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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) IGBT選型

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中微愛(ài)芯推出高速柵極驅(qū)動(dòng)器AiP4421/AiP4422

柵極驅(qū)動(dòng)器是連接控制芯片和功率開(kāi)關(guān)、實(shí)現(xiàn)高低壓隔離的安全橋梁。在電子電力系統(tǒng)中，無(wú)論是新能源汽車的電驅(qū)電控、光伏逆變器,，還是工業(yè)變頻器，其核心都離不開(kāi)...

2025-10-21 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 333 0

當(dāng)全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)為更快充電、更長(zhǎng)續(xù)航激烈競(jìng)逐，當(dāng)AI數(shù)據(jù)中心因算力成本反復(fù)測(cè)算，圍繞“功率密度”的技術(shù)革命正成為突破瓶頸的關(guān)鍵。近日在I.S.E.S...

2025-10-20 標(biāo)簽：安森美 IGBT 數(shù)據(jù)中心 431 0

聞泰科技投資者交流日?qǐng)A滿舉行

近日，聞泰科技在上海臨港12寸車規(guī)級(jí)晶圓廠成功舉辦“新聞泰，芯征程”投資者交流日活動(dòng)。本次活動(dòng)全面展示了公司聚焦半導(dǎo)體業(yè)務(wù)后的戰(zhàn)略規(guī)劃與技術(shù)實(shí)力，吸引了...

2025-10-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT 聞泰科技 2.3k 0

三菱電機(jī)PCIM Asia Shanghai 2025圓滿收官

時(shí)光見(jiàn)證創(chuàng)新，盛會(huì)圓滿收官。2025年9月26日，為期3天的PCIM Asia Shanghai 2025在上海新國(guó)際博覽中心落下帷幕，讓我們一起回顧三...

2025-10-10 標(biāo)簽：控制器 IGBT 三菱電機(jī) 1.1k 0

PI創(chuàng)新技術(shù)亮相PCIM Asia 2025

2025年P(guān)CIM Asia展會(huì)于9月24-26日在上海新國(guó)際博覽中心舉行。作為亞洲領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)盛會(huì)，本屆展會(huì)也集中展示了第三代半導(dǎo)體...

2025-10-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 PI IGBT 1.1k 0

傾佳電子SiC廚房革命：B3M042140Z MOSFET取代RC-IGBT在電磁爐應(yīng)用中的技術(shù)與商業(yè)分析

傾佳電子SiC廚房革命：B3M042140Z MOSFET取代RC-IGBT在電磁爐應(yīng)用中的技術(shù)與商業(yè)分析傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在...

2025-10-11 標(biāo)簽：芯片 IGBT 1.2k 0

傾佳電子SiC功率模塊賦能四象限工業(yè)變頻器：發(fā)展歷程、技術(shù)優(yōu)勢(shì)與未來(lái)趨勢(shì)深度分析

傾佳電子SiC功率模塊賦能四象限工業(yè)變頻器：發(fā)展歷程、技術(shù)優(yōu)勢(shì)與未來(lái)趨勢(shì)深度分析傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車...

2025-09-29 標(biāo)簽：變頻器 IGBT SiC功率模塊 1.5k 0

碳化硅材料有什么特點(diǎn)

目前車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊主要采用硅基材料制作，與硅基半導(dǎo)體材料相比，以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率等特...

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如何以高精度、高效率和高保護(hù)的方式驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 和 IGBT

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2025-10-01 標(biāo)簽：封裝 IGBT SiC 2.6k 0

中微愛(ài)芯推出高速柵極驅(qū)動(dòng)器AiP4427

柵極驅(qū)動(dòng)器是連接控制芯片和功率開(kāi)關(guān)、實(shí)現(xiàn)高低壓隔離的安全橋梁。在電子電力系統(tǒng)中，無(wú)論是新能源汽車的電驅(qū)電控、光伏逆變器、工業(yè)變頻器，其核心都離不開(kāi)柵極驅(qū)...

2025-09-26 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 1.9k 0

散熱不足對(duì)IGBT性能和壽命有什么影響

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2025-09-22 標(biāo)簽：封裝 IGBT 晶體管 2.1k 0

熱發(fā)射顯微鏡下芯片失效分析案例：IGBT 模組在 55V 就暴露的問(wèn)題！

分享一個(gè)在熱發(fā)射顯微鏡下（Thermal EMMI) 芯片失效分析案例，展示我們?nèi)绾瓮ㄟ^(guò) IV測(cè)試與紅外熱點(diǎn)成像，快速鎖定 IGBT 模組的失效點(diǎn)。

2025-09-19 標(biāo)簽：IGBT 芯片失效分析 2k 0

IGBT的概念、靜態(tài)參數(shù)及測(cè)試方法

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR(電力晶體管)的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢(shì)?。

2025-09-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT 晶體管 2.1k 0

揚(yáng)杰科技推出新一代To-247PLUS封裝1200V IGBT單管

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2025-09-18 標(biāo)簽：封裝 IGBT 揚(yáng)杰科技 2.1k 0

東芝邀您共赴PCIM Asia 2025

一直以來(lái)，東芝半導(dǎo)體在電力能源技術(shù)領(lǐng)域不斷深耕，響應(yīng)市場(chǎng)需求，推陳出新。尤其在今年，攜手基本半導(dǎo)體，在PCIM Asia 2025（上海國(guó)際電力元件、可...

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半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)的概述、作用及應(yīng)用場(chǎng)景和行業(yè)趨勢(shì)

半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)是用于評(píng)估二極管、晶體管、晶閘管等獨(dú)立功能器件性能的專業(yè)設(shè)備，其核心功能和技術(shù)特點(diǎn)如下：一、核心功能 ?參數(shù)測(cè)試? 靜態(tài)參數(shù)：擊...

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8月28日，為期三天(8月26日-28日)的深圳電子展暨嵌入式展在深圳會(huì)展中心(福田)圓滿落幕，作為電子行業(yè)的年度大展，elexcon匯聚了全球400+...

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傾佳電子推動(dòng)SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動(dòng)因

傾佳電子推動(dòng)SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動(dòng)因與SiC模塊應(yīng)用系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)深度研究傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能...

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中航光電推出柔性直流換流閥用高壓大電流IGBT壓接件產(chǎn)品

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2025-09-06 標(biāo)簽：IGBT 中航光電 2k 0

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對(duì)IGBT模塊的全面替代

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2025-09-05 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 1.8k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫(xiě)，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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Proteus軟件是英國(guó)Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件（該軟件中國(guó)總代理為廣州風(fēng)標(biāo)電子技術(shù)有限公司）。它不僅具有其它EDA工具軟件的仿真功能，還能仿真單片機(jī)及外圍器件。
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的?？梢酝ㄟ^(guò)控制脈沖個(gè)數(shù)來(lái)控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過(guò)控制脈沖頻率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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