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龍騰半導(dǎo)體亮相PCIM Asia 2025

龍騰半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:龍騰半導(dǎo)體 ? 2025-09-30 17:22 ? 次閱讀
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近日,亞洲電力電子領(lǐng)域的年度盛會(huì) PCIM Asia Shanghai 2025 在上海新國(guó)際博覽中心盛大啟幕。本次展會(huì),龍騰半導(dǎo)體(展位號(hào):N5號(hào)館-C70)帶來(lái)了覆蓋從晶圓、分立器件到功率模塊的全矩陣產(chǎn)品,以“智啟萬(wàn)物,芯創(chuàng)未來(lái)”為主題,全面展示了其在新能源汽車、工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心及消費(fèi)電子等關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新實(shí)力與技術(shù)底蘊(yùn)。

PART.01

現(xiàn)場(chǎng)直擊:技術(shù)交流,人氣匯聚

開(kāi)展首日,龍騰半導(dǎo)體展臺(tái)便成為全場(chǎng)焦點(diǎn)。特別增設(shè)的農(nóng)用無(wú)人機(jī)展示區(qū),通過(guò)實(shí)機(jī)演示展現(xiàn)了功率半導(dǎo)體在智慧農(nóng)業(yè)中的創(chuàng)新應(yīng)用,成為展會(huì)又一亮點(diǎn)。來(lái)自行業(yè)的工程師、供應(yīng)鏈專家、學(xué)者及分析師匯聚一堂,交流氣氛熱烈。

市場(chǎng)、銷售和FAE團(tuán)隊(duì)全程投入,為來(lái)訪者詳細(xì)解答技術(shù)疑問(wèn),深入探討應(yīng)用場(chǎng)景。這場(chǎng)行業(yè)盛會(huì)不僅是技術(shù)展示的舞臺(tái),更是一次寶貴的情報(bào)收集與戰(zhàn)略校準(zhǔn)機(jī)會(huì)。通過(guò)一線互動(dòng),團(tuán)隊(duì)精準(zhǔn)把握了行業(yè)技術(shù)趨勢(shì)與客戶痛點(diǎn),這些寶貴的洞察將直接反饋到公司的產(chǎn)品規(guī)劃與技術(shù)開(kāi)發(fā)中,確保龍騰的解決方案始終緊貼市場(chǎng)前沿,為客戶創(chuàng)造長(zhǎng)期價(jià)值。

PART.02

分享市場(chǎng)洞見(jiàn),共話行業(yè)未來(lái)

展會(huì)首日,龍騰半導(dǎo)體產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理葉女士受邀接受PCIM Asia主辦方采訪,分享了對(duì)功率半導(dǎo)體技術(shù)趨勢(shì)的見(jiàn)解及公司本次參展的核心亮點(diǎn)。

她重點(diǎn)介紹了超結(jié)MOSFET、中低壓SGT MOSFET和IGBT三大產(chǎn)品線,廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、新能源、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域。為提升產(chǎn)品效率與可靠性,公司在技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)多項(xiàng)突破:SJ MOSFET采用多層外延與深溝槽工藝,同時(shí)引入擴(kuò)鉑工藝,優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能和體二極管的反向恢復(fù)性能;SGT MOSFET通過(guò)雙柵氧結(jié)構(gòu)與先進(jìn)封裝提升功率密度;IGBT運(yùn)用場(chǎng)截止技術(shù)與微溝槽柵結(jié)構(gòu)相結(jié)合的設(shè)計(jì)降低損耗,提高過(guò)流能力。面對(duì)新能源市場(chǎng)的快速發(fā)展,她表示,未來(lái)公司將重點(diǎn)推進(jìn)碳化硅器件升級(jí),并持續(xù)強(qiáng)化系統(tǒng)級(jí)解決方案能力,為客戶提供從設(shè)計(jì)到應(yīng)用的全流程支持。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:展會(huì)直擊 | 龍騰半導(dǎo)體全矩陣產(chǎn)品亮相PCIM Asia

文章出處:【微信號(hào):xa_lonten,微信公眾號(hào):龍騰半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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