SGC7172-30A C波段內(nèi)部匹配 GaN HEMT

C波段 GaN HEMT

型號： SGC7172-30A

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 SGC7172-30A
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 IK

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的SGC7172-30A是一種高功率GaN HEMT匹配C波段應用，提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGC7172-30A
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 IK

型號參數(shù)
高輸出功率：Psat=45.15dBm（典型值）
高增益：Gp=12.15dB（典型值）
高效：PAE=45%（典型值）
阻抗匹配Zin/Zout=50歐姆
密封包裝

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