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標簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機械、化學工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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MEMS是Micro Electro Mechanical Systems（微機電系統(tǒng)）的縮寫，具有微小的立體結(jié)構(gòu)（三維結(jié)構(gòu)），是處理各種輸入、輸出信號...
客戶線路設(shè)計好過蝕刻線的時候，若銅箔規(guī)格變更后而蝕刻參數(shù)未變，造成銅箔在蝕刻液中的停留時間過長。因鋅本來就是活潑金屬類，當LED廣告屏PCB上的銅線長時...
這是一種全新領(lǐng)域的薄形多層板做法，早啟蒙是源自 IBM 的SLC 制程，系于其日本的 Yasu 工廠 1989 年開始試產(chǎn)的，該法是以傳統(tǒng)雙面板為基礎(chǔ)，...
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側(cè)壁鈍化機制。盡管AlCl和A...
CLL技術(shù)應用于新材料和系統(tǒng)的制造和研究
化學提升光刻(CLL)是一種減法軟光刻技術(shù)，它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)標記來繪制功能分子的自組裝單層，應用范圍從生物分子圖案到晶體管制造。在此我們...
基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性
氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現(xiàn)藍光發(fā)光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化...
本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非常快速地響應選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護下面的膜不被降解。如今，大多數(shù)材料圖案化是用等離子蝕刻...
為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對硅晶片進行不同厚度的重復蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特...
由于在室溫下的低電阻率和低材料成本，銅(Cu)被積極地考慮作為高質(zhì)量和大面積TFT-LCD的金屬電極的候選。事實上，開發(fā)具有低電阻率的金屬電極工藝是下一...
當今世界信息社會的發(fā)展在很大程度上依賴于高比特率電信技術(shù)的質(zhì)量。雖然微波和光纖被用于長距離傳輸，但光網(wǎng)絡(luò)也將對高比特率信息的局部分布發(fā)揮至關(guān)重要的作用。
作者：Jake Hertz 在眾多可用的 PCB 制造方法中，化學蝕刻仍然是行業(yè)標準。蝕刻以其精度和可擴展性而聞名，它提供了一種創(chuàng)建詳細電路圖案的可靠方...
金屬涂層，如銅膜，可以很容易地沉積在半導體材料上，如硅晶片，而無需使無電鍍工藝進行預先的表面預處理。然而，銅膜的粘附性可能非常弱，并且容易剝離。在本研究...
使用各向同性濕蝕刻和低損耗線波導制造與蝕刻材料對非晶硅進行納米級厚度控制
我們?nèi)A林科納通過光學反射光譜半實時地原位監(jiān)測用有機堿性溶液的濕法蝕刻，以實現(xiàn)用于線波導的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的...
PCB板在生產(chǎn)過程中，難免因外在因素而造成短路、斷路及漏電等電性上的瑕疵，再加上PCB不斷朝高密度、細間距及多層次的演進，若未能及時將不良板篩檢出來，而...
引言 鍺是下一代背面成像器的有希望的替代品，因為最近的同質(zhì)外延生長已經(jīng)產(chǎn)生了非常低的缺陷密度。鍺的固有特性使其能夠進行高速硬X射線檢測，并在硅基本透明的...
還有一種情況就是PCB蝕刻參數(shù)沒有問題，但蝕刻后水洗及烘干不良，造成銅線也處于PCB便面殘留的蝕刻液包圍中，長時間未處理，也會產(chǎn)生銅線側(cè)蝕過度而甩銅。
蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學成分...
我們研究了堿性刻蝕表面形貌對p型單晶硅片少數(shù)壽命的影響，在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，表面狀態(tài)通過計算算術(shù)平均粗糙度(Ra)和...
在最近的半導體清潔方面，以生物堿為基礎(chǔ)的RCA清潔法包括大量的超純和化學液消耗量以及清潔時多余薄膜的損失； 由于環(huán)境問題，對新的新精液和清潔方法的研究正...
不同蝕刻時間對多孔硅結(jié)構(gòu)和光學性能的影響
硅在歷史上一直是電子產(chǎn)品的主要材料，而光電子領(lǐng)域的工作幾乎完全依賴于GaAs和磷化銦等ⅲ-ⅴ族化合物材料。這種材料系統(tǒng)二分法的主要原因是硅的間接帶隙結(jié)構(gòu)...
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