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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動(dòng)器
柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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?Texas Instruments UCC27624EVM驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊技術(shù)解析
Texas Instruments UCC27624EVM驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊 (EVM) 設(shè)計(jì)用于評(píng)估UCC27624 30V、5A單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。該評(píng)估...
2025-09-18 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器單通道評(píng)估模塊 335 0
DRV8718-Q1智能半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV871x-Q1 系列器件是高度集成的多通道柵極驅(qū)動(dòng)器,用于驅(qū)動(dòng)多個(gè)電機(jī)或負(fù)載。這些器件集成了 4 個(gè) (DRV8714-Q1) 或 8 個(gè) (DR...
Texas Instruments UCC27301A/UCC27301A-Q1半橋驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
Texas Instruments UCC27301A/UCC27301A-Q1半橋驅(qū)動(dòng)器是穩(wěn)健的柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)采用半橋或同步降壓配置的兩個(gè)N...
2025-07-25 標(biāo)簽:同步降壓半橋驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器 330 0
德州儀器UCC27614EVM評(píng)估模塊技術(shù)解析
Texas Instruments UCC27614EVM驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊 (EVM) 設(shè)計(jì)用于評(píng)估UCC27614 30V、10A單通道2×2柵極驅(qū)動(dòng)器...
2025-09-18 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊柵極驅(qū)動(dòng)器 328 0
?UCC2773x-Q1 汽車級(jí)700V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC2773x-Q1 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力,旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由...
UCC20225-Q1 汽車2.5kVrms 4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC20225-Q1 系列是單輸入、雙輸出隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流,采用 5mm x 5mm LGA-13 封裝。...
STMicroelectronics EVLPWD5T60評(píng)估板技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics EVLPWD5T60評(píng)估板設(shè)計(jì)用于評(píng)估PWD5T60 3相高密度功率驅(qū)動(dòng)器的特性。該驅(qū)動(dòng)器具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器和六個(gè)...
2025-10-20 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板 307 0
MCP8021/2三相BLDC電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Microchip Technology MCP8021和MCP8022三相無刷直流 (BLDC) 電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器包含三個(gè)集成半橋驅(qū)動(dòng)器,能夠驅(qū)動(dòng)三個(gè)外...
2025-10-11 標(biāo)簽:BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器三相無刷直流電機(jī) 306 0
?DRV8329 三相無刷電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8329系列器件是用于三相應(yīng)用的集成柵極驅(qū)動(dòng)器。這些器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該器件使用內(nèi)...
?DRV8770 100V刷式直流柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8770器件提供兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側(cè) MOSFET 產(chǎn)生正確的...
2025-10-14 標(biāo)簽:MOSFET灌電流柵極驅(qū)動(dòng)器 294 0
DRV8714-Q1智能半橋柵極驅(qū)動(dòng)器概述
DRV871x-Q1 系列器件是高度集成的多通道柵極驅(qū)動(dòng)器,用于驅(qū)動(dòng)多個(gè)電機(jī)或負(fù)載。這些器件集成了4個(gè)(DRV8714-Q1)或8個(gè)(DRV8718-Q...
?DRV8702-Q1/DRV8703-Q1 汽車級(jí)H橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV870x-Q1 器件是小型單 H 橋柵極驅(qū)動(dòng)器,使用四個(gè)外部 N 溝道 MOSFET,旨在驅(qū)動(dòng)雙向有刷直流電機(jī)。 PH/EN、獨(dú)立的H橋或P...
?DRV3256-Q1 三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV3256-Q1 系列器件是高度集成的三相柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于 48V 汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。這些器件經(jīng)過專門設(shè)計(jì),通過提供 2A 峰值源極和 2.5A ...
2025-10-13 標(biāo)簽:MOSFETPWM電機(jī)驅(qū)動(dòng) 291 0
?UCC23313 光耦兼容型單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該UCC23313是一款光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET,具有4.5A源極和5.3A灌電流峰值輸出電...
?UCC27834 230V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該UCC278X4是一款 230V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 3.5A 源極電流、4A 灌電流,用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET。該器件由一個(gè)接地參考通道 (LO...
?DRV3255-Q1 三相柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV3255-Q1 器件是一款高度集成的三相柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于 48V 汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。該器件專門設(shè)計(jì)用于支持大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,提供 3.5A 峰...
2025-10-13 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)灌電流 284 0
?DRV3245Q-Q1汽車級(jí)三相柵極驅(qū)動(dòng)單元(GDU)技術(shù)文檔總結(jié)
DRV3245Q-Q1 器件是一款用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的 FET 柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,根據(jù) ISO 26262 功能安全應(yīng)用的適用要求進(jìn)行設(shè)計(jì)。該器件提供...
?DRV832x系列三相智能柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
? 1. 核心特性 ? ? 寬電壓范圍 ? 工作電壓6-60V(柵極驅(qū)動(dòng))及4-60V(可選降壓穩(wěn)壓器) 支持100% PWM占空比,集成電荷泵(高側(cè))...
2025-10-16 標(biāo)簽:線性穩(wěn)壓器電流檢測(cè)電荷泵 282 0
UCC23511-Q1 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC23511-Q1 是一款光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET,具有 1.5A 源電流和 2A...
?UCC27302A-Q1 汽車級(jí)半橋驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC27302A-Q1 是一款穩(wěn)健的柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)半橋或同步降壓配置的 N 溝道 MOSFET,絕對(duì)最大自舉電壓為 120V。其 3.7...
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