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      標(biāo)簽　>　蝕刻

      蝕刻

      +關(guān)注10人關(guān)注

      最早可用來(lái)制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過(guò)不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。

      文章：413個(gè) 瀏覽：16417次 帖子：14個(gè)

      蝕刻技術(shù)

      一文解析MEMS工藝的部分關(guān)鍵技術(shù)

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      MEMS是Micro Electro Mechanical Systems（微機(jī)電系統(tǒng)）的縮寫，具有微小的立體結(jié)構(gòu)（三維結(jié)構(gòu)），是處理各種輸入、輸出信號(hào)...

      2023-10-12 標(biāo)簽：mems晶圓芯片制造 1.5k 0

      O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

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      引言 氧化鋅是最廣泛研究的纖鋅礦半導(dǎo)體之一。氧化鋅不僅作為單晶，而且以多晶薄膜的形式。其顯著的性能，如寬直接帶隙3.37 eV，大結(jié)合強(qiáng)度內(nèi)聚能1.89...

      2022-01-12 標(biāo)簽：晶圓單晶蝕刻 1.5k 0

      硅晶圓蝕刻過(guò)程中的化學(xué)反應(yīng)研究

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      硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長(zhǎng)的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會(huì)產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層...

      2022-04-12 標(biāo)簽：硅晶圓蝕刻 1.4k 0

      一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法

      一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法

      本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過(guò)臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復(fù)測(cè)量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因...

      2022-04-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1.4k 0

      硅晶片的化學(xué)刻蝕和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)

      硅晶片的化學(xué)刻蝕和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)

      硅的三相、基于酸的濕法蝕刻中的傳輸和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)的研究已經(jīng)完成。由反應(yīng)形成的氣泡附著在表面上的隨機(jī)位置，表面的一部分被反應(yīng)物遮蔽。這種氣泡掩蔽效應(yīng)被模擬為...

      2022-04-15 標(biāo)簽：蝕刻硅晶片 1.4k 0

      RCA清潔變量對(duì)顆粒去除效率的影響

      RCA清潔變量對(duì)顆粒去除效率的影響

      摘要 在濕化學(xué)加工中，制造需要表面清潔度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工藝參數(shù)，特別是對(duì)于常見(jiàn)的清潔技術(shù)RCA clean (SC-1和SC-2) ...

      2021-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體超聲波蝕刻 1.4k 0

      金屬蝕刻殘留物對(duì)對(duì)等離子體成分和均勻性的影響

      金屬蝕刻殘留物對(duì)對(duì)等離子體成分和均勻性的影響

      本文研究了金屬蝕刻殘留物，尤其是鈦和鉭殘留物對(duì)等離子體成分和均勻性的影響。通過(guò)所謂的漂浮樣品的x射線光電子能譜分析來(lái)分析室壁，并且通過(guò)光發(fā)射光譜來(lái)監(jiān)測(cè)C...

      2022-05-05 標(biāo)簽：等離子蝕刻晶片 1.4k 0

      硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻研究

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      在使用低溫卡盤的低壓高密度等離子體反應(yīng)器中研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率...

      2022-05-11 標(biāo)簽：晶圓蝕刻反應(yīng)器 1.4k 0

      使用晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)

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      本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單技術(shù)，通過(guò)使用(110)Si的取向相關(guān)蝕刻，可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽，與該技術(shù)一...

      2022-05-05 標(biāo)簽：處理技術(shù)蝕刻晶片 1.4k 0

      硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括哪些

      硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括哪些

      硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對(duì)角度聚合的硅晶片進(jìn)行最終聚合處理，對(duì)上述最終聚合的硅晶片進(jìn)行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行SC-...

      2022-04-13 標(biāo)簽：蝕刻清洗硅晶片 1.4k 0

      高速pcb設(shè)計(jì)11個(gè)布線技巧

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      混合信號(hào)電路需要在單點(diǎn)連接模擬地和數(shù)字地。在原理圖，還是建議在模擬和數(shù)字部分之間放置鐵氧體磁珠或0Ω電阻。 數(shù)字地和模擬地的合并應(yīng)靠近集成電路放置...

      2023-10-07 標(biāo)簽：pcb天線阻抗 1.3k 0

      濕法蝕刻的GaAs表面研究

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      為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學(xué)傳感器，它們的表面必須進(jìn)行化學(xué)改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復(fù)吸附需要受控的蝕刻程序。應(yīng)用了幾種分析方...

      2022-03-31 標(biāo)簽：傳感器蝕刻GaAs 1.3k 0

      異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池中氫化本征非晶硅的設(shè)計(jì)

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      在硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池（SHJ）中，pn結(jié)由兩種不同形貌的硅形成，即一種是n型晶體硅（c-Si），另一種是p摻雜（III族）元素?fù)诫s）非晶硅（a-Si）。...

      2023-06-13 標(biāo)簽：太陽(yáng)能蝕刻電池 1.3k 0

      印制電路噴淋蝕刻精細(xì)線路流體力學(xué)模型分析

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      在精細(xì)印制電路制作過(guò)程中，噴淋蝕刻是影響產(chǎn)品質(zhì)量合格率重要的工序之一。現(xiàn)有很多的文章對(duì)精細(xì)線路的蝕刻做了大量的研究，但是大多數(shù)都只停留在表象的研究中，并...

      2023-10-17 標(biāo)簽：印制電路蝕刻流體力學(xué) 1.3k 0

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      p-i-n光電探測(cè)器封裝中最具挑戰(zhàn)性的任務(wù)之一是將光纖耦合到探測(cè)器。由于探測(cè)器和光纖的尺寸都非常小，精確和準(zhǔn)確的對(duì)準(zhǔn)非常關(guān)鍵。如今，在大多數(shù)情況下，這是...

      2022-05-11 標(biāo)簽：材料蝕刻掩模 1.3k 0

      使用KOH各向異性蝕刻Si的光學(xué)器件的單掩模微制造（下）

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      接上回的實(shí)驗(yàn)演示 ? 實(shí)驗(yàn)演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設(shè)計(jì)和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移； 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑...

      2022-05-11 標(biāo)簽：光學(xué)蝕刻蝕刻工藝 1.3k 0

      關(guān)于沉銅質(zhì)量控制方法

      使用化學(xué)沉銅鍍液，對(duì)沉銅速率有一定的技術(shù)要求。速率太慢就有可能引起孔壁產(chǎn)生空洞或針孔；而沉銅速率太快，將產(chǎn)生鍍層粗糙。為此，科學(xué)的測(cè)定沉銅速率是控制沉銅...

      2023-12-01 標(biāo)簽：印制電路板鍍銅蝕刻 1.3k 0

      MACE工藝制備黑硅的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能研究

      MACE工藝制備黑硅的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能研究

      本文研究了用兩步金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)工藝制備的黑硅（b-Si）的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能，研究了銀膜低溫退火和碳硅片蝕刻時(shí)間短的兩步MACE法制備硼...

      2022-03-29 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 1.2k 0

      完整的表面處理工藝過(guò)程介紹

      電鍍 是利用電解原理在某些金屬或其它材料制件的表面鍍上一薄層其它金屬或合金的過(guò)程。

      2023-03-23 標(biāo)簽：電鍍PVD蝕刻 1.2k 0

      建議收藏！表面處理工藝大匯總

      微弧氧化又稱微等離子體氧化，是通過(guò)電解液與相應(yīng)電參數(shù)的組合，在鋁、鎂、鈦及其合金表面依靠弧光放電產(chǎn)生的瞬時(shí)高溫高壓作用，生長(zhǎng)出以基體金屬氧化物為主的陶瓷膜層。

      2023-07-11 標(biāo)簽：工藝蝕刻表面處理 1.2k 0

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        智慧城市就是運(yùn)用信息和通信技術(shù)手段感測(cè)、分析、整合城市運(yùn)行核心系統(tǒng)的各項(xiàng)關(guān)鍵信息，從而對(duì)包括民生、環(huán)保、公共安全、城市服務(wù)、工商業(yè)活動(dòng)在內(nèi)的各種需求做出智能響應(yīng)。
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      模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
      線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
      振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
      變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
      電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
      數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
      開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
      5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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      Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
      語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
      CAN CSI DSI DVI Ethernet HDMI I2C RS-485
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