的 LTC706x 浮地非隔離半橋柵極驅動器(圖 1)為滿足高速、高電壓電源轉換的需求提供了多功能解決方案。該系列器件采用緊湊型封裝,具有嚴格的定時控制、擊穿保護和強大的驅動力,可滿足從汽車到工業(yè)控制等各種應用的需求。

ADI 的 LTC706x 浮地非隔離半橋驅動器圖 1:ADI 的 LTC706x 浮地非隔離半橋驅動器的外形尺寸。(圖片來源:Analog Devices, Inc.)

ADI 產品提供了一系列與電壓、邏輯和布局要求相匹配的選擇,有助于設計人員在系統(tǒng)級性能和簡易性之間進行適當權衡。所有器件均支持 N 溝道 MOSFET,與 P 溝道 MOSFET 相比,具有更低的導通電阻 (RDS ON )、更快的開關速度和更高的電流處理能力。

兩個器件支持 100 V 最高電源電壓:

  • [LTC7060] 針對依賴具有三態(tài)功能的單路 PWM 輸入的系統(tǒng)進行了優(yōu)化,使其能夠僅從一條控制線就能獲得高壓側和低壓側柵極驅動時序。這簡化了數(shù)字控制器接口,減少了引腳數(shù),適合用于空間有限的應用。三態(tài)輸入模式還能實現(xiàn)安全的高阻抗狀態(tài),從而在某些故障情況下增加一層容錯功能。對于喜歡簡潔緊湊的設計師來說,這是一個不錯的選擇。
  • [LTC7061] 專門用于為高壓側和低壓側開關提供獨立 CMOS 或 TTL 邏輯電平輸入的應用。使用這種雙輸入方法,可靈活地控制定時——這在死區(qū)時間由微控制器或 PWM 控制器進行外部管理的系統(tǒng)中尤為重要。對于需要嚴格控制開關特性或實施定制化定時策略的設計需求,LTC7061 就是一個適應性更強且控制靈活的接口,支持精準的性能調節(jié)。

對于輸入電壓超過 100 V 的應用,例如工業(yè)電機驅動器、48 V 汽車電源軌或以太網(wǎng)供電基礎設施,設計人員可以選用支持 140 V 最大電源電壓的兩個器件:

  • [LTC7063] 具有一個三態(tài) PWM 輸入,允許通過單個輸入信號同時控制高壓側和低壓側 MOSFET。這種配置簡化了控制接口,因為 PWM 引腳會根據(jù)其電壓電平?jīng)Q定 MOSFET 的狀態(tài)。對于大功率應用,設計人員可能更傾向于采用這種設計,因為簡化的控制接口、更少的引腳以及在高密度印刷電路板上復雜程度最小的信號布線,都將非常有益于這些應用。LTC7063 的一個實際應用是帶有遠程負載的 2:1 降壓轉換器設計(圖 2)。憑借最高可達 80 V 的輸入電源電壓,這種配置可將一半的輸入電壓(?V IN )輸出至最大 5 A 的負載。

降壓轉換器設計(點擊放大)圖 2:一個使用 LTC7063 浮地非隔離半橋柵極驅動器的、帶遠程負載降壓型轉換器設計。(圖片來源:Analog Devices, Inc.)

  • [LTC7066] 可為高壓側和低壓側驅動器接受獨立的 CMOS/TTL 邏輯電平輸入,為每個 MOSFET 提供單獨的控制信號。這樣就能實現(xiàn)精確而靈活的控制,讓設計人員充分利用定時、死區(qū)時間和開關特性。因此,該器件非常適合采用微調數(shù)字控制功能的系統(tǒng),如使用高性能數(shù)字控制器或 FPGA 的系統(tǒng)。

無論是在低壓還是高壓環(huán)境中工作,產品系列中的每個器件都包含必要的保護和調節(jié)參數(shù),這有助于設計人員最大限度地發(fā)揮功率級的性能。

每個產品都具有自適應擊穿保護功能,可防止高壓側和低壓側 MOSFET 同時導通。此外,每個器件都支持死區(qū)時間可調,使設計人員能夠微調開關轉換之間的延遲,從而在不影響效率的情況下最大限度地減少損耗并避免交叉導通。欠壓鎖定 (UVLO) 是另一項常見功能,用于確保柵極驅動器僅在電源電壓處于安全閾值范圍內時工作。

從性能角度來看,LTC706x 系列器件都具有很強的柵極驅動阻抗,典型值為 1.5 Ω 上拉和 0.8 Ω 下拉。這一特性能夠實現(xiàn)快速柵極充電和放電——對于高速應用中的快速開關、嚴格時序控制和降低開關損耗來說至關重要。

對于傳統(tǒng)自舉方法無法滿足的高占空比應用,設計人員可以評估其他柵極驅動技術。必須考慮每種方法在復雜性、效率和成本方面的權衡。例如,隔離柵極驅動器利用變壓器或數(shù)字隔離器提供獨立的柵極驅動電壓,從而無需自舉充電機制,而直接偏置電源則可提供不受開關周期影響的穩(wěn)定柵極驅動電壓。

結語

在對速度、效率和緊湊型設計要求極高的大功率應用中,浮地非隔離半橋柵極驅動器為控制高壓側和低壓側 MOSFET 提供了最佳解決方案。通過利用自舉電路產生必要的柵極驅動電壓,這些驅動器避免了復雜的隔離設計,同時保持了精確的開關性能。ADI 的 LTC706x 系列產品提供了一系列多功能解決方案,可滿足高速、高壓電源轉換的需求。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    150

    文章

    9181

    瀏覽量

    226656
  • 柵極驅動器
    +關注

    關注

    8

    文章

    1253

    瀏覽量

    40097
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    ?STDRIVEG610柵極驅動器技術解析與應用指南

    STMicroelectronics STDRIVEG610柵極驅動器是高性能設備,專為在各種電源轉換應用中驅動N溝道MOSFET或I
    的頭像 發(fā)表于 10-17 14:12 ?85次閱讀
    ?STDRIVEG610<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動器</b>技術解析與應用指南

    STDRIVEG611柵極驅動器技術解析與應用指南

    STMicroelectronics STDRIVEG611柵極驅動器是用于N溝道增強模式GaN的高壓
    的頭像 發(fā)表于 10-16 17:42 ?333次閱讀
    STDRIVEG611<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動器</b>技術解析與應用指南

    DRV8703D-Q1 汽車用 47V 智能柵極驅動器技術手冊

    DRV870xD-Q1 器件是小型柵極驅動器,使用兩個外部 N 溝道 MOSFET,用于驅動單向有刷直流電機或螺線管負載。 PWM
    的頭像 發(fā)表于 10-16 14:39 ?206次閱讀
    DRV8703D-Q1 汽車用 47V <b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>智能<b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動器</b>技術手冊

    ?STDRIVE102BH/H三柵極驅動器技術解析與應用指南

    STMicroelectronics STDRIVE102BH/H三柵極驅動器設計用于三相無刷電機驅動。STDRIVE102BH/H具有
    的頭像 發(fā)表于 10-15 17:46 ?348次閱讀
    ?STDRIVE102BH/H三<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動器</b>技術解析與應用指南

    ?STDRIVEG211柵極驅動器深度解析與設計指南

    STMicroelectronics STDRIVEG211柵極驅動器設計用于N溝道增強模式GaN,高側驅動器部分可承受高達220V電
    的頭像 發(fā)表于 10-15 10:46 ?138次閱讀
    ?STDRIVEG211<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動器</b>深度解析與設計指南

    ?STDRIVEG210柵極驅動器技術解析與應用指南

    STMicroelectronics STDRIVEG210柵極驅動器設計用于N溝道增強模式GaN,高側驅動器部分可承受高達220V電
    的頭像 發(fā)表于 10-15 10:41 ?144次閱讀
    ?STDRIVEG210<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動器</b>技術解析與應用指南

    DRV8718-Q1智能柵極驅動器技術文檔總結

    DRV871x-Q1 系列器件是高度集成的多通道柵極驅動器,用于驅動多個電機或負載。這些器件集成了 4 個 (DRV8714-Q1) 或 8 個 (DRV8718-Q1)
    的頭像 發(fā)表于 10-14 15:26 ?314次閱讀
    DRV8718-Q1智能<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動器</b>技術文檔總結

    DRV8714-Q1智能柵極驅動器概述

    DRV871x-Q1 系列器件是高度集成的多通道柵極驅動器,用于驅動多個電機或負載。這些器件集成了4個(DRV8714-Q1)或8個(DRV8718-Q1)
    的頭像 發(fā)表于 10-14 14:16 ?287次閱讀
    DRV8714-Q1智能<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動器</b>概述

    LM2105柵極驅動器技術解析與應用指南

    Texas Instruments LM2105柵極驅動器是一款緊湊型高壓柵極驅動器,設計用
    的頭像 發(fā)表于 08-21 09:35 ?563次閱讀
    LM2105<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動器</b>技術解析與應用指南

    德州儀器LM2104柵極驅動器技術解析

    Texas Instruments LM2104柵極驅動器設計用于驅動高側和低側N溝道MOSFET,具有同步降壓或
    的頭像 發(fā)表于 08-11 10:15 ?708次閱讀
    德州儀器LM2104<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動器</b>技術解析

    LM2005 107V柵極驅動器技術解析與應用指南

    Texas Instrument LM2005柵極驅動器是一款緊湊型高壓柵極驅動器,設計用于
    的頭像 發(fā)表于 08-08 14:36 ?718次閱讀
    LM2005 107V<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動器</b>技術解析與應用指南

    ADUM1234隔離式精密驅動器,提供0.1 A輸出技術手冊

    ADuM1234 是一款隔離柵極驅動器,采用ADI公司**iCoupler ^?^ 技術,提供獨立且
    的頭像 發(fā)表于 06-06 14:02 ?672次閱讀
    ADUM1234<b class='flag-5'>隔離</b>式精密<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>驅動器</b>,提供0.1 A輸出技術手冊

    ADUM6132集成隔離高端電源的隔離驅動器技術手冊

    ADuM6132是一款隔離柵極驅動器,采用ADI公司iCoupler ^?^ 技術,提供集成275 mW高端電源的
    的頭像 發(fā)表于 06-05 16:17 ?701次閱讀
    ADUM6132集成<b class='flag-5'>隔離</b>高端電源的<b class='flag-5'>隔離</b>式<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>驅動器</b>技術手冊

    意法半導體推出兩款高壓GaN柵極驅動器

    意法半導體推出兩款高壓GaN柵極驅動器,為開發(fā)者帶來更高的設計靈活性和更多的功能,提高目標應用的能效和魯棒性。
    的頭像 發(fā)表于 06-04 14:44 ?841次閱讀

    新品 | 6.5A,5.7kVRMS單通道帶隔離電源的柵極驅動器評估板——SiC MOSFET電路

    新品6.5A,5.7kVRMS單通道帶隔離電源的柵極驅動器評估板——SiCMOSFET電路該評估板用于評估
    的頭像 發(fā)表于 04-15 17:03 ?718次閱讀
    新品 | 6.5A,5.7kVRMS單通道帶<b class='flag-5'>隔離</b>電源的<b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動器</b>評估板——SiC MOSFET<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>電路