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gan技術(shù)

EVLMG4LPWRBR1 GaN功率模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

STMicroelectronics EVLMG4LPWRBR1基于GaN的半橋電源模塊配有MASTERGAN4L，其可快速創(chuàng)建拓?fù)洌瑹o需完整的PCB設(shè)...

2025-10-22 標(biāo)簽：電源模塊 GaN LLC 313 0

?基于MASTERGAN1L的GaN半橋電源模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1基于GaN的半橋電源模塊配有MASTERGAN1L，其可快速創(chuàng)建拓?fù)?，無需完整的PCB設(shè)...

2025-10-22 標(biāo)簽：電源模塊 GaN 半橋電源 112 0

STDRIVEG611半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

STMicroelectronics STDRIVEG611半橋柵極驅(qū)動(dòng)器是用于N溝道增強(qiáng)模式GaN的高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。高側(cè)驅(qū)動(dòng)器部分設(shè)計(jì)能夠承受高達(dá)...

2025-10-16 標(biāo)簽：半橋 N溝道 GaN 352 0

analog devices方案：在LTspice仿真中使用GaN FET模型

近年來，工業(yè)電源市場(chǎng)對(duì)氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關(guān)頻率...

2025-10-15 標(biāo)簽：ADI 仿真 GaN 5.4k 0

?STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動(dòng)器深度解析與設(shè)計(jì)指南

STMicroelectronics STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于N溝道增強(qiáng)模式GaN，高側(cè)驅(qū)動(dòng)器部分可承受高達(dá)220V電壓軌。這些驅(qū)...

2025-10-15 標(biāo)簽：半橋 N溝道 GaN 156 0

?STDRIVEG210半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

STMicroelectronics STDRIVEG210半橋柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于N溝道增強(qiáng)模式GaN，高側(cè)驅(qū)動(dòng)器部分可承受高達(dá)220V電壓軌。這些驅(qū)...

2025-10-15 標(biāo)簽：半橋 N溝道 GaN 160 0

PI技術(shù)白皮書 1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)中的應(yīng)用

白皮書?闡釋了Power Integrations業(yè)界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優(yōu)勢(shì)，展示了其經(jīng)過實(shí)際應(yīng)用驗(yàn)證的可靠性以及滿足800...

2025-10-14 標(biāo)簽：PI 數(shù)據(jù)中心 SiC 411 0

解析GaN-MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

GaN-MOSFET 的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中，p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案，分別適用于不同的應(yīng)用...

2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 GaN 211 0

TMS320F280037C微控制器技術(shù)文檔總結(jié)

TMS320F28003x （F28003x）是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件，專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì)，包...

2025-10-10 標(biāo)簽：微控制器電力電子 GaN 650 0

TMS320F280038C-Q1微控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)總結(jié)

TMS320F28003x （F28003x）是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件，專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì)，包...

2025-10-10 標(biāo)簽：微控制器電力電子 SiC 619 0

gan帖子

《電子發(fā)燒友電子設(shè)計(jì)周報(bào)》聚焦硬科技領(lǐng)域核心價(jià)值第14期：2025.06.2--2025.06.6

標(biāo)簽：GaN Qorvo 5G-A 1465 0

STDRIVEG600驅(qū)動(dòng)GAN逆變器,在某一拍出現(xiàn)控制信號(hào)丟失，導(dǎo)致電機(jī)電流跌落的原因？

標(biāo)簽：逆變器 GaN 8435 1

基于GaN HEMT的半橋LLC優(yōu)化設(shè)計(jì)和損耗分析

標(biāo)簽：GaN LLC 1522 0

基于VIPerGaN50和STUSB4761的45W QR USB PD適配器參考設(shè)計(jì)

標(biāo)簽：適配器 GaN 628 0

ST GaN產(chǎn)品創(chuàng)新型快速充電器解決方案

標(biāo)簽：GaN 快速充電器 672 0

STDRIVEG600 GaN半橋驅(qū)動(dòng)器

標(biāo)簽：GaN 半橋驅(qū)動(dòng)器 724 0

電機(jī)控制和電源管理的基準(zhǔn)效率

標(biāo)簽：GaN 1728 0

GaN器件在Class D上的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

標(biāo)簽：GaN 2034 0

突破氮化鎵功率半導(dǎo)體的速度限制

標(biāo)簽：GaN 功率半導(dǎo)體 1684 0

GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)

標(biāo)簽：GaN 功率半導(dǎo)體 1535 0

gan資料下載

GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書立即下載

類別：電子資料 2025-02-13 標(biāo)簽：FET 氮化鎵 GaN 303 0

GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書立即下載

類別：電子資料 2025-02-13 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 268 0

GANE3R9-150QBA氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書立即下載

類別：電子資料 2025-02-12 標(biāo)簽：FET 氮化鎵 GaN 219 0

GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽：GaN 功率半導(dǎo)體 178 0

變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器受益于集成GaN立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 GaN 變速電機(jī) 187 0

新一代GaN器件,滿足AI服務(wù)器電源需求立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽：服務(wù)器 AI GaN 261 0

用于高頻、大功率工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的GaN功率IC創(chuàng)新立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)高頻 GaN 256 0

電動(dòng)汽車的SiC演變和GaN革命立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC GaN 253 1

利用GaN HEMTs降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的系統(tǒng)成本立即下載

類別：電子資料 2025-01-23 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN 129 0

GaN半橋功率IC和AHB/圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)效率高達(dá)95.5%的240W、150cc PD3.1解決方案立即下載

類別：電子資料 2025-01-22 標(biāo)簽：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)GaN AHB 713 0

gan資訊

英飛凌進(jìn)軍車規(guī)級(jí)GaN，適用48V系統(tǒng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ?近日，英飛凌推出首款符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的 100V CoolGaN?汽車晶體管系列，并已經(jīng)開始提供符合AEC-Q101...

2025-10-24 標(biāo)簽：英飛凌 GaN 4.2k 0

芯干線GaN器件在電源系統(tǒng)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

自從氮化鎵（GaN）器件問世以來，憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。

2025-10-21 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 電源系統(tǒng) 434 0

SiC+GaN成核心！一文匯總英偉達(dá)800V HVDC認(rèn)證廠商解決方案

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）AI芯片的功率在算力需求迭代的基礎(chǔ)上，不斷提高，短短幾年間，英偉達(dá)的GPU從A100單個(gè)TDP 為300W（40GB）和4...

2025-10-21 標(biāo)簽：SiC GaN 800V 5.2k 0

Power Integrations發(fā)布新技術(shù)白皮書，深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1250V和1700V PowiGaN技術(shù)

該公司正在與英偉達(dá)(NVIDIA)合作開發(fā)800VDC供電架構(gòu)；新發(fā)布的白皮書剖析了1250V PowiGaN技術(shù)相較于650V GaN和1200V S...

2025-10-14 標(biāo)簽：PI GaN 427 0

納芯微與聯(lián)合電子、英諾賽科簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

近日，蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：納芯微）、聯(lián)合汽車電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱：聯(lián)合電子）與英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：英諾賽科）...

2025-10-13 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 英諾賽科 1.1k 0

芯干線PCIM Asia 2025圓滿落幕

近日，亞洲電力電子領(lǐng)域年度盛會(huì) ——PCIM Asia Shanghai 2025，在上海新國際博覽中心盛大啟幕。

2025-10-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 GaN 1.2k 0

用專為硅 MOSFET 設(shè)計(jì)的控制器來驅(qū)動(dòng) GaN FET

作者： Pete Bartolik 工具在電力應(yīng)用中，氮化鎵 (GaN) 器件比傳統(tǒng)硅 MOSFET 器件具有顯著的性能和效率優(yōu)勢(shì)。氮化鎵器件能夠滿足...

2025-10-04 標(biāo)簽：MOSFET 控制器 GaN 1.3k 0

基于物理引導(dǎo)粒子群算法的Si基GaN功率器件特性精準(zhǔn)擬合

? ? ? ?在高壓功率電子領(lǐng)域，硅基氮化鎵（GaN-on-Si）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）因其優(yōu)異的性能與成本優(yōu)勢(shì)展現(xiàn)出巨大潛力。然而，Si與GaN材...

2025-09-26 標(biāo)簽：功率器件 GaN 864 0

為什么電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案要選擇GaN？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在智能化時(shí)代，電機(jī)應(yīng)用需求走向高效率、高功率密度、快動(dòng)態(tài)響應(yīng)。而GaN功率芯片具備低開關(guān)損耗、高頻等特性，在電機(jī)應(yīng)用中，低...

2025-09-21 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN 7k 0

第三代700V GaN上市！英諾賽科上半年?duì)I收大增43.4%，機(jī)器人和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用破局

8月28日，英諾賽科發(fā)布2025年半年報(bào)，英諾賽科營收達(dá)到5.53億元，比去年同期增長43.4%；毛利達(dá)到3780萬元，從上年的同期虧損轉(zhuǎn)為盈利；毛利率...

2025-09-14 標(biāo)簽：機(jī)器人數(shù)據(jù)中心 GaN 8.1k 0

gan數(shù)據(jù)手冊(cè)

型號(hào)	描述	數(shù)據(jù)手冊(cè)	參考價(jià)格
GS61008P-MR	增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM		獲取價(jià)格

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藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍(lán)牙耳機(jī)開始大行其道。
智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
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無線收發(fā)模塊

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無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
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三星公司

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三星集團(tuán)是韓國最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
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樂鑫

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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
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WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿足未來無線通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
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無線設(shè)備

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無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
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超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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