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      STH2N120K5-2AG STMicroelectronics SuperMESH? 高壓 MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      意法半導(dǎo)體 齊納保護 SuperMESH? 功率 MOSFETs 是對標(biāo)準(zhǔn)帶式 PowerMESH? 布線的終極優(yōu)化。 意法半導(dǎo)體 SuperMESH MOSFET 大幅壓低了導(dǎo)通電阻，同時為要求最高的應(yīng)用確保了非常好的 dv/dt 性能。SuperMESH 器件有最低限度的柵極電荷，并100% 通過雪崩測試，同時還改進(jìn)了 ESD 功能，并具有新的高壓基準(zhǔn)。這些意法半導(dǎo)體 MOSFET 可用于開關(guān)應(yīng)用。

      汽車級產(chǎn)品

      1200V汽車級電池管理設(shè)備現(xiàn)在可用。 這些器件在很高的BVDSS上具有不均勻的魯棒性，并且是AEC-Q101合格的。 這些設(shè)備的1200V擊穿電壓保護汽車電池系統(tǒng)。

      K5系列產(chǎn)品有800V、850V、900V、950V、1050V、1200V、1500V和1700V。
      隨著汽車級和1700V器件的引入，ST擴展了其超結(jié)MDmeshK5MOSFET的組合。 該設(shè)備提供每個區(qū)域的最低RDS(ON)和最低的柵極電荷(下降到47nC)。 這導(dǎo)致了行業(yè)的最佳業(yè)績(FOM)。 更高的擊穿電壓確保了更高的安全裕度，以更健壯和可靠的應(yīng)用。 它們是理想的寬輸入電壓范圍輔助電源在高功率應(yīng)用，如太陽能逆變器，工廠自動化，工業(yè)驅(qū)動器和焊接。

      特性

      • Industry's lowest RDS(on) for increased efficiency and more compact designs
      • 業(yè)的最佳功勛人物(FOM) 
      • 極高的dv/dt能力
      • 100%雪崩測試
      • 世界最佳FOM
      • 超低柵電荷
      • 齊納保護

      应用

      • 開關(guān)模式低電源(SMPS)
      • DC-DC轉(zhuǎn)換器
      • 低功耗，低成本CFL
      • 低功率電池充電器
      • 電池充電器和管理
      • 切換應(yīng)用程序
      • 高電流，高速開關(guān)
      • 點火布光，燈光安排點燃(light的ing形式)
      • 離線電源、適配器和PFC

      特色汽車產(chǎn)品

      视频

      [財]額外的資金

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