F658-H130M1H 直流至3GHz高功率GaN HEMT

GaN HEMT 晶體管

型號(hào)： F658-H130M1H

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號(hào) F658-H130M1H
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 DFN

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的GaN HEMT F658-H130M1H提供高功率、高效率、易于匹配直流至3GHz高功率的更大一致性50V操作的應(yīng)用程序。

型號(hào)規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號(hào) F658-H130M1H
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 DFN

型號(hào)參數(shù)
用于直流至3GHz的高功率GaN HEMT
高功率：150W@3GHz
高效率：57%@3GHz
CW可操作
易于匹配：輸入預(yù)匹配3GHz
小型無(wú)法蘭封裝

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