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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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SGN350H-R 用于雷達(dá)的350W GaN HEMT

型號(hào): SGN350H-R

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型號(hào) SGN350H-R
  • 名稱 氮化鎵晶體管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SGN350H-R

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的GaN HEMT SGN350H-R提供高功率高,適用于L波段雷達(dá)應(yīng)用50V操作和高達(dá)150μsec脈沖的脈沖條件寬度和占空比高達(dá)10%。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型號(hào)                    SGN350H-R
名稱                    氮化鎵晶體管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    SMT


型號(hào)參數(shù)
用于L波段雷達(dá)的高功率GaN HEMT
高功率:400W(典型值)@引腳=10W(40dBm)
高效率:70%(典型值)@引腳=10W(40dBm)
小型無(wú)法蘭封裝


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