再生晶圓和普通晶圓的區(qū)別

再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色，二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場景等方面。以下是具體分析：定義與來源差異普通晶圓：...

2025-09-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓制造 314 0

集成電路制造中封裝失效的機理和分類

隨著封裝技術(shù)向小型化、薄型化、輕量化演進，封裝缺陷對可靠性的影響愈發(fā)凸顯，為提升封裝質(zhì)量需深入探究失效機理與分析方法。

2025-09-22 標(biāo)簽：集成電路晶圓封裝 347 0

[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向

一、引言 碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用?？偤穸绕睿═TV）是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指...

2025-09-22 標(biāo)簽：晶圓厚度測量碳化硅 1.3k 0

【新啟航】大尺寸碳化硅（150mm+）TTV 厚度均勻性提升技術(shù)

一、引言 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，碳化硅（SiC）作為關(guān)鍵的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其應(yīng)用愈發(fā)廣泛。大尺寸碳化硅（150mm+）晶圓在提高芯片生產(chǎn)效率、降...

2025-09-20 標(biāo)簽：晶圓SiC碳化硅 302 0

一文詳解半導(dǎo)體與CMOS工藝

天然沙子里富含二氧化硅（SiO?），人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅，以此制造集成電路。單晶硅對純度要求極高，需達到99.9999999%（即9個9）以...

2025-09-17 標(biāo)簽：CMOS半導(dǎo)體晶圓 504 0

“準(zhǔn)”字當(dāng)頭：鑫圖光電以“高靈敏之眼” 賦能半導(dǎo)體檢測精度提升

隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮，傳統(tǒng)光學(xué)檢測正面臨前所未有的精度挑戰(zhàn)，一雙更敏銳的“眼睛”已成為突破檢測瓶頸的關(guān)鍵。這一需求正推動科學(xué)相機從傳統(tǒng)的“成像...

2025-09-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓電流噪聲 271 0

不同尺寸晶圓需要多少轉(zhuǎn)速的甩干機？

在半導(dǎo)體制造中，不同尺寸的晶圓對甩干機的轉(zhuǎn)速需求存在差異，但通常遵循以下規(guī)律：小尺寸晶圓（如≤8英寸）這類晶圓由于質(zhì)量較輕、結(jié)構(gòu)相對簡單，可采用較高的轉(zhuǎn)...

2025-09-17 標(biāo)簽：晶圓轉(zhuǎn)速 218 0

有哪些常見的晶圓清洗故障排除方法？

以下是常見的晶圓清洗故障排除方法，涵蓋從設(shè)備檢查到工藝優(yōu)化的全流程解決方案：一、清洗效果不佳（殘留污染物或顆粒超標(biāo)）1.確認(rèn)污染物類型與來源視覺初判：使...

2025-09-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓清洗 284 0

【新啟航】碳化硅 TTV 厚度測量中的各向異性效應(yīng)及其修正算法

一、引言 碳化硅（SiC）憑借優(yōu)異的物理化學(xué)性能，成為功率半導(dǎo)體器件的核心材料?？偤穸绕睿═TV）作為衡量 SiC 襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，其精確測量對器...

2025-09-16 標(biāo)簽：晶圓厚度測量碳化硅 1.5k 0

探針式與非接觸式碳化硅 TTV 厚度測量方法對比評測

一、引言 碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。總厚度偏差（TTV）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，準(zhǔn)確測量 TTV...

2025-09-10 標(biāo)簽：晶圓厚度測量碳化硅 810 0

芯片研發(fā)過程中的兩種流片方式

芯片在研發(fā)過程中一般包含4個階段：芯片設(shè)計、生產(chǎn)樣片、測試驗證和大規(guī)模量產(chǎn)。在完成芯片設(shè)計后，工程師們需要先拿到一些芯片樣片，用它們進行測試和驗證，來判...

2025-09-09 標(biāo)簽：芯片晶圓版圖 674 0

系統(tǒng)開發(fā)者在芯粒設(shè)計與集成過程中的考量因素

最新人工智能（AI）驅(qū)動系統(tǒng)對算力和輸入輸出（IO）的需求，已遠超工藝節(jié)點升級所能承載的范疇。若一味追求更大尺寸的芯片（逼近掩模版尺寸極限），會導(dǎo)致良率...

2025-09-05 標(biāo)簽：芯片晶圓開發(fā)者 360 0

晶圓級MOSFET的直接漏極設(shè)計

本文主要講述什么是晶圓級芯粒封裝中的分立式功率器件。 分立式功率器件作為電源管理系統(tǒng)的核心單元，涵蓋二極管、MOSFET、IGBT等關(guān)鍵產(chǎn)品，在個人計算...

2025-09-05 標(biāo)簽：MOSFET晶圓封裝 2.7k 0

【新啟航】碳化硅 TTV 厚度與表面粗糙度的協(xié)同控制方法

摘要 本文圍繞碳化硅晶圓總厚度變化（TTV）厚度與表面粗糙度的協(xié)同控制問題，深入分析二者的相互關(guān)系及對器件性能的影響，從工藝優(yōu)化、檢測反饋等維度提出協(xié)...

2025-09-04 標(biāo)簽：晶圓器件碳化硅 552 0

硅襯底的清洗步驟一覽

預(yù)處理與初步去污將硅片浸入盛有丙酮或異丙醇溶液的容器中超聲清洗10–15分鐘，利用有機溶劑溶解并去除表面附著的光刻膠、油脂及其他疏水性污染物。此過程通過...

2025-09-03 標(biāo)簽：晶圓硅片清洗設(shè)備 277 0

從襯底到外延：碳化硅材料的層級躍遷與功能分化

碳化硅襯底和外延片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個關(guān)鍵組件，盡管兩者均由碳化硅材料構(gòu)成，但在功能定位、制備工藝及應(yīng)用場景等方面存在顯著差異。以下是具體分析：定義與...

2025-09-03 標(biāo)簽：晶圓襯底碳化硅 770 0

詳解超高密度互連的InFO封裝技術(shù)

InFO-R作為基礎(chǔ)架構(gòu)，采用"芯片嵌入+RDL成型"的工藝路徑。芯片在晶圓級基板上完成精準(zhǔn)定位后，通過光刻工藝直接在芯片表面構(gòu)建多...

2025-09-01 標(biāo)簽：芯片晶圓先進封裝 2.1k 0

濕法清洗尾片效應(yīng)是什么原理

濕法清洗中的“尾片效應(yīng)”是指在批量處理晶圓時，最后一片（即尾片）因工藝條件變化導(dǎo)致清洗效果與前面片子出現(xiàn)差異的現(xiàn)象。其原理主要涉及以下幾個方面：化學(xué)試劑...

2025-09-01 標(biāo)簽：晶圓濕法 171 0

【新啟航】便攜式碳化硅襯底 TTV 厚度測量設(shè)備的性能與適用場景

摘要 本文圍繞便攜式碳化硅襯底 TTV 厚度測量設(shè)備，深入分析其測量精度、速度、便攜性等性能指標(biāo)，并結(jié)合半導(dǎo)體生產(chǎn)車間、科研實驗室、現(xiàn)場檢測等場景，探討...

2025-08-29 標(biāo)簽：晶圓測量設(shè)備碳化硅 847 0

詳解WLCSP三維集成技術(shù)

晶圓級芯片尺寸封裝（WLCSP）因其“裸片即封裝”的極致尺寸與成本優(yōu)勢，已成為移動、可穿戴及 IoT 終端中低 I/O（< 400 bump）、小...

2025-08-28 標(biāo)簽：芯片晶圓封裝 2.5k 0