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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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SEMI-e 第六屆深圳國際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會(huì)將持續(xù)關(guān)注產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)和發(fā)展前沿,向20多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域提供一站式采購與技術(shù)交流平臺(tái)。
雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。...
IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一,器件在運(yùn)行中測(cè)量此溫度是非常困難的。一個(gè)方法是通過使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計(jì)芯片穩(wěn)定工...
基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計(jì)
作者:Alex Lidow,Michael de Rooij,Andreas Reiter 氮化鎵(GaN)功率器件已投入生產(chǎn)10多年,除了性能和成本方...
碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用展望
碳化硅作為一種寬禁帶材料,具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn),可以實(shí)現(xiàn)高壓、大功率、高頻、高溫應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體器件。該文對(duì)碳化硅功率...
2023-01-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 3.5k 0
關(guān)于固態(tài)RF烹飪產(chǎn)品的最佳腔體設(shè)計(jì)方案的介紹
將固態(tài)RF功率器件用于烹飪產(chǎn)品需要考慮許多因素,比如腔體尺寸和形狀、功率饋入方式與位置、功率等級(jí)和散熱方式等。本次會(huì)議重點(diǎn)介紹實(shí)現(xiàn)最佳腔體的設(shè)計(jì)和仿真方法。
今天給大家講一下關(guān)于MOS管燒毀的原因,文字比較多點(diǎn),不容易讀,希望大家可以認(rèn)真看完。
2023-04-18 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管過電壓 3.5k 0
功率二極管是一種半導(dǎo)體器件,它與普通二極管類似,但其能夠承受更大的功率和電流,因此被廣泛應(yīng)用于各種功率電子電路中。功率二極管通常用于轉(zhuǎn)換或控制高電壓、大...
散熱器通常用于吸收和散發(fā)來自電子功率器件(如晶體管、可控硅、三端雙向可控硅等)的過多熱量,以便將器件溫度控制在其最大可容忍極限以下。
扁線電機(jī)激光焊接工藝的8大應(yīng)用難點(diǎn)
在實(shí)際上生產(chǎn)中,扁線電機(jī)會(huì)比當(dāng)前的圓線生產(chǎn)要求更高的穩(wěn)定性和合格率。今天我們就來看看,扁線電機(jī)定子生產(chǎn)過程中,當(dāng)下主流的6大核心工序!
引線框架的引腳壓傷是嚴(yán)重的質(zhì)量問題。引腳壓傷不僅會(huì)影響產(chǎn)品的外觀質(zhì)量,嚴(yán)重時(shí)會(huì) 導(dǎo)致產(chǎn)品的電性能異常,甚至導(dǎo)致終端使用時(shí)發(fā)生短路、尖端放電等問題。
2023-09-14 標(biāo)簽:功率器件 3.4k 0
SiC功率模塊的液冷散熱設(shè)計(jì)與節(jié)能分析
為綜合評(píng)估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果,設(shè)計(jì)了串聯(lián)、并聯(lián)與串并聯(lián)三種冷板流道結(jié)構(gòu), 從器件溫升、系統(tǒng)能效、散熱性能三個(gè)方面共計(jì)10項(xiàng)指標(biāo)評(píng)估了冷板性...
SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)
SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device),是先進(jìn)的頂部散熱絕緣封裝,由IXYS(現(xiàn)在是Littelfuse公...
伴隨著功率器件 (包括 LED、LD、IGBT、CPV 等) 不斷發(fā)展,散熱成為影響器件性能與可靠性的關(guān)鍵技術(shù)。對(duì)于電子器件而言,通常溫度每升高 10°...
倍思氮化鎵充電器是一款優(yōu)秀的充電器,具有高效、快速、安全、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)。下面我們將詳細(xì)介紹倍思氮化鎵充電器的優(yōu)缺點(diǎn)、使用體驗(yàn)和與其他產(chǎn)品的比較,幫助您更好...
DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡(jiǎn)稱,由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場(chǎng),迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIP...
2023-02-12 標(biāo)簽:pcbIGBTPCB設(shè)計(jì) 3.2k 0
碳化硅功率器件在中高壓電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
光伏,電動(dòng)汽車,儲(chǔ)能充電等電力電子系統(tǒng)向更高電壓發(fā)展是目前行業(yè)中的趨勢(shì)。
2022-08-01 標(biāo)簽:功率器件碳化硅瑞能半導(dǎo)體 3.2k 0
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