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半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

SOI工藝技術(shù)介紹

在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)追求更高性能、更低功耗的今天，一種名為“SOI（Silicon-On-Insulator）”的工藝技術(shù)逐漸成為行業(yè)焦點(diǎn)。無(wú)論是智能手機(jī)、...

2025-10-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 SOI 321 0

淺談三維集成封裝技術(shù)的演進(jìn)

在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，堆疊技術(shù)作為推動(dòng)高集成度與小型化的核心趨勢(shì)，正通過垂直堆疊芯片或封裝實(shí)現(xiàn)更緊湊的封裝尺寸及優(yōu)化的電氣性能——其驅(qū)動(dòng)力不僅源于信號(hào)傳輸與...

2025-10-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三維集成封裝 900 0

熱載流子注入效應(yīng)對(duì)芯片有什么危害

熱載流子注入效應(yīng)(Hot Carrier Inject, HCI)是半導(dǎo)體器件(如晶體管)工作時(shí)，高能電子或空穴突破材料勢(shì)壘、侵入絕緣層的物理現(xiàn)象。當(dāng)芯...

2025-10-21 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶體管 339 0

一文讀懂共聚焦顯微鏡的系統(tǒng)組成

共聚焦顯微鏡作為半導(dǎo)體、材料科學(xué)等領(lǐng)域的重要成像設(shè)備，其核心優(yōu)勢(shì)在于突破傳統(tǒng)光學(xué)顯微鏡的焦外模糊問題。光子灣科技深耕光學(xué)測(cè)量領(lǐng)域，其共聚焦顯微鏡技術(shù)優(yōu)勢(shì)...

2025-10-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料顯微鏡 61 0

MDD橋堆開路失效或單向?qū)ǖ脑蚺c解決方案

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體橋堆（BridgeRectifier）是電源電路中最基礎(chǔ)也是最關(guān)鍵的整流器件，它負(fù)責(zé)將交流電（AC）轉(zhuǎn)換為直流電（DC），為后級(jí)電路提供...

2025-10-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體整流器橋堆 100 0

共聚焦顯微鏡在半導(dǎo)體硅晶圓檢測(cè)中的應(yīng)用

半導(dǎo)體制造工藝中，經(jīng)晶棒切割后的硅晶圓尺寸檢測(cè)，是保障后續(xù)制程精度的核心環(huán)節(jié)。共聚焦顯微鏡憑借其高分辨率成像能力與無(wú)損檢測(cè)特性，成為檢測(cè)過程的關(guān)鍵分析工...

2025-10-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓顯微鏡 155 0

sc-1和sc-2能洗掉什么雜質(zhì)

半導(dǎo)體晶圓清洗工藝中，SC-1與SC-2作為RCA標(biāo)準(zhǔn)的核心步驟，分別承擔(dān)著去除有機(jī)物/顆粒和金屬離子的關(guān)鍵任務(wù)。二者通過酸堿協(xié)同機(jī)制實(shí)現(xiàn)污染物的分層剝...

2025-10-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體濕法 189 0

sc-1和sc-2可以一起用嗎

SC-1和SC-2可以一起使用，但需遵循特定的順序和工藝條件。以下是其協(xié)同應(yīng)用的具體說明：分步實(shí)施的邏輯基礎(chǔ)SC-1的核心作用：由氨水（NH?OH）、過...

2025-10-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體濕法清洗機(jī) 147 0

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運(yùn)算放大器作為電子系統(tǒng)的“信號(hào)調(diào)理中樞”，在便攜式設(shè)備、工業(yè)傳感、醫(yī)療儀器等領(lǐng)域不可或缺。但實(shí)際應(yīng)用中，低功耗與續(xù)航的矛盾、高源阻抗信號(hào)的失真、嚴(yán)苛環(huán)境...

2025-10-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體運(yùn)算放大器國(guó)產(chǎn)芯片 2.1k 0

【海翔科技】東京精密 TOKYO SEIMITSU Vega 系列二手探針臺(tái) Vega Planet｜現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)機(jī)測(cè)試保障

一、引言在高端半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域，東京精密 TOKYO SEIMITSU Vega 系列的 Vega Planet 探針臺(tái)以其全方位的性能表現(xiàn)，成為復(fù)...

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從3C電子到半導(dǎo)體封裝，微型導(dǎo)軌具備哪些優(yōu)勢(shì)？

微型導(dǎo)軌憑借超小體積、高負(fù)載能力及低摩擦特性，成為高精度設(shè)備中不可或缺的傳動(dòng)元件。

2025-10-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體導(dǎo)軌 3C電子 316 0

揭露半導(dǎo)體功率器件——PIM功率集成模塊，一文讀懂它的所有

前言在電力電子領(lǐng)域，高電壓、大電流場(chǎng)景對(duì)功率器件的集成度、可靠性與散熱性能提出了嚴(yán)苛要求。PIM（功率集成模塊）通過“多器件高密度封裝”的高集成設(shè)計(jì)，將...

2025-10-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 pim 185 0

半導(dǎo)體制備中晶圓凹槽（Notch）與定位邊（Flat）工藝的詳解

同行都知道：晶圓，它是微電子產(chǎn)業(yè)的行業(yè)術(shù)語(yǔ)之一，英文稱作：Wafer。其中，高純度的硅（純度，99.99......，小數(shù)點(diǎn)后面9-11個(gè)9），一般被做...

2025-10-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 Notch 79 0

共聚焦顯微鏡如何檢測(cè)半導(dǎo)體增材膜形貌與缺陷

在微電子、光電子等高端領(lǐng)域，半導(dǎo)體增材膜的性能與其三維形貌及內(nèi)部缺陷高度關(guān)聯(lián)，表面粗糙度影響器件電學(xué)接觸穩(wěn)定性，孔隙、裂紋等缺陷則直接決定薄膜的機(jī)械強(qiáng)度...

2025-09-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體測(cè)量顯微鏡 2.2k 0

金屬-半導(dǎo)體接觸電阻測(cè)量的TLM標(biāo)準(zhǔn)化研究：模型優(yōu)化與精度提升

Xfilm埃利測(cè)量專注于電阻/方阻及薄膜電阻檢測(cè)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)與技術(shù)突破，致力于為全球集成電路和光伏產(chǎn)業(yè)提供高精度、高效率的量檢測(cè)解決方案。公司以核心技...

2025-09-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電阻測(cè)量 TLM 205 0

從實(shí)驗(yàn)室到應(yīng)用：半金屬與單層半導(dǎo)體接觸電阻的創(chuàng)新解決方案

金屬-半導(dǎo)體界面接觸電阻是制約半導(dǎo)體器件微縮化的關(guān)鍵問題。傳統(tǒng)金屬（如Ni、Ti）與二維半導(dǎo)體接觸時(shí)，金屬誘導(dǎo)帶隙態(tài)（MIGS）導(dǎo)致費(fèi)米能級(jí)釘扎，形成肖...

2025-09-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室接觸電阻 290 0

臺(tái)階儀/橢偏儀在不同半導(dǎo)體關(guān)鍵工序中的計(jì)量技術(shù)與應(yīng)用

隨著半導(dǎo)體技術(shù)向高集成度與高性能方向不斷發(fā)展，工藝尺寸持續(xù)縮小，制造工藝對(duì)膜厚、線寬、臺(tái)階高度及電阻率等關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)量精度提出了更高要求。然而，半導(dǎo)體測(cè)...

2025-09-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體測(cè)量 233 0

面向硅基產(chǎn)線：二維半導(dǎo)體接觸電阻的性能優(yōu)化

隨著硅基集成電路進(jìn)入后摩爾時(shí)代，二維過渡金屬硫化物（TMDCs，如MoS?、WS?）憑借原子級(jí)厚度、優(yōu)異的開關(guān)特性和無(wú)懸掛鍵界面，成為下一代晶體管溝道材...

2025-09-29 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體接觸電阻 418 0

半導(dǎo)體歐姆接觸工藝 | MoGe?P?實(shí)現(xiàn)超低接觸電阻的TLM驗(yàn)證

二維半導(dǎo)體因其原子級(jí)厚度和獨(dú)特電學(xué)性質(zhì)，成為后摩爾時(shí)代器件的核心材料。然而，金屬-半導(dǎo)體接觸電阻成為限制器件性能的關(guān)鍵瓶頸。傳統(tǒng)二維半導(dǎo)體（如MoS?、...

2025-09-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體接觸電阻 TLM 320 0

基于改進(jìn)傳輸線法（TLM）的金屬 - 氧化鋅半導(dǎo)體界面電阻分析

傳輸線方法（TLM）作為常見的電阻測(cè)量技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件中溝道電阻與接觸電阻的提取。傳統(tǒng)的TLM模型基于理想歐姆接觸假設(shè)，忽略了界面缺陷、勢(shì)壘等...

2025-09-29 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體 TLM 226 0

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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的?？梢酝ㄟ^控制脈沖個(gè)數(shù)來(lái)控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過控制脈沖頻率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬，賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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TMS320F28335

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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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