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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1910個 瀏覽：94239次 帖子：51個

      功率器件技術(shù)

      幾種優(yōu)化EM的有效措施

      幾種優(yōu)化EM的有效措施

      由于電遷移效應(yīng)，金屬線可能會斷裂并短路。EM會增加導(dǎo)線電阻，這會導(dǎo)致電壓下降，從而導(dǎo)致設(shè)備降速。由于短路或開路，它還可能導(dǎo)致電路永久性故障。

      2023-11-30 標(biāo)簽：電流MOS管電源模塊 2.9k 0

      功率半導(dǎo)體器件陶瓷覆銅板用無氧銅帶

      陶瓷覆銅板是在高溫，流動氣氛下銅帶與陶瓷基片通過高溫熔煉和擴(kuò)散過程而形成的一種高導(dǎo)熱、高絕緣強(qiáng)度的復(fù)合材料，既具有陶瓷的高導(dǎo)熱性、高電絕緣性、高機(jī)械強(qiáng)度...

      2023-04-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件工藝流程 2.9k 0

      GaN電源系統(tǒng)性能升級的奧秘

      GaN電源系統(tǒng)性能升級的奧秘

      如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電...

      2022-02-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件GaN 2.9k 0

      功率半導(dǎo)體的工作原理是什么

      功率半導(dǎo)體是一類能夠控制和調(diào)節(jié)大電流和高電壓的半導(dǎo)體器件。它可以將小信號控制電流或電壓轉(zhuǎn)換成大信號輸出，廣泛應(yīng)用于電力電子、工業(yè)自動化、交通運(yùn)輸、新能源...

      2023-02-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 2.8k 0

      淺談降低MOSFET損耗和及EMI性能提高

      MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是...

      2023-04-18 標(biāo)簽：MOSFETemi功率器件 2.8k 0

      中山大學(xué)王鋼教授團(tuán)隊(duì)在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進(jìn)展

      中山大學(xué)王鋼教授團(tuán)隊(duì)在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進(jìn)展

      該綜述總結(jié)了NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀，為之后設(shè)計(jì)高性能的NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)器件提供了參考，對β-Ga2O3雙極型器...

      2023-06-30 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料氧化鎵 2.8k 0

      功率半導(dǎo)體的功能有哪些

      功率半導(dǎo)體是指用于高電壓、高電流應(yīng)用的半導(dǎo)體器件，其功能包括但不限于以下幾個方面： 開關(guān)控制：功率半導(dǎo)體器件常常用于開關(guān)控制電路中，通過控制其導(dǎo)通和截止...

      2023-02-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 2.8k 0

      GeneSiC的起源和碳化硅的未來

      GeneSiC的起源和碳化硅的未來

      SiC 技術(shù)的先驅(qū)引領(lǐng)系統(tǒng)效率，高度關(guān)注可靠性和耐用性。近 20 年來， GeneSiC 開創(chuàng)了高性能， 堅(jiān)固， 和可靠的碳化硅 （SiC） 用于汽車、...

      2023-10-25 標(biāo)簽：二極管驅(qū)動器功率器件 2.8k 0

      雙脈沖測試平臺架構(gòu)可解決客戶在功率器件常見的問題

      雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。

      2022-10-12 標(biāo)簽：功率器件電流探頭脈沖測試 2.8k 0

      SiC外延片制備技術(shù)解析

      SiC外延片制備技術(shù)解析

      碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。

      2023-08-15 標(biāo)簽：晶圓功率器件SiC 2.8k 0

      電機(jī)驅(qū)動中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景

      電機(jī)驅(qū)動中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景

      通過采用電子馬達(dá)驅(qū)動器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對電機(jī)的增強(qiáng)型控制，此類驅(qū)動器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動器采用...

      2021-04-28 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動功率器件氮化鎵 2.8k 0

      推挽式開關(guān)電源的優(yōu)勢及工作原理

      推挽式開關(guān)電源是一種常見的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在推挽式開關(guān)電源中，MOS管是核心的功率器件之一，其性能直接影響到整個電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性...

      2024-08-15 標(biāo)簽：電子設(shè)備功率器件電源拓?fù)?/a> 2.8k 0

      功率二極管有哪些類型

      功率二極管是一種特殊的二極管，它們的主要特點(diǎn)是可以承受較大的電流和功率。根據(jù)不同的用途和規(guī)格要求，功率二極管有多種類型，以下是其中一些常見的類型： 普通...

      2023-02-18 標(biāo)簽：二極管功率二極管功率器件 2.8k 0

      英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則

      英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則

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      2023-11-23 標(biāo)簽：英飛凌IGBT功率器件 2.8k 0

      IGBT功率器件的散熱方式

      IGBT功率器件的散熱方式

      功率器件的正常運(yùn)行在很大程度上依賴于散熱。常用的散熱方式有自冷、風(fēng)冷、水冷和沸騰冷卻四種。

      2024-07-15 標(biāo)簽：IGBT功率器件功率電路 2.8k 0

      功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC?MOSFET技術(shù)解析

      功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC?MOSFET技術(shù)解析

      功率轉(zhuǎn)換器中越來越多地使用碳化硅（SiC）晶體管，這對尺寸，重量和/或效率提出了很高的要求。與雙極IGBT器件相反，SiC出色的材料性能使它可以設(shè)計(jì)快速...

      2021-05-20 標(biāo)簽：MOSFET晶體管功率器件 2.8k 0

      晶圓級MOSFET的直接漏極設(shè)計(jì)

      晶圓級MOSFET的直接漏極設(shè)計(jì)

      本文主要講述什么是晶圓級芯粒封裝中的分立式功率器件。 分立式功率器件作為電源管理系統(tǒng)的核心單元，涵蓋二極管、MOSFET、IGBT等關(guān)鍵產(chǎn)品，在個人計(jì)算...

      2025-09-05 標(biāo)簽：MOSFET晶圓封裝 2.8k 0

      GaN和SiC基功率半導(dǎo)體的寬帶隙技術(shù)

      GaN和SiC基功率半導(dǎo)體的寬帶隙技術(shù)

      尋找硅替代物的研究始于上個世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時研究人員和大學(xué)已經(jīng)對幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn)，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材...

      2021-04-01 標(biāo)簽：二極管功率器件GaN 2.7k 0

      氮化鎵功率器件分類 氮化鎵充電器為什么充電快

      　氮化鎵功率器件可以分為三類：MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。

      2023-02-19 標(biāo)簽：晶閘管IGBT功率器件 2.7k 0

      東科四款合封氮化鎵快充芯片量產(chǎn)，多款應(yīng)用案例剖析

      在氮化鎵快充市場不斷拓展的過程中，電源技術(shù)水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅(qū)動+氮化鎵功率器件組合設(shè)計(jì)，不僅電路布局較為復(fù)雜，...

      2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵快充芯片 2.7k 0

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      • 工業(yè)4.0
        工業(yè)4.0
        +關(guān)注
        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        英偉達(dá)
        +關(guān)注
        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
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        無人機(jī)技術(shù)
        +關(guān)注
        以無人駕駛來說，城市中將建造一個巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機(jī)就能隨時呼叫無人駕駛汽車服務(wù)；交警能精準(zhǔn)判斷每一輛汽車去向，更有效地管理交通……
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
        OpenWrt 可以被描述為一個嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對比一個單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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        +關(guān)注
        ARM架構(gòu)過去稱作進(jìn)階精簡指令集機(jī)器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個32位精簡指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
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        Qualcomm最新的“龍板”——Qualcomm DragonBoard 410c，是一枚功能極為強(qiáng)大，身材特別小巧的開發(fā)板，它集成了目前最流行的智能手機(jī)處理能力，幫您實(shí)現(xiàn)對各種智能硬件的天馬行空想象。您可以研用“龍板”實(shí)現(xiàn)高清視頻、Wi-Fi/藍(lán)牙、多媒體、3D游戲等各項(xiàng)功能。
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      • Windows CE
        Windows CE
        +關(guān)注
        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動計(jì)算平臺的基礎(chǔ)，它是一個開放的、可升級的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
      • JDI
        JDI
        +關(guān)注
        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
      • NFS
        NFS
        +關(guān)注
        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
      • 麒麟960
        麒麟960
        +關(guān)注
        麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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        米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計(jì)費(fèi)控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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        +關(guān)注
        ARM公司是一家知識產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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        OpenStack是一個開源的云計(jì)算管理平臺項(xiàng)目，是一系列軟件開源項(xiàng)目的組合。由NASA（美國國家航空航天局）和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起，以Apache許可證（Apache軟件基金會發(fā)布的一個自由軟件許可證）授權(quán)的開源代碼項(xiàng)目。
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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      • OMAPL138
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        OMAP-L138是美國德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號處理器 （DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。
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