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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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四甲基氫氧化銨水溶液濕蝕刻中AlGaN/AlN摩爾分?jǐn)?shù)關(guān)系
在本文中，我們詳細(xì)研究了AlGaN的濕法刻蝕特性。特別地，我們研究了m面刻面形成和AlN摩爾分?jǐn)?shù)對蝕刻速率的依賴關(guān)系。我們還研究了氮化鋁摩爾分?jǐn)?shù)差異較大...
與亞微米工藝類似，側(cè)墻工藝是指形成環(huán)繞多晶硅的氧化介質(zhì)層，從而保護LDD 結(jié)構(gòu)，防止重?fù)诫s的源漏離子注入到LDD結(jié)構(gòu)的擴展區(qū)。側(cè)墻是由兩個主要工藝步驟形...
微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨特的性質(zhì)，特別是，當(dāng)用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強烈的共振。然而，...
干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用
碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中...
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為了在有限的面積內(nèi)形成很多器件，技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展，要想形成多層結(jié)構(gòu)，將形成比現(xiàn)有的更多的薄膜層，這時晶片背面也會堆積膜。如果...
引言 用多能氬離子輻照x射線切割鈮酸鋰單晶，產(chǎn)生厚度為400納米的均勻損傷表面層，研究其在HF水溶液中的腐蝕行為。使用不同的酸溫度和濃度，表明可以通過將...
本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結(jié)構(gòu)和減少的蝕刻時間將提高制造過程的生產(chǎn)率，該方法從圖案化氮化...
隨著半導(dǎo)體科技的發(fā)展，在固態(tài)微電子器件制造中，人們對清潔基底表面越來越重視。濕法清洗一般使用無機酸、堿和氧化劑，以達(dá)到去除光阻劑、顆粒、輕有機物、金屬污...
維護蝕刻設(shè)備的最關(guān)鍵因素就是要保證噴嘴的高清潔度及無阻塞物，使噴嘴能暢順地噴射。阻塞物或結(jié)渣會使噴射時產(chǎn)生壓力作用，沖擊板面。而噴嘴不清潔，則會造成蝕刻...
2019-09-10 標(biāo)簽：PCB板PCB設(shè)計蝕刻 1.9k 0
為了闡明蝕刻殘留物的形成機理，研究了氯/氦-氧、溴化氫/氦-氧和溴化氫/氯等不同氣體混合物的影響，我們發(fā)現(xiàn)在氧的存在下，蝕刻殘留物形成良好，這表明蝕刻殘...
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。...
過度蝕刻暴露硅晶圓表面可能會導(dǎo)致表面粗糙。當(dāng)硅表面在HF過程中暴露于OH離子時，硅表面可能會變得粗糙。
摘要 我們?nèi)A林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性，以確定該蝕刻劑系統(tǒng)在純鋁電路光刻制造中的潛在生產(chǎn)應(yīng)用。溫度變化...
本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過將無水高頻與控制量的水蒸汽混合而產(chǎn)生高頻蒸汽蝕刻劑的實現(xiàn)方法，描述了一...
PCB制作第一步是整理并檢查PCB布局（Layout）。PCB制作工廠收到PCB設(shè)計公司的CAD文件，由于每個CAD軟件都有自己獨特的文件格式，所以PC...
PCB加工十幾道工序會，不可避免的會存在加工誤差，PCB制造行業(yè)采用的標(biāo)準(zhǔn)通常是指標(biāo)準(zhǔn)的ISO、UL、等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。華秋PCB可實現(xiàn)的線寬公差范圍在±15...
我們展示了在c平面藍(lán)寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻，蝕刻速率高達(dá)3.2mm/min。晶體...
各種疊層結(jié)構(gòu)的PCB圖內(nèi)部架構(gòu)設(shè)計
今天畫了幾張多層PCB電路板內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，用立體圖形展示各種疊層結(jié)構(gòu)的PCB圖內(nèi)部架構(gòu)。
基本化學(xué)成分以Cl2為基礎(chǔ)，外加用于側(cè)壁鈍化的N2。優(yōu)化的ICP蝕刻工藝能夠產(chǎn)生具有光滑側(cè)壁的高縱橫比結(jié)構(gòu)。使用670nm波長的激光進(jìn)行原位反射監(jiān)測，以...
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