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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1910個(gè) 瀏覽：94250次 帖子：51個(gè)

      功率器件技術(shù)

      幾種led襯底的主要特性對(duì)比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處

      幾種led襯底的主要特性對(duì)比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處

      GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中，襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來(lái)作為GaN外延...

      2023-08-10 標(biāo)簽：led功率器件氮化鎵 2.5k 0

      功率半導(dǎo)體生命周期中的測(cè)試挑戰(zhàn)

      功率半導(dǎo)體生命周期中的測(cè)試挑戰(zhàn)

      盡管他們可以在一兩個(gè)領(lǐng)域中積累專家級(jí)知識(shí)，但他們很少能了解同行們?cè)诋a(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期其他領(lǐng)域面臨的測(cè)試和表征挑戰(zhàn)。他們有時(shí)需要與其他工程師協(xié)作，在他們走出舒適...

      2017-08-25 標(biāo)簽：測(cè)試測(cè)量泰克功率器件 2.5k 0

      半導(dǎo)體保險(xiǎn)絲/高速熔斷器選型指導(dǎo)

      高速熔斷器作為保護(hù)半導(dǎo)體的器件，通過(guò)其本體的電流可能是直流，也可能是交流，或者是脈沖電流，因此計(jì)算等效工作電流是熔斷器選型的第一步驟。

      2023-02-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體保險(xiǎn)絲功率器件 2.5k 0

      碳化硅規(guī)?；瘧?yīng)用的技術(shù)難點(diǎn)

      碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)等環(huán)節(jié)。上游是襯底和外延、中游是器件和模塊制造，下游是終端應(yīng)用。

      2023-03-22 標(biāo)簽：逆變器功率器件碳化硅 2.5k 0

      一文詳解功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)方案

      一文詳解功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)方案

      通過(guò)對(duì)現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻(xiàn)的總結(jié)，從器件封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。

      2023-04-26 標(biāo)簽：pcb半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 2.5k 0

      DBA直接覆鋁陶瓷基板將成為未來(lái)電子材料領(lǐng)域的新寵

      DBA直接覆鋁陶瓷基板將成為未來(lái)電子材料領(lǐng)域的新寵

      隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型材料也不斷涌現(xiàn)。其中，直接覆鋁陶瓷基板（DBA基板）因其優(yōu)良的性能表現(xiàn)備受矚目，成為電子行業(yè)中備受關(guān)注的材料之一。

      2023-09-14 標(biāo)簽：功率器件SAMDBA 2.5k 0

      碳化硅和IGBT器件的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢(shì)

      本文探討了碳化硅和IGBT器件在未來(lái)的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢(shì)，以及如何通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新和優(yōu)化來(lái)滿足不同應(yīng)用的需求。其中，英飛凌作為國(guó)際品牌的代表，其第四代產(chǎn)品已...

      2023-10-28 標(biāo)簽：IGBT功率器件工業(yè)電源 2.4k 0

      氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域

      碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

      2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件碳化硅寬禁帶 2.4k 0

      一文解析SiC功率器件互連技術(shù)

      一文解析SiC功率器件互連技術(shù)

      和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開(kāi)關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶...

      2024-03-07 標(biāo)簽：MOSFET功率器件互連技術(shù) 2.4k 0

      SiC功率器件性能和可靠性的提升

      SiC功率器件性能和可靠性的提升

      在電力電子領(lǐng)域，碳化硅(SiC)技術(shù)對(duì)于推動(dòng)向電動(dòng)移動(dòng)性的轉(zhuǎn)變和提高可再生能源系統(tǒng)的效率至關(guān)重要。隨著市場(chǎng)需求的增加，功率半導(dǎo)體公司面臨著迅速擴(kuò)大生產(chǎn)能...

      2024-07-04 標(biāo)簽：功率器件SiC器件 2.4k 0

      絕緣柵Si基GaN平面器件關(guān)鍵工藝

      絕緣柵Si基GaN平面器件關(guān)鍵工藝

      傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高...

      2023-04-29 標(biāo)簽：功率器件GaN金屬 2.4k 0

      隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的介紹和選型指南

      隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的介紹和選型指南

      功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源...

      2023-05-17 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源電路 2.4k 0

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（三）——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（三）——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法

      功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本...

      2024-11-05 標(biāo)簽：散熱器功率器件功率半導(dǎo)體 2.4k 0

      一種基于全HVPE生長(zhǎng)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管

      一種基于全HVPE生長(zhǎng)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管

      近日，由深圳大學(xué)和深圳信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院組成的科研團(tuán)隊(duì)，研發(fā)出了“基于全HVPE生長(zhǎng)、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘...

      2023-06-13 標(biāo)簽：二極管功率器件GaN 2.4k 0

      碳化硅(SiC)功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

      隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。然而，隨著電力電子設(shè)備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展，傳統(tǒng)...

      2023-12-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 2.4k 0

      絕緣柵GaN基平面功率開(kāi)關(guān)器件技術(shù)

      絕緣柵GaN基平面功率開(kāi)關(guān)器件技術(shù)

      GaN基功率開(kāi)關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵...

      2023-04-29 標(biāo)簽：功率器件GaN開(kāi)關(guān)器件 2.4k 0

      碳化硅功率器件可靠性測(cè)試方法詳解

      碳化硅功率器件可靠性測(cè)試方法詳解

      可靠性，是指產(chǎn)品在規(guī)定時(shí)間內(nèi)和條件下完成規(guī)定功能的能力，是產(chǎn)品質(zhì)量的重要指標(biāo)，如果在規(guī)定時(shí)間內(nèi)和條件下產(chǎn)品失去了規(guī)定的功能，則稱之為產(chǎn)品失效或出現(xiàn)了故障...

      2023-07-21 標(biāo)簽：MOSFET功率器件可靠性測(cè)試 2.4k 0

      碳化硅(SiC)功率器件特性及應(yīng)用

      碳化硅(SiC)功率器件特性及應(yīng)用

      碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，相比于傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的熱導(dǎo)率、更大的電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度和更高的載流子遷移率等特點(diǎn)。

      2024-04-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件SiC 2.4k 0

      SiC功率器件和模塊！

      SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)（擊穿場(chǎng)）和帶隙...

      2022-11-22 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 2.3k 0

      電源紋波的產(chǎn)生及測(cè)量方法

      電源紋波的產(chǎn)生及測(cè)量方法

      使用帶有地線環(huán)的示波器探頭，將探針直接接觸正輸出的管腳，線環(huán)直接接觸負(fù)輸出的管腳，這是由于使得環(huán)路盡量短，這樣從示波器中讀出的峰值為輸出線上的紋波與噪聲。

      2024-03-14 標(biāo)簽：示波器功率器件EMI濾波器 2.3k 0

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        工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來(lái)項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國(guó)加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉市。
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        OpenWrt 可以被描述為一個(gè)嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對(duì)比一個(gè)單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個(gè)完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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        ARM架構(gòu)過(guò)去稱作進(jìn)階精簡(jiǎn)指令集機(jī)器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個(gè)32位精簡(jiǎn)指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
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        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問(wèn)網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
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        OMAPL138
        +關(guān)注
        OMAP-L138是美國(guó)德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器 （DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開(kāi)發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對(duì)高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長(zhǎng)電池使用壽命的需求。
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