DRV8871-Q1 器件是一款有刷直流電機(jī)驅(qū)動器,適用于打印機(jī)、電器、工業(yè)設(shè)備和其他小型機(jī)器。兩個(gè)邏輯輸入控制 H 橋驅(qū)動器,該驅(qū)動器由四個(gè) N 溝道 MOSFET 組成,可以雙向控制電機(jī),峰值電流高達(dá) 3.6A。輸入可以采用脈寬調(diào)制 (PWM) 來控制電機(jī)速度,并可選擇電流衰減模式。將兩個(gè)輸入設(shè)置為低電平進(jìn)入低功耗睡眠模式。
*附件:drv8871-q1.pdf
DRV8871-Q1器件具有先進(jìn)的電流調(diào)節(jié)電路,不使用模擬基準(zhǔn)電壓源或外部檢測電阻。這種新穎的解決方案使用標(biāo)準(zhǔn)的低成本、低功耗電阻器來設(shè)置電流閾值。將電流限制在已知水平的能力可以顯著降低保持穩(wěn)定電壓所需的系統(tǒng)功率要求和大容量電容,特別是在電機(jī)啟動和失速條件下。
該器件完全受到故障和短路保護(hù),包括欠壓 (UVLO)、過流 (OCP) 和過熱 (TSD)。當(dāng)故障情況消除后,設(shè)備自動恢復(fù)正常運(yùn)行。
特性
- 符合汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)
- AEC-Q100 符合以下標(biāo)準(zhǔn):
- 器件溫度等級 1:–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 設(shè)備 HBM ESD 分類 2 級
- 設(shè)備 CDM ESD 分類級別 C4B
- H橋電機(jī)驅(qū)動器
- 驅(qū)動一個(gè)直流電機(jī)、一個(gè)步進(jìn)電機(jī)繞組或其他負(fù)載
- 6.8V至45V寬工作電壓
- 565mΩ典型值R
DS(開)(HS + LS) - 3.6A 峰值電流驅(qū)動
- PWM控制接口
- 無需檢測電阻的電流調(diào)節(jié)
- 低功耗睡眠模式
- 小封裝和封裝
- 帶 PowerPAD? 的 8 引腳 HSOP
- 4.9 × 6 毫米
- 集成保護(hù)功能
- VM 欠壓鎖定 (UVLO)
- 過流保護(hù) (OCP)
- 熱關(guān)斷 (TSD)
- 自動故障恢復(fù)
參數(shù)
方框圖
?1. 核心特性?
- ?汽車級認(rèn)證?
- AEC-Q100 Grade 1認(rèn)證(-40°C至+125°C工作溫度)
- 符合HBM ESD Level 2和CDM ESD Level C4B標(biāo)準(zhǔn)
- ?驅(qū)動能力?
- H橋架構(gòu),支持6.8-45V寬電壓輸入
- 3.6A峰值電流輸出,565mΩ典型RDS(on)(HS+LS)
- 集成電流調(diào)節(jié)功能(無需外部檢流電阻)
- ?控制接口?
- 雙邏輯輸入(IN1/IN2)支持PWM調(diào)速(0-200kHz)
- 低功耗睡眠模式(靜態(tài)電流12μA)
?2. 關(guān)鍵參數(shù)?
?參數(shù)? | ?規(guī)格? |
---|---|
?封裝? | 8引腳HSOP(4.9×6mm,帶PowerPAD?) |
?保護(hù)功能? | UVLO/OCP/TSD/自動故障恢復(fù) |
?電流調(diào)節(jié)? | 通過ILIM引腳電阻設(shè)置(15kΩ起) |
?熱阻? | RθJA=41.7°C/W(HSOP封裝) |
?3. 技術(shù)亮點(diǎn)?
- ?智能電流調(diào)節(jié)?
- 通過外部電阻設(shè)定電流閾值(公式:ITRIP = 64kV / RILIM)
- 支持慢衰減模式(25μs強(qiáng)制剎車周期)
- ?靈活控制模式?
- 支持正向/反向/剎車/高阻四種狀態(tài)(見控制真值表)
- 靜態(tài)輸入全占空比驅(qū)動或PWM調(diào)速
- ?全集成保護(hù)?
- VM欠壓鎖定(UVLO,6.3V閾值)
- 過流保護(hù)(OCP,3.7-6.6A可觸發(fā))
- 熱關(guān)斷(TSD,155°C觸發(fā),40°C遲滯)
?4. 典型應(yīng)用電路?
- ?電機(jī)連接?
- OUT1/OUT2直接驅(qū)動電機(jī),VM端需加0.1μF陶瓷電容+47μF電解電容
- ?電流設(shè)置?
- ILIM引腳接30kΩ電阻→限制電流≈2.1A
- ?PCB布局?
- 優(yōu)先放置大電流路徑的寬走線,熱焊盤需多via連接地層
?5. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?
- ?散熱管理?
- 持續(xù)2A RMS電流需保證PCB散熱設(shè)計(jì)(參考RθJA參數(shù))
- ?電壓紋波?
- 建議VM端增加低ESR大容量電容(如100μF)以應(yīng)對電機(jī)啟停瞬態(tài)
- ?PWM優(yōu)化?
- 200kHz PWM時(shí)有效占空比范圍16%-84%(需≥800ns脈沖寬度)
-
MOSFET
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PWM
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峰值電流
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低電平
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有刷直流電機(jī)
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