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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來(lái)制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過(guò)不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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關(guān)于硫酸-過(guò)氧化氫-水系統(tǒng)中砷化鎵的化學(xué)蝕刻研究報(bào)告
摘要 我們?nèi)A林科納對(duì)h2so4-h202-h20體系中（100）砷化鎵的蝕刻情況進(jìn)行了詳細(xì)的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對(duì)蝕刻速率和晶體表面形狀的影...
寬帶隙半導(dǎo)體GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)腐蝕
寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，這些特性使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HN...
能源被認(rèn)為是未來(lái)五十年人類面臨的頭號(hào)問(wèn)題。據(jù)估計(jì)，太陽(yáng)能在一小時(shí)內(nèi)顯示出供給的潛力，其能量足以滿足世界一年的能源需求總量。光伏產(chǎn)業(yè)面臨的一個(gè)主要挑戰(zhàn)是以...
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場(chǎng)電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕...
在整個(gè)晶圓加工過(guò)程中，仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對(duì)于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此，濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用...
在本研究中，我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)150mm晶片的濕蝕刻槽來(lái)防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒(méi)有任何損傷，我們還提出了300m...
雖然通過(guò)蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(guò)(例如抗蝕劑)掩模對(duì)襯底的全表面涂層進(jìn)行部分腐蝕來(lái)完成的，但是在剝離過(guò)程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護(hù)的位置。本章描述了獲...
MEMS傳感器是當(dāng)今最炙手可熱的傳感器制造技術(shù)，也是傳感器小型化、智能化的重要推動(dòng)了，MEMS技術(shù)促進(jìn)了傳感器的極大發(fā)展。 MEMS主要采用微電子技術(shù)，...
PCB生產(chǎn)過(guò)程：為什么PCB內(nèi)外層蝕刻方法不一樣
如果單板或拼板的尺寸不合適，PCB生產(chǎn)過(guò)程中，就會(huì)產(chǎn)生很多的原料廢邊，PCB板廠會(huì)把之些廢邊的價(jià)格都加到你的板子上，這樣你的PCB板單位價(jià)格就貴一些。
通過(guò)高選擇性蝕刻，專用蝕刻工具可在 IC 生產(chǎn)過(guò)程中去除或蝕刻掉微小芯片結(jié)構(gòu)中的材料
在濕法各向異性蝕刻中，底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類型。已經(jīng)進(jìn)行了大量的研究來(lái)解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而，還不清楚為什么不同蝕刻劑會(huì)...
PCB會(huì)發(fā)生什么故障？關(guān)于PCB蝕刻又知道多少？
PCB如何發(fā)生故障？ PCB會(huì)出現(xiàn)多種故障，具體取決于您使用的電路類型，如模擬，數(shù)字，高壓，低壓，電路子系統(tǒng)的工作頻率，溫度等。除了這種類型的pcb材料...
在本研究中，我們?nèi)A林科納研究了在液晶顯示(LCD)技術(shù)中常用的蝕刻劑中相同的ITO薄膜的蝕刻速率，保持浴液溫度恒定，并比較了含有相同濃度的酸的溶液，對(duì)I...
阻抗的計(jì)算是相對(duì)比較繁瑣的，但我們可以總結(jié)一些經(jīng)驗(yàn)值幫助提高計(jì)算效率。對(duì)于常用的 FR4，50ohm 的微帶線，線寬一般等于介質(zhì)厚度的 2 倍;50oh...
半導(dǎo)體工業(yè)中表面處理和預(yù)清洗的重要性
半導(dǎo)體工業(yè)中表面處理和預(yù)清洗的重要性是眾所周知的。為了確保良好的薄膜粘附和金屬-半導(dǎo)體接觸的低電阻，酸或堿處理后的某些溶劑或等離子體清洗對(duì)于去除有機(jī)殘留...
蝕刻機(jī)理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強(qiáng)含水堿性介質(zhì)蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(O...
關(guān)于硅的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理的研究報(bào)告
摘要 本文從晶體生長(zhǎng)科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點(diǎn)是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動(dòng)力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢(shì)壘控制的。因此后者蝕刻速度更...
如何對(duì)氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)行干法刻蝕
氮化鎵作為一種寬帶隙半導(dǎo)體，已被用于制造發(fā)光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經(jīng)開(kāi)發(fā)了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術(shù)。電感耦合等離子體刻蝕因其優(yōu)...
蝕刻工藝關(guān)于濕化學(xué)處理后InP表面的研究
引言 本文將討論在不同的濕化學(xué)溶液中浸泡后對(duì)InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分，并將有助于理解不同的外原位濕化學(xué)處理的影響。這項(xiàng)...
2022-01-12 標(biāo)簽：InP技術(shù)化學(xué)蝕刻 2.6k 0
集成電路越做越小是多個(gè)因素共同作用的結(jié)果，包括技術(shù)進(jìn)步、成本和效率考慮、功耗和散熱需求，以及新應(yīng)用的推動(dòng)，為電子設(shè)備的發(fā)展提供了更多的可能性和機(jī)遇。
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