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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來(lái)制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過(guò)不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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初始屏蔽檢查 對(duì)蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓，無(wú)論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數(shù)是厚度和側(cè)壁角度。如果可能，對(duì)橫截面進(jìn)行SEM檢查，以...
硅元素在自然界中主要以氧化物形式為主的化合物狀態(tài)存在。這些化合物在常溫下的化學(xué)性質(zhì)十分穩(wěn)定。而在高溫下，硅幾乎可以所有物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
2024-03-15 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體材料蝕刻 5.6k 0
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是...
芯片制造是當(dāng)今世界最為復(fù)雜的工藝過(guò)程。這是一個(gè)由眾多頂尖企業(yè)共同完成的一個(gè)復(fù)雜過(guò)程。本文努力將這一工藝過(guò)程做一個(gè)匯總，對(duì)這個(gè)復(fù)雜的過(guò)程有一個(gè)全面而概括的描述。
引言 隨著對(duì)多功能移動(dòng)消費(fèi)電子設(shè)備需求的增加，半導(dǎo)體芯片互連密度的復(fù)雜性不斷增加。傳統(tǒng)的芯片到封裝集成(CPI)使用引線鍵合將鍵合焊盤(pán)互連到封裝引線。隨...
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在封裝史上，最后一次重大范式轉(zhuǎn)變是從引線鍵合到倒裝芯片。從那時(shí)起，更先進(jìn)的封裝形式（例如晶圓級(jí)扇出和 TCB）一直是相同核心原理的漸進(jìn)式改進(jìn)。
2024-02-27 標(biāo)簽：晶圓芯片設(shè)計(jì)蝕刻 5.2k 0
本文研究了氫氧化鉀、TMAH（C6H4(OH)2)溶液中氫氧化銨（四甲基銨）和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的濃度和溫度對(duì)硅表面的影響，制...
按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補(bǔ)加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍。
將ZnO:Al薄膜織構(gòu)化與沉積條件的依賴性分開(kāi)是優(yōu)化ZnO作為太陽(yáng)能電池中的光散射、透明接觸的一個(gè)重要方面。對(duì)于給定的多晶ZnO:Al薄膜，凹坑的密度和...
在半導(dǎo)體器件制造中，蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過(guò)這種去除在襯底上產(chǎn)生該材料的圖案的任何技術(shù)，該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定，其產(chǎn)生在光刻中...
干法蝕刻（dry etch）工藝通常由四個(gè)基本狀態(tài)構(gòu)成：蝕刻前（before etch），部分蝕刻（partial etch），蝕刻到位（just et...
目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過(guò)干法等離子體蝕刻完成的。1，2干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷3和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法...
薄晶片已經(jīng)成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。這些產(chǎn)品包括用于RFID系統(tǒng)的功率器件、分立半導(dǎo)體、光電元件和集成電路。此外，向堆疊管芯組件的轉(zhuǎn)變、垂直系統(tǒng)...
但隨著技術(shù)迭代，晶體管尺寸持續(xù)縮減，電阻電容（RC）延遲已成為制約集成電路性能的關(guān)鍵因素。在90納米及以下工藝節(jié)點(diǎn)，銅開(kāi)始作為金屬互聯(lián)材料取代鋁，同時(shí)采...
單晶硅， 作為IC、LSI的電子材料， 用于微小機(jī)械部件的材料，也就是說(shuō)，作為結(jié)構(gòu)材料的新用途已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)了。其理由是， 除了單晶SI或機(jī)械性強(qiáng)之外，還...
蝕刻系統(tǒng)操作條件對(duì)晶片蝕刻速率和均勻性的影響
引言 正在開(kāi)發(fā)化學(xué)下游蝕刻(CDE)工具，作為用于半導(dǎo)體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對(duì)CDE的要求包括在接近電中性的環(huán)境中獲得高蝕刻速率的能力。高蝕...
本文提出了基于濺射Ti/Pt/Cr和Cr/Pt/Cr金屬多層膜在熱王水中濕法腐蝕Pt薄膜的簡(jiǎn)單制備方案，鉻(Cr)或鈦(Ti)用作鉑的粘附層，Cr在Pt...
本文報(bào)道了TSV過(guò)程的細(xì)節(jié)。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過(guò)這種TSV工藝的晶片。我們?nèi)A林科納研究...
濕法蝕刻工藝的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適用于每一部電影。對(duì)于大多數(shù)解決方案選擇性大...
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