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?DRV8426E/P 雙H橋電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-10-15 10:35 ? 次閱讀
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DRV8426E/P 器件是雙 H 橋電機(jī)驅(qū)動器,適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件可用于驅(qū)動兩個直流電機(jī)或一個雙極步進(jìn)電機(jī)。

驅(qū)動器的輸出級由配置為兩個全H橋的N溝道功率MOSFET電荷泵穩(wěn)壓器、電流檢測和調(diào)節(jié)以及保護(hù)電路組成。集成電流檢測采用內(nèi)部電流鏡架構(gòu),無需大型功率分流電阻,節(jié)省電路板面積并降低系統(tǒng)成本。提供低功耗睡眠模式,通過關(guān)閉大部分內(nèi)部電路來實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗。為電源欠壓鎖定 (UVLO)、電荷泵欠壓 (CPUV)、輸出過流 (OCP) 和器件過熱 (OTSD) 提供內(nèi)部保護(hù)功能。
*附件:drv8426e.pdf

DRV8426E/P 能夠驅(qū)動滿量程高達(dá) 1.5A 的步進(jìn)電機(jī)或峰值高達(dá) 2.5A 的有刷電機(jī)(取決于 PCB 設(shè)計(jì))。

特性

  • 雙 H 橋電機(jī)驅(qū)動器

    • 一個雙極步進(jìn)電機(jī)
    • 雙雙向有刷直流電機(jī)
    • 四個單向有刷直流電機(jī)
  • 集成電流檢測功能

    • 無需檢測電阻
    • ±5% 滿量程電流精度
  • 4.5V 至 33V 工作電源電壓范圍

  • 多種控制接口選項(xiàng)

    • 相位/使能 (PH/EN)
    • PWM(輸入/輸入)
  • 智能調(diào)諧、快速和混合衰減選項(xiàng)

  • 低R DS(開) :900 mΩ HS + LS,24 V,25°C

  • 每橋高電流容量

    • 2.5A 峰值(有刷)、1.5A 滿量程(步進(jìn))

    引腳對引腳兼容 -

  • 可配置的關(guān)斷時間PWM斬波

    • 7、16、24 或 32 μs
  • 支持 1.8V、3.3V、5.0V 邏輯輸入

  • 低電流睡眠模式 (2 μA)

  • 擴(kuò)頻時鐘,實(shí)現(xiàn)低 EMI

  • 有刷直流應(yīng)用中的浪涌電流限制

  • 小封裝和占地面積

  • 保護(hù)功能

    • VM 欠壓鎖定 (UVLO)
    • 電荷泵欠壓 (CPUV)
    • 過流保護(hù) (OCP)
    • 熱關(guān)斷 (OTSD)
    • 故障條件輸出 (nFAULT)

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png

?1. 核心特性?

  • ?雙H橋架構(gòu)?:支持驅(qū)動1個雙極步進(jìn)電機(jī)、2個雙向有刷直流電機(jī)或4個單向有刷直流電機(jī)。
  • ?集成電流檢測?:無需外部檢測電阻,電流精度±5%,節(jié)省PCB空間和成本。
  • ?寬電壓范圍?:4.5V至33V工作電壓,支持2.5A峰值電流(有刷電機(jī))或1.5A全量程電流(步進(jìn)電機(jī))。
  • ?智能調(diào)節(jié)技術(shù)?:
    • ?Smart tune動態(tài)衰減?:自動優(yōu)化衰減模式(慢/混合/快衰減),降低電機(jī)噪聲。
    • ?Smart tune紋波控制?:通過可變關(guān)斷時間實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)電流調(diào)節(jié)。
  • ?低導(dǎo)通電阻?:900mΩ(高邊+低邊,24V/25°C)。
  • ?多種控制接口?:支持PH/EN(DRV8426E)或PWM(DRV8426P)控制模式。
  • ?保護(hù)功能?:欠壓鎖定(UVLO)、電荷泵欠壓(CPUV)、過流保護(hù)(OCP)、熱關(guān)斷(OTSD)及故障輸出(nFAULT)。

?2. 關(guān)鍵功能?

  • ?電流調(diào)節(jié)?:
    • PWM斬波控制,關(guān)斷時間可調(diào)(7/16/24/32μs)。
    • 通過VREF引腳設(shè)置參考電流,公式:IFS(A) = VREF(V)/2.2(V/A)。
  • ?衰減模式?:
    • 支持智能動態(tài)衰減、紋波控制、固定慢衰減和混合衰減。
  • ?封裝選項(xiàng)?:
    • HTSSOP-28(PWP):9.7mm×4.4mm,帶PowerPAD散熱。
    • VQFN-24(RGE):4mm×4mm,超小尺寸。

?3. 應(yīng)用場景?


?4. 設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

  • ?電源設(shè)計(jì)?:
    • VM引腳需并聯(lián)0.01μF陶瓷電容電解電容
    • 電荷泵電容(CPH-CPL)選用0.022μF陶瓷電容。
  • ?熱管理?:
    • HTSSOP封裝RθJA=33°C/W,VQFN封裝RθJA=43°C/W。
    • 示例:24V供電下,1.12W總功耗時結(jié)溫約62°C(HTSSOP,TA=25°C)。

?5. 版本更新?

  • ? 2022年5月(Rev B) ?:
    • 新增典型特性曲線章節(jié)。
    • 更新HTSSOP和VQFN布局示例。
  • ? 2020年11月(Rev A) ?:
    • 將設(shè)備狀態(tài)更改為“生產(chǎn)數(shù)據(jù)”。

?6. 典型應(yīng)用電路?

  • ?有刷電機(jī)驅(qū)動?:通過PH/EN或PWM接口控制H橋極性及占空比。
  • ?步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動?:配置微步進(jìn)級別(全步至1/256步)及衰減模式。
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