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標(biāo)簽 > MOSFET
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
除了傳統(tǒng)上應(yīng)用于諸如微處理器、微控制器等數(shù)位信號(hào)處理的場(chǎng)合上,也有越來(lái)越多模擬信號(hào)處理的集成電路可以用MOSFET來(lái)實(shí)現(xiàn)。
基于東芝產(chǎn)品的大型太陽(yáng)能逆變器設(shè)計(jì)方案
新能源產(chǎn)業(yè)正在推動(dòng)綠色低碳產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展,集多種功能于一身的大型太陽(yáng)能逆變器已成為關(guān)鍵應(yīng)用設(shè)備之一。其強(qiáng)大功能的實(shí)現(xiàn),離不開逆變器電路單元、柵極驅(qū)動(dòng)電路...
功率半導(dǎo)體晶圓級(jí)封裝的發(fā)展趨勢(shì)
在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域,晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方向演進(jìn)。
2025-10-21 標(biāo)簽:MOSFET封裝功率半導(dǎo)體 397 0
?DRV8809/DRV8810組合電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8809/DRV8810提供集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器解決方案。該芯片有四個(gè) 內(nèi)部有 H 橋,可配置為八種不同模式的組合電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 控制。 每個(gè)H橋的輸...
DRV8801 40V、2.8A H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
DRV880x 提供具有多種功能的多功能電機(jī)驅(qū)動(dòng)器解決方案。該器件包含一個(gè)完整的 H 橋,可用于驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)的一個(gè)繞組或其他設(shè)備,例如螺線...
2025-10-21 標(biāo)簽:MOSFET電荷泵電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 170 0
?DRV8811 步進(jìn)電機(jī)控制器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8811器件為打印機(jī)、掃描儀和其他自動(dòng)化設(shè)備應(yīng)用提供集成的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器解決方案。該器件具有兩個(gè) H 橋驅(qū)動(dòng)器,以及用于控制步進(jìn)電機(jī)的微步進(jìn)索引器...
?DRV8821 雙路步進(jìn)電機(jī)控制器與驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8821提供雙微步進(jìn)步進(jìn)電機(jī)控制器/驅(qū)動(dòng)器 打印機(jī)、掃描儀和其他辦公自動(dòng)化設(shè)備應(yīng)用的解決方案。 兩個(gè)獨(dú)立的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路包括四個(gè) H 橋...
?DRV8823 四橋串行接口電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8823為打印機(jī)和其他辦公室提供集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器解決方案 自動(dòng)化設(shè)備應(yīng)用。 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路包括四個(gè) H 橋驅(qū)動(dòng)器。每個(gè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)塊 采用配置為 ...
?DRV8412/DRV8432 雙全橋PWM電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV841x2 是高性能、集成雙全橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,具有先進(jìn)的保護(hù)系統(tǒng)。 由于 H 橋 MOSFET 的低 RDS(on) 和智能柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),這些...
?DRV8824步進(jìn)電機(jī)控制器技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8824為打印機(jī)、掃描儀和其他自動(dòng)化設(shè)備應(yīng)用提供集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器解決方案。該器件具有兩個(gè) H 橋驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)微步進(jìn)分度器,旨在驅(qū)動(dòng)雙極步進(jìn)電機(jī)。輸...
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代理供應(yīng)希力微 SJ MOS管 SSF60R190TH、SSD60R280FTR、SSD60R360METR、SSD65R900FTR
標(biāo)簽:MOSFET 1474 0
ZK30N100T N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET技術(shù)手冊(cè)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-10-16 標(biāo)簽:MOSFET 55 0
FS8810 ESD保護(hù)的MOSFET技術(shù)手冊(cè)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-09-23 標(biāo)簽:鋰離子電池MOSFETESD保護(hù) 122 0
FS60N03 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET數(shù)據(jù)表立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-09-23 標(biāo)簽:電阻MOSFET封裝 221 0
中微愛(ài)芯推出高速柵極驅(qū)動(dòng)器AiP4421/AiP4422
柵極驅(qū)動(dòng)器是連接控制芯片和功率開關(guān)、實(shí)現(xiàn)高低壓隔離的安全橋梁。在電子電力系統(tǒng)中,無(wú)論是新能源汽車的電驅(qū)電控、光伏逆變器,,還是工業(yè)變頻器,其核心都離不開...
2025-10-21 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 310 0
傾佳電子碳化硅MOSFET短路保護(hù)的戰(zhàn)略性應(yīng)用:面向現(xiàn)代電力電子的關(guān)鍵分析
傾佳電子碳化硅MOSFET短路保護(hù)的戰(zhàn)略性應(yīng)用:面向現(xiàn)代電力電子的關(guān)鍵分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器...
英飛凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列
【2025年10月17日,德國(guó)慕尼黑訊】電動(dòng)汽車充電、電池儲(chǔ)能系統(tǒng),以及商用、工程和農(nóng)用車輛(CAV)等大功率應(yīng)用場(chǎng)景,正推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)更高系統(tǒng)級(jí)功率密度與...
傾佳電子碳化硅MOSFET高級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):核心原理與未來(lái)趨勢(shì)綜合技術(shù)評(píng)述
傾佳電子碳化硅MOSFET高級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):核心原理與未來(lái)趨勢(shì)綜合技術(shù)評(píng)述 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGB...
2025-10-18 標(biāo)簽:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)碳化硅 34 0
傾佳電子碳化硅(SiC)MOSFET可靠性綜合分析:試驗(yàn)方法及其意義
傾佳電子碳化硅(SiC)MOSFET可靠性綜合分析:試驗(yàn)方法及其意義 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷...
博世碳化硅MOSFET研究論文榮獲PCIM Asia 2025優(yōu)秀墻報(bào)獎(jiǎng)
2025年9月24日,博世功率半導(dǎo)體技術(shù)專家周雯琪的學(xué)術(shù)論文“A Robust and Reproducible Gate Charge Measure...
圣邦微電子推出高性能N溝道MOSFET SGMNQ12340
圣邦微電子推出 SGMNQ12340,一款 40V 耐壓、低導(dǎo)通電阻、輸入電容低、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 VBUS...
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體亮相PCIM Asia 2025
2025年9月24日至26日,為期三天的PCIM Asia展會(huì)已于今日?qǐng)A滿落幕。
Nexperia推出高功率工業(yè)應(yīng)用專用MOSFET
Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,為旗下不斷擴(kuò)充的應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。ASFET系列的產(chǎn)品特性經(jīng)優(yōu)化調(diào)校,可滿...
2025-10-10 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)開關(guān)器件 377 0
意法半導(dǎo)體邀您相約SNEC ES+EXPO 2025
???????? 隨著“碳達(dá)峰、碳中和”成為全球共識(shí),我國(guó)加速推進(jìn)以新能源為主體的新一代電力系統(tǒng)建設(shè),新能源占比持續(xù)提升,相關(guān)產(chǎn)業(yè)在政策扶持、技術(shù)創(chuàng)新與...
2025-10-10 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體數(shù)字電源 194 0
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