硅片透蝕MACE化學(xué)鍍金工藝優(yōu)化方案

硅(Si)的深度蝕刻對于廣泛的應(yīng)用是非常理想的。在這種情況下，通過長時間的金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)和短時間的氫氧化鉀蝕刻，證明了通過蝕刻375微米厚...

2022-07-14 標(biāo)簽：晶圓蝕刻硅晶片 1.8k 0

超聲波頻率對化學(xué)蝕刻過程的影響實驗報告

超聲增強化學(xué)腐蝕被用來制作多孔硅層，通過使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層，發(fā)現(xiàn)超聲波改善了p型硅上多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用這種方法可...

2022-05-06 標(biāo)簽：超聲波蝕刻蝕刻工藝 1.7k 0

如何在蝕刻工藝中實施控制？

蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來...

2023-05-19 標(biāo)簽：pcb控制系統(tǒng)設(shè)備 1.6k 0

一文詳解氧化剝離技術(shù)（1）

光發(fā)射器與硅電子器件的融合是許多應(yīng)用的長期挑戰(zhàn)，例如芯片級光互連、片上光學(xué)系統(tǒng)、光通信芯片等。[1]. 在這些應(yīng)用中，光發(fā)射機通常被設(shè)想為鍵合到硅集成電...

2022-09-09 標(biāo)簽：發(fā)射器蝕刻GaAs 1.6k 0

關(guān)于兩種蝕刻方式介紹

干式蝕刻是為對光阻上的圖案忠實地進行高精密加工的過程，故選擇材料層與光阻層的蝕刻速率差（選擇比）較大、且能夠確保蝕刻的非等向性（主要隨材料層的厚度方向進...

2024-04-18 標(biāo)簽：蝕刻 1.6k 0

一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法

本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻...

2022-04-24 標(biāo)簽：多晶硅蝕刻襯底 1.6k 0

多磷酸蝕刻劑的化學(xué)特性

摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時，需要對化學(xué)蝕刻劑有基本的了解，以實現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的...

2022-01-07 標(biāo)簽：化學(xué)蝕刻蝕刻工藝 1.6k 0

關(guān)于數(shù)字處理技術(shù)部分的路線圖介紹

EUV 超薄 （≤10nm）尺度的光刻膠：隨著特征尺寸的縮小，光刻膠分子成分成為特征尺寸的一部分。構(gòu)成光刻膠的分子必須是單組分、小的構(gòu)建塊，以防止聚...

2023-11-06 標(biāo)簽：處理器CMOS存儲器 1.6k 0

硝酸濃度對硅晶片總厚度和重量損失的影響

新的微電子產(chǎn)品要求硅(Si)晶片變薄到厚度小于150 μm。機械研磨仍然會在晶片表面產(chǎn)生殘余缺陷，導(dǎo)致晶片破裂，表面粗糙。因此，化學(xué)蝕刻方法主要用于生產(chǎn)...

2022-06-14 標(biāo)簽：集成電路蝕刻晶片 1.6k 0

使用KOH各向異性蝕刻Si的光學(xué)器件的單掩模微制造（上）

?引言 我們報道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕，用單掩模工藝進行連續(xù)非球面光學(xué)表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級的橫向尺度和幾微米量級...

2022-05-11 標(biāo)簽：光學(xué)蝕刻蝕刻工藝 1.5k 0

降低半導(dǎo)體金屬線電阻的沉積和蝕刻技術(shù)

銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中...

2023-09-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻蝕刻工藝 1.5k 0

晶片濕法刻蝕技術(shù)研究

文介紹了我們?nèi)A林科納研究了整個濕蝕過程中的完整性，它給出了一些確保這種保護的提示，并提出了評估這種保護的相關(guān)新方法，用光刻膠制作材料的濕圖案需要材料的完...

2022-05-16 標(biāo)簽：蝕刻晶片 1.5k 0

利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)...

2023-06-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓SiGe 1.5k 0

操作參數(shù)對蝕刻速率和均勻性的影響

本研究的目的是開發(fā)和應(yīng)用一個數(shù)值模型來幫助設(shè)計和操作CDE工具，為此，我們編制了第一個已知的NF3/02氣體的等離子體動力學(xué)模型，通過與實驗蝕刻速率數(shù)據(jù)...

2022-04-08 標(biāo)簽：蝕刻晶片CDE 1.5k 0

多晶硅表面紋理化的典型方法

濕化學(xué)蝕刻是多晶硅表面紋理化的典型方法,濕化學(xué)蝕刻法也是多晶體硅表面鋸切損傷的酸織構(gòu)化或氫氧化鉀鋸切損傷去除后的兩步化學(xué)蝕刻,這些表面紋理化方法是通過在...

2022-03-28 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 1.5k 0

使用單一晶圓加工工具蝕刻晶圓背面薄膜的方法

引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為了在有限的面積內(nèi) 形成很多器件，技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展。要想形成多層結(jié)構(gòu)，會形成比現(xiàn)有更多的薄膜層 ,這時晶片背面也會堆積...

2022-01-05 標(biāo)簽：pcb半導(dǎo)體晶圓 1.5k 0