2025 年 9 月 26 日，PCIM Asia 2025 圓滿落幕！本屆展會作為亞洲電力電子領域的重磅平臺，吸引了來自全球的功率半導體企業(yè)共襄盛舉。博世以明星碳化硅解決方案為核心，從芯片到模塊集中呈現(xiàn)創(chuàng)新實力，彰顯憑借垂直整合能力帶來的卓越性能與可靠性。

本次展會上，博世展臺吸引了超過 2,500 人次的專業(yè)觀眾參觀，逾 500 人次觀看了博世汽車電子視頻號的線上技術直播。眾多合作伙伴就博世碳化硅產(chǎn)品的技術細節(jié)、應用前景及商務合作與博世德國和中國專家展開了熱烈的探討。

更多展臺亮點，小編帶你繼續(xù)回顧。

亮點展區(qū)

在全球電氣化浪潮中，博世始終以技術引領者的姿態(tài)走在前沿。本次展區(qū)精彩紛呈，集中展示了博世的碳化硅明星產(chǎn)品組合。憑借前瞻性的技術創(chuàng)新和高質(zhì)量的制造交付，每一款產(chǎn)品都凝聚著對卓越的追求，旨在為客戶創(chuàng)造最佳產(chǎn)品體驗。

碳化硅 MOSFET

新型碳化硅電源開關是專門為汽車應用設計的。碳化硅半導體具有更高的功率密度和效率。更低的能量損耗、更高的開關頻率和更小的芯片面積，使其在電動汽車的使用中更具吸引力。博世提供 1200V 和 750V 兩種電壓等級的雙通道碳化硅溝槽 MOSFET。并擁有自主知識產(chǎn)權的碳化硅技術，獨立完成碳化硅的研發(fā)、生產(chǎn)及檢測。博世對碳化硅 MOSFET 技術在性能、可靠性和穩(wěn)健性以及易用性方面進行了優(yōu)化。第二代產(chǎn)品改進了高溫下的導通電阻、開關表現(xiàn)、內(nèi)置柵極電阻及布局。750V 的產(chǎn)品已在 2023 年量產(chǎn)，1200V 的產(chǎn)品則在 2024 年量產(chǎn)，后續(xù)將量產(chǎn)的第三代產(chǎn)品會進一步鞏固領先地位。

碳化硅功率模塊

1. 碳化硅功率模塊 PM6 系列

博世碳化硅功率模塊 PM6 在當前最小體積下實現(xiàn)了最大的功率密度。PM6 平臺有多種輸出電流選擇，具備出色的可靠性。該模塊采用博世第二代碳化硅芯片，通過主電流路徑中創(chuàng)新的無鍵合、無焊接 AIT 設計，將陶瓷基板覆蓋在芯片上下兩面，構造低電阻和可靠的夾層結(jié)構。AMB 直接焊接至散熱器，實現(xiàn)低熱阻，同時兼容標準門驅(qū)動器。通過 CTE2 匹配的 AIT 結(jié)構，PM6 支持更大溫度變化范圍，進一步提升整體可靠性與功率密度。

2.緊湊型碳化硅功率模塊 CSL

博世碳化硅功率模塊 CSL 涵蓋了電動汽車大眾市場的主要需求。憑借可擴展的功率范圍，博世 CSL 功率模塊提供了最大的靈活性：800V 母線電壓下，電流范圍可以覆蓋 410 Arms - 500 Arms；400V 母線電壓下，電流范圍可覆蓋 640 Arms - 800 Arms。該產(chǎn)品具備較小的雜散電感（<6nH），以及較好的均流能力（一個橋臂上不同芯片溫度差可控制在3℃以內(nèi)），性能領先市場。

電流型柵極驅(qū)動芯片 EG12x

EG12x 是一款專為驅(qū)動高壓 SiC 或 IGBT 柵極設計的驅(qū)動 IC，主要應用于新能源汽車的牽引逆變器。該驅(qū)動器采用電容耦合技術，在低壓和高壓領域之間提供電氣隔離。EG12x 可以通過多種分段式柵極驅(qū)動電流曲線進行配置，以實現(xiàn)各種工況下開關損耗和過沖之間的平衡，從而有效提高電控系統(tǒng)的整體效率。

此外，EG12x 集成了完備的故障保護功能，有效減少了系統(tǒng)所需的物料清單中的元器件數(shù)量，從而在確保安全標準的前提下降低了整體成本并簡化了系統(tǒng)設計。

精彩活動

硬核直播及技術演講

博世展位舞臺持續(xù)精彩，硬核直播及福利互動火熱進行，為觀眾帶來功率電子的滿滿干貨。博世專家分別就碳化硅 MOSFET、碳化硅功率模塊、EG120 柵極驅(qū)動芯片及博世雇主品牌人才發(fā)展的主題進行了深入分享，線上線下反響熱烈。

技術論壇

9 月 24 日，博世功率半導體產(chǎn)品管理總監(jiān) Anne Bedacht 博士在 PCIM 展商論壇上發(fā)表了題為“博世碳化硅產(chǎn)品及優(yōu)勢 —— 助力中國新能源汽車發(fā)展，滿足客戶需求”的演講。博世作為全球領先的一級供應商，自 2021 年起在中國領先車企實現(xiàn) SiC MOSFET 的量產(chǎn)，累計交付超 5700 萬顆高質(zhì)量芯片。依托專利溝槽技術，博世不斷提升性能，提供規(guī)?；a(chǎn)能以滿足客戶需求，全面支持中國電動汽車的發(fā)展。

9 月 25 日，博世功率半導體技術專家 Steffen Beushausen 分享了“博世碳化硅技術及卓越可靠性：保障新能源汽車長期安全高效運行”的主題演講。Steffen 介紹了博世在功率電子領域的的市場地位、量產(chǎn)成果、技術優(yōu)勢及產(chǎn)能布局，并著重講解了博世碳化硅卓越的性能優(yōu)勢。憑借優(yōu)異的宇宙射線魯棒性，器件能夠在超過額定擊穿電壓的瞬態(tài)條件下工作，從而實現(xiàn)更快的開關速度。

學術交流

9月24日，博世高級客戶項目經(jīng)理方嵐及功率半導體專家周雯琪攜博世功率電子最新研究成果參與了 PCIM 墻報交流環(huán)節(jié)，分享了最前沿的學術洞見。

周雯琪的學術論文“A Robust and Reproducible Gate Charge Measurement Approach for SiC MOSFET Characterization” 榮獲“Excellent Poster Award”。

博世是全球少數(shù)具備自研并量產(chǎn)碳化硅功率半導體能力的汽車零部件供應商之一，至今已在該領域深耕逾 20 年。憑借垂直整合的獨特優(yōu)勢，博世能夠精準理解客戶需求，嚴苛驗證產(chǎn)品性能，并持續(xù)推動技術創(chuàng)新。博世碳化硅將繼續(xù)攜手客戶，共創(chuàng)智能電驅(qū)新時代！