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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報(bào)告

?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報(bào)告

半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律,逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求,砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半...

2023-12-21 標(biāo)簽:晶體管功率器件氮化鎵 4.2k 0

電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)集成包括哪些

電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)集成包括哪些

? ? ? ? ? 高集成度:從零部件到多合一,向集成化一體化整合 新能源汽車在輕量化、降成本和優(yōu)化空間布局等性能指標(biāo)要求越來(lái)越高,電驅(qū)系統(tǒng)集成化產(chǎn)品成...

2023-05-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器功率器件電驅(qū)動(dòng) 4.2k 0

嵌入式設(shè)計(jì)入門:三極管基礎(chǔ)電路設(shè)計(jì)

嵌入式設(shè)計(jì)入門:三極管基礎(chǔ)電路設(shè)計(jì)

在嵌入式電路中,三極管一般作為開(kāi)關(guān)器件和功率器件使用,下面就從這兩個(gè)方面講解嵌入式中三極管基礎(chǔ)電路的設(shè)計(jì)。

2016-04-15 標(biāo)簽:三極管嵌入式功率器件 4.1k 0

功率器件環(huán)境可靠性測(cè)試的加速老化物理模型

功率器件環(huán)境可靠性測(cè)試的加速老化物理模型

高溫柵偏(HighTemperatureGateBias,HTGB)、高溫反偏(HighTemperatureReverseBias,HTRB)、高溫高...

2024-04-23 標(biāo)簽:功率器件可靠性測(cè)試半導(dǎo)體服務(wù) 4.1k 0

SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng),相電流監(jiān)測(cè)1

SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng),相電流監(jiān)測(cè)1

開(kāi)關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開(kāi)關(guān)器件,其開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...

2023-04-24 標(biāo)簽:元器件IGBTMOS 4.1k 0

固態(tài)繼電器的基礎(chǔ)知識(shí)

固態(tài)繼電器的基礎(chǔ)知識(shí)

固態(tài)繼電器(SSR)是由微電子電路、分立電子器件和電力電子功率器件組成的非接觸式開(kāi)關(guān)。隔離裝置用于實(shí)現(xiàn)控制端與負(fù)載端之間的隔離。固態(tài)繼電器的輸入端使用微...

2023-11-06 標(biāo)簽:繼電器半導(dǎo)體固態(tài)繼電器 4.1k 0

切割工藝參數(shù)對(duì)6英寸N型碳化硅晶片的影響

切割工藝參數(shù)對(duì)6英寸N型碳化硅晶片的影響

采用砂漿多線切割工藝加工6英寸(1英寸=25.4 mm)N型碳化硅晶體,研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進(jìn)給速度等切割參數(shù)對(duì)晶片切割表面的影響。通過(guò)優(yōu)...

2023-08-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件晶片 4.1k 0

碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是...

2024-01-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 4.1k 0

基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件

基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件

基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢(shì)。GaN-on-Si晶體管的開(kāi)關(guān)速度比MOSFET快10倍,比IGBT快100倍。

2021-04-23 標(biāo)簽:MOSFET晶體管功率器件 4k 0

特斯拉的三電核心技術(shù)技術(shù)分析

特斯拉車型采用CTC技術(shù)后,續(xù)航里程得到大幅提升、每千瓦時(shí)電池生產(chǎn)成本和資本投入也實(shí)現(xiàn)有效降低。

2023-03-31 標(biāo)簽:動(dòng)力電池逆變器特斯拉 4k 0

GaN 器件的封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

近年來(lái),半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展迅速,集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。5G 時(shí)代的到來(lái),對(duì)射頻器件所用半導(dǎo)體材料提出了新要求。氮化鎵(GaN)由于其大禁帶寬度和高飽和電...

2022-07-11 標(biāo)簽:集成電路功率器件GaN 4k 0

真空回流焊爐/真空焊接爐——IGBT功率器件焊接

真空回流焊爐/真空焊接爐——IGBT功率器件焊接

IGBT,全稱絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT),是一種功率開(kāi)關(guān)元件,綜合了電力晶體管(Gi...

2024-08-09 標(biāo)簽:IGBT焊接功率器件 3.9k 0

8英寸SiC晶體生長(zhǎng)熱場(chǎng)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

8英寸SiC晶體生長(zhǎng)熱場(chǎng)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

碳化硅(SiC)材料被認(rèn)為已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè)。其寬帶隙、高溫穩(wěn)定性和高導(dǎo)熱性等特性將為SiC基功率器件帶來(lái)一系列優(yōu)勢(shì)。近年來(lái),隨著新能源汽車企業(yè)...

2023-12-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 3.9k 0

關(guān)于固態(tài)射頻烹飪系統(tǒng)的方案介紹

固態(tài)RF功率器件可以實(shí)現(xiàn)烹飪產(chǎn)品的功率調(diào)節(jié)和高能效。這需要設(shè)計(jì)師對(duì)尺寸、成本和性能作綜合考慮。本次會(huì)議將介紹恩智浦推出的一款可擴(kuò)展功率模塊,它可快速的集...

2018-06-28 標(biāo)簽:nxprf功率器件 3.9k 0

老式的功率器件要求具有最小的負(fù)載以保證穩(wěn)定性

老式的功率器件要求具有最小的負(fù)載以保證穩(wěn)定性

用戶如果使用具有省電模式 (PSM) 的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,則往往會(huì)擔(dān)心穩(wěn)壓器在輕負(fù)載時(shí)的工作情況,因?yàn)?PSM 會(huì)減少工作頻率、跳脈、提供脈沖群或出現(xiàn)這些情況...

2018-05-21 標(biāo)簽:負(fù)載電流功率器件 3.9k 0

什么是碳化硅?碳化硅的拋光方法主要有哪些?

碳化硅(SiC)材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。

2023-02-10 標(biāo)簽:功率器件SiCCMP 3.8k 0

伺服驅(qū)動(dòng)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及開(kāi)發(fā)趨勢(shì)

值得關(guān)注的還有機(jī)械諧振抑制技術(shù)和多軸驅(qū)動(dòng)一體化技術(shù)的發(fā)展。目前一些主流品牌或高檔伺服系統(tǒng)都已具備這種諧振抑制功能,而且均能提供四到五個(gè)不同諧振范圍的機(jī)械...

2023-02-15 標(biāo)簽:控制器半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 3.8k 0

電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的組成和作用

電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的組成和作用

電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)是新能源汽車的核心技術(shù)之一,它的主要任務(wù)是按駕駛員的駕駛意圖,將動(dòng)力電池的化學(xué)能高效地轉(zhuǎn)化為機(jī)械能,經(jīng)過(guò)變速器、驅(qū)動(dòng)軸等機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)車輪...

2023-09-04 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電機(jī)控制變速器 3.8k 0

數(shù)明半導(dǎo)體單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片簡(jiǎn)述

數(shù)明半導(dǎo)體單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片簡(jiǎn)述

數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM59xx和SiLM58xx系列是帶有主動(dòng)保護(hù)和高CMTI的單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片,擁有強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)能力、完善的保護(hù)功能、超高的...

2023-09-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 3.7k 1

常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件封裝用陶瓷基板材料

常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件封裝用陶瓷基板材料

功率電子器件即功率半導(dǎo)體器件(power electronic device),通常是指用于控制大功率電路的電子器件(數(shù)十至數(shù)千安培的電流,數(shù)百伏以上的...

2023-06-09 標(biāo)簽:封裝IGBT功率器件 3.7k 0

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    工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來(lái)項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助,投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平,建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠,在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題

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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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