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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

IGBT可靠性與壽命評(píng)估研究

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IGBT 作為新能源汽車電機(jī)控制器的核心部件,直接決定了電動(dòng)汽車的安全性和可靠性。本文主要介 紹采用熱敏感電參數(shù)法提取 IGBT 結(jié)溫,并結(jié)合 CLTC...

2023-05-05 標(biāo)簽:控制器cpuIGBT 2.7k 0

MOSFET的概念、應(yīng)用及選型

MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的功率開關(guān)器件,也是現(xiàn)代電子設(shè)備和電路中最重要的元件之一。它由金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組成。

2024-01-17 標(biāo)簽:放大器MOSFET晶體管 2.7k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展趨勢(shì)

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隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料,正在引發(fā)一場(chǎng)革命。與傳統(tǒng)的硅(Si)器件相比,碳化硅器件具有更高的耐壓、更低的...

2024-01-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件碳化硅 2.7k 0

碳化硅功率器件及應(yīng)用

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碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。作...

2023-05-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 2.7k 0

氧化鎵功率器件動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試方案

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在氮化鎵和碳化硅之后,氧化鎵(Ga?O?)正以超高擊穿電壓與低成本潛力,推動(dòng)超寬禁帶功率器件進(jìn)入大規(guī)模落地階段。

2025-07-11 標(biāo)簽:電源模塊功率器件氧化鎵 2.7k 0

半導(dǎo)體芯片學(xué)習(xí)筆記-熱特性02

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上次了解了熱阻,我們知道了熱阻類似電阻,可以看成表征導(dǎo)熱快慢的物理量,熱阻Rth=溫度差ΔT/功率P

2023-05-30 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 2.7k 0

金屬封裝功率器件管殼鍍金層腐蝕機(jī)理研究

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金屬封裝形式的氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管( VDMOS ), 在經(jīng)歷篩選試驗(yàn)后,管殼表面的金屬層出現(xiàn)了腐蝕形貌, 通過(guò)顯微鏡觀察、 掃描電鏡、 EDS 能...

2024-06-20 標(biāo)簽:VDMOS封裝功率器件 2.7k 1

為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位

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各位小伙伴,不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位?》后反響熱烈,很多朋友留言詢問(wèn)課件...

2024-12-19 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 2.7k 0

新潔能1500V和1700V系列功率VDMOS新品介紹

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在變頻器輔助電源或光伏逆變器中,輔助電源的主要作用是將DC高壓降壓后,為驅(qū)動(dòng)IC、主控MCU、通訊模塊芯片等供電。以380V系統(tǒng)的變頻器為例,因輔助電源...

2023-10-16 標(biāo)簽:mcu變頻器MOS管 2.7k 0

igbt功率管寄生電容怎么測(cè)量大小

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容,這些電容會(huì)影響IGBT的...

2024-08-07 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率管 2.6k 0

第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用

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碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)功率器件新變革。

2023-09-19 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體IGBT 2.6k 0

大功率IGBT和SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計(jì)方案

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隨著新能源技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)大功率半導(dǎo)體器件的需求日益增加。特別是在可再生能源領(lǐng)域,需要能夠承載巨大電流的功率器件。然而,由于生產(chǎn)成本、技術(shù)難度以及市場(chǎng)...

2024-08-01 標(biāo)簽:MOSFET安森美IGBT 2.6k 0

SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

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碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在電力電子器件中發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率...

2024-04-29 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 2.6k 0

車用電控設(shè)備(50w)散熱器的設(shè)計(jì)與測(cè)試

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在汽車電控設(shè)備設(shè)計(jì)中,電子器件是設(shè)備中的關(guān)鍵器件,電子器件散熱設(shè)計(jì)的好壞直接影響整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。文章介紹了一種車用電控設(shè)備中50w散熱器的設(shè)計(jì),并從使...

2013-06-14 標(biāo)簽:新能源汽車PCB散熱器 2.6k 0

碳化硅(SiC)功率器件核心優(yōu)勢(shì)及技術(shù)挑戰(zhàn)

碳化硅(SiC)功率器件核心優(yōu)勢(shì)及技術(shù)挑戰(zhàn)

SiC器件的核心優(yōu)勢(shì)在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來(lái)說(shuō),SiC的禁帶寬度是硅的近3倍,這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能;其熱導(dǎo)率是硅的...

2024-03-08 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 2.6k 0

GaN功率器件在工業(yè)電機(jī)控制領(lǐng)域的應(yīng)用

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GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復(fù)雜工業(yè)電機(jī)控制應(yīng)用中的傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT。

2022-08-12 標(biāo)簽:電機(jī)控制功率器件氮化鎵 2.6k 0

功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模分析和應(yīng)用領(lǐng)域

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功率器件包括二極管、晶體管和晶閘管三大類,其中晶體管市場(chǎng)份額最大,常見的晶體管主要包括MOSFET、IGBT、BJT等。功率 IC是指將高壓功率器件與其...

2023-12-18 標(biāo)簽:三極管MOSFETIGBT 2.6k 0

單極性正弦波脈寬調(diào)制方式

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隨著功率器件的發(fā)展,正弦波脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用,SPWM 控制是在逆變器輸出交流電能的一個(gè)周期內(nèi),將直流電能斬成幅值相等而寬度根據(jù)正...

2024-12-27 標(biāo)簽:正弦波脈寬調(diào)制功率器件 2.5k 0

DBA直接覆鋁陶瓷基板:功率器件封裝材料來(lái)勢(shì)洶洶!

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DBA直接覆鋁陶瓷基板(Direct Bonding Aluminum Ceramic Substrate,簡(jiǎn)稱DBA)是一種新型的電子材料,將會(huì)成為未...

2023-05-22 標(biāo)簽:功率器件DBA超級(jí)充電站 2.5k 0

幾種led襯底的主要特性對(duì)比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處

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GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為:襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中,襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底,GaN自然是最適合用來(lái)作為GaN外延...

2023-08-10 標(biāo)簽:led功率器件氮化鎵 2.5k 0

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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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