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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 全稱:金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管...
2025-10-23 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 729 0
如何利用Verilog HDL在FPGA上實(shí)現(xiàn)SRAM的讀寫測(cè)試
本篇將詳細(xì)介紹如何利用Verilog HDL在FPGA上實(shí)現(xiàn)SRAM的讀寫測(cè)試。SRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,具有高速讀取和寫入的特點(diǎn)。在FPGA中實(shí)現(xiàn)...
在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)追求更高性能、更低功耗的今天,一種名為“SOI(Silicon-On-Insulator)”的工藝技術(shù)逐漸成為行業(yè)焦點(diǎn)。無論是智能手機(jī)、...
熱載流子注入效應(yīng)(Hot Carrier Inject, HCI)是半導(dǎo)體器件(如晶體管)工作時(shí),高能電子或空穴突破材料勢(shì)壘、侵入絕緣層的物理現(xiàn)象。當(dāng)芯...
?LM1949噴油器驅(qū)動(dòng)控制器技術(shù)文檔總結(jié)
LM1949 線性集成電路可作為噴油器的出色控制 現(xiàn)代汽車系統(tǒng)中的驅(qū)動(dòng)電路。該IC設(shè)計(jì)用于控制外部電源NPN 驅(qū)動(dòng)大電流注入器電磁閥的達(dá)林頓晶體管。打開...
?DRV3201-Q1 汽車級(jí)三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC技術(shù)文檔總結(jié)
橋式驅(qū)動(dòng)器專用于汽車三相無刷直流電機(jī)控制,包括安全相關(guān)應(yīng)用。它為正常電平 N 溝道 MOSFET 晶體管提供六個(gè)專用驅(qū)動(dòng)器。驅(qū)動(dòng)器功能設(shè)計(jì)用于處理 25...
2025-10-17 標(biāo)簽:MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器晶體管 540 0
?DRV3205-Q1 汽車級(jí)三相柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV3205-Q1 橋式驅(qū)動(dòng)器專用于汽車三相無刷直流電機(jī)控制應(yīng)用。該器件為標(biāo)準(zhǔn)級(jí) N 溝道 MOSFET 晶體管提供六個(gè)專用驅(qū)動(dòng)器。帶有集成 FET ...
?DRV3220-Q1 汽車級(jí)三相柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV3220-Q1 橋式驅(qū)動(dòng)器專用于汽車三相無刷直流電機(jī)控制應(yīng)用。該器件為標(biāo)準(zhǔn)級(jí) N 溝道 MOSFET 晶體管提供六個(gè)專用驅(qū)動(dòng)器。帶有集成 FET ...
解析GaN-MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
GaN-MOSFET 的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中,p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案,分別適用于不同的應(yīng)用...
單芯片功率集成電路的數(shù)據(jù)手冊(cè)通常會(huì)規(guī)定兩個(gè)電流限值:最大持續(xù)電流限值和峰值瞬態(tài)電流限值。其中,峰值瞬態(tài)電流受集成功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的限制,而持續(xù)...
在先進(jìn)的反向?qū)ń^緣柵雙極晶體管(RCIGBT)中,低導(dǎo)通電壓降(Vce(sat))和集成二極管正向電壓(VF)對(duì)于有效減少導(dǎo)通損耗至關(guān)重要。
2025-10-10 標(biāo)簽:二極管意法半導(dǎo)體IGBT 1.8k 0
奧倫德8XX系列晶體管光耦以高性價(jià)比適配充電樁需求
在當(dāng)今快速發(fā)展的新能源汽車市場(chǎng)中,充電樁作為連接車輛與能源的關(guān)鍵設(shè)備,其性能和可靠性至關(guān)重要。由于其卓越的性能和極高的品質(zhì),奧倫德8XX系列晶體管光耦,...
采用傳輸線法(TLM)探究有機(jī)薄膜晶體管的接觸電阻可靠性及變異性
有機(jī)薄膜晶體管(TFTs)的高頻性能受限于接觸電阻(RC),尤其是在短通道L1cm2(V?s)條件下。即使采用相同材料和工藝,接觸電阻仍存在顯著的批次間...
在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域,物理驗(yàn)證是保障芯片成功流片且符合制造要求的核心要素。而設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC)作為物理驗(yàn)證的關(guān)鍵環(huán)節(jié),發(fā)揮著舉足輕重的作用。DRC主要聚焦...
?UCC21351-Q1 汽車級(jí)隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC21351-Q1 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰源電流和 6A 峰灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MO...
LM567C 音調(diào)解碼器技術(shù)手冊(cè)
LM567 和 LM567C 是通用音調(diào)解碼器,設(shè)計(jì)用于在通帶內(nèi)存在輸入信號(hào)時(shí)提供飽和晶體管對(duì)地開關(guān)。該電路由一個(gè) I 和 Q 檢測(cè)器組成,該檢測(cè)器由壓...
中科微電MOS管:技術(shù)特性、應(yīng)用場(chǎng)景與行業(yè)價(jià)值解析
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,MOS管(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為核心器件,承擔(dān)著電能轉(zhuǎn)換、信號(hào)放大與電路控制的關(guān)鍵作用。中科微電作為國(guó)內(nèi)專注于功率半導(dǎo)體...
2025-09-22 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管晶體管 327 0
隨著集成電路科學(xué)與工程的持續(xù)發(fā)展,當(dāng)前集成電路已涵蓋二極管、晶體管、非易失性存儲(chǔ)器件、功率器件、光子器件、電阻與電容器件、傳感器件共 7 個(gè)大族,衍生出...
集成電路中場(chǎng)效應(yīng)晶體管的寄生參數(shù)提取方法
柵極電阻的存在對(duì)電路性能的影響很大,會(huì)引入熱噪聲,增大電路的噪聲系數(shù),影響器件的開關(guān)速度和最大振蕩頻率,因此在版圖設(shè)計(jì)時(shí),要考慮盡可能地減小柵極電阻。
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